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長鑫官方開賣DDR4/LPDDR4X內存！單條8GB 2666MHz

  • 對于國產(chǎn)軟硬件,我們從未如此期盼,幸運的是各項突破也是接踵而至,現(xiàn)在我們終于有了自己的內存。長鑫存儲官方網(wǎng)站上,已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4X內存芯片,都符合國際通行標準規(guī)范。據(jù)介紹,長鑫DDR4內存芯片可匹配主流市場需求,支持多領域應用、多產(chǎn)品組合,并有充分的可靠性保障,規(guī)格方面單顆容量8Gb(1GB),頻率2666MHz,電壓1.2V,工作溫度0℃至95℃,78ball、96ball FBGA兩種封裝樣式。長鑫特別強調,這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內存芯片。根據(jù)此前消
  • 關鍵字： 內存  國產(chǎn)  DDR4  LPDDR4X  長鑫存儲  

7nm銳龍線程撕裂者很好很強大,帶火單條32GB內存

  • 今年1月份內存現(xiàn)貨價格開始被熱炒，已經(jīng)有漲價的苗頭了，不過總體來看目前的內存價位還是不錯的，8GB單條還在300內。2019年內存還有個趨勢值得注意，那就是大容量單條越來越多，32GB單條就很受高玩歡迎，因為AMD去年推出的銳龍Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB內存平臺的首選。
  • 關鍵字： 內存  DDR4  

內存現(xiàn)貨價狂飆 1月份以來DDR4內存漲價17%

  • 以前降價的時候一個季度也不過10%-15%的降價,最近這一個月來,內存價格已經(jīng)是風云突變,1月份才過了2/3,內存價格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達到了17%,內存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內存價格信息來看,8Gb顆粒的標準型DDR4內存芯片現(xiàn)貨價已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆?，F(xiàn)貨價全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內存漲價的動機在哪?1月初三星內存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內存市場
  • 關鍵字： 三星  內存  DDR4  

芝奇再發(fā)極品內存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

  • 我們知道，內存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達32GB！新內存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
  • 關鍵字： 芝奇  內存  DDR4  

傳合肥長鑫年底量產(chǎn)DDR4內存：19nm工藝、8Gb核心

  • 前不久紫光宣布在重慶投資數(shù)百億建設DRAM內存研發(fā)中心及晶圓廠，最快2021年量產(chǎn)，這對國產(chǎn)芯片，尤其是內存來說是一個大事件。不過在紫光之前，我們可能看到的第一個國產(chǎn)內存應該是合肥長鑫公司的，他們比紫光做內存更早，該公司2016年成立于安徽合肥，一期工程投資就高達72億美元（約合494億人民幣），將建設一座月產(chǎn)能12.5萬晶圓的內存廠，目前工廠建設已經(jīng)進入了尾聲，正在進行設備安裝、調試階段。最新消息顯示，合肥長鑫的進展還跟順利，已經(jīng)提前進行機臺安裝，有望在Q4季度順利量產(chǎn)國內第一批內存。根據(jù)合肥長鑫之前公
  • 關鍵字： 合肥長鑫，DDR4  

威剛發(fā)布單條32GB DDR4內存：美光小S顆粒

  • 威剛Premier DDR4系列高端內存產(chǎn)品線今日全面升級單條32GB，桌面型的U-DIMM、筆記本型的SO-DIMM都有。
  • 關鍵字： 內存  威剛  DDR4  

威剛發(fā)布XPG Spectrix D60G DDR4內存：9497平方毫米RGB面積

  • 如今的高端硬件產(chǎn)品離開RGB簡直沒法活，燈效越來越靚，面積也越來越大。今天，威剛發(fā)布了新款XPG Spectrix D60G DDR4內存，信仰燈更是登峰造極。
  • 關鍵字： 威剛  XPG Spectrix D60G DDR4  

