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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
英特爾計(jì)劃2014年開始支持DDR4
- DDR3正處于如日中天的壯年期,DDR4并不會(huì)急匆匆地到來。最新消息顯示,DDR4內(nèi)存或于2014年首先用于服務(wù)器領(lǐng)域,然后再過一年半左右才進(jìn)入桌面。據(jù)悉,Intel的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族,面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域,最多擁有16個(gè)核心,四路就是64核心。 DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz),更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù),這些大
- 關(guān)鍵字: 英特爾 DDR4
DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)關(guān)鍵屬性大公開:電壓僅1.2V
- JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)今天公布了DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)中的部分關(guān)鍵屬性,并宣布將在2012年年中正式發(fā)布新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,相比于