LPDDR3并不一定弱 實測對比單雙通道DDR4

  • 目前輕薄本中常見兩種內存，一種是LPDDR3，多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中，不可更換；另一種是DDR4，常見于14英寸輕薄本或游戲本中，可更換。
  • 關鍵字： LPDDR3  DDR4  

最新進展！國產(chǎn)內存DDR4已經(jīng)開發(fā)已完成

  • 不過距離國產(chǎn)內存真正上市，還有很遠的路要走，目前國產(chǎn)的DDR4內存正在后續(xù)的修正當中，只是到了研發(fā)的尾聲，還要再完善一下。
  • 關鍵字： DDR4  

長江存儲3D NAND架構Xtacking揭秘：I/O速度看齊DDR4

  • 　　談到NAND閃存，或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品，多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其實閃存芯片也有內部接口，LGA/BGA都有引腳，所以就有引腳帶寬，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解為內頻。　　今晨結束的Flash Memory Summit(閃存技術峰會)的首日Keynote上，長江存儲(Yangtze Memory Technology，YMTC)壓軸出場，介紹了新的3D NAND架構Xtacking。　　長江存儲稱，數(shù)據(jù)產(chǎn)生的能力和貯存能力的增長是
  • 關鍵字： 長江存儲  DDR4  

紫光國微：國產(chǎn)DDR4內存芯片預計年底推向市場

  • 　　國產(chǎn)內存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預計今年底就可以將DDR4內存顆粒推向市場。　　之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對于公司來說，DDR3內存芯片是主流，而DDR4芯片會在年內完成設計和生產(chǎn)?！　∽瞎釪DR4內存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個型號為“SCQ04
  • 關鍵字： 紫光國微  DDR4  

國產(chǎn)DDR4內存邁出第一步：內存降價、大國崛起就此一帆風順了嗎？

  • 國家在強調制造升級，內存、閃存、處理器為代表的集成電路產(chǎn)業(yè)則是中國公司尚未大規(guī)模攻克的重點領域之一，此事也關乎大國崛起，沒有拿得出手的高科技優(yōu)勢，中國制定的2025制造業(yè)目標就很難實現(xiàn)。
  • 關鍵字： DDR4  內存  

國產(chǎn)內存真的來了：紫光可提供DDR3、DDR4內存芯片

  • 　　還記得前段時間鬧得沸沸揚揚的國產(chǎn)DDR4芯片的傳聞嗎?當時有消息稱紫光旗下的半導體公司量產(chǎn)了國內首個DDR4內存，只是這事疑點重重，最后紫光官方也辟謠稱目前并沒有DDR4內存量產(chǎn)，相關產(chǎn)品正在研發(fā)中。 　　   　　現(xiàn)在國產(chǎn)DDR4內存又來了，涉及的還是紫光旗下的西安國芯半導體，其官網(wǎng)頁面明確提到了可以長期供應DDR3、DDR4在內的DRAM芯片和裸晶圓。 　　這次涉及國產(chǎn)DDR4的還是紫光集團的子公司紫光國芯，旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?、深圳國微、紫光同?chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹，&ld
  • 關鍵字： 紫光  DDR4  

SK海力士搞定單Die 16Gb DDR4顆粒：256GB內存條有戲

  • 　　SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內存條，還為單條256GB內存條鋪平了道路。 　　16Gb乃至是32Gb DDR4顆粒其實并不罕見，SK海力士等早都有了，不過是用兩顆或者四顆8Gb Die堆疊而成的，再造出16GB、32GB內存條。 　　但是，如此密集堆疊的內存顆粒和內存條十分復雜，比如64GB LRDIMM條子需要設置為四個Rank，128GB的更得八個Rank，結果導致延遲非常高，DDR4-2400/26
  • 關鍵字： SK海力士  DDR4  

價格瘋漲又暴跌：內存廠商都賠哭了！

  • 因為近期挖礦緣故，加之此前價格影響，內存需求已經(jīng)降至冰點，春節(jié)前回暖的可能性不大，只能寄希望于2月份年后的傳統(tǒng)旺季了。
  • 關鍵字： 內存  DDR4  
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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

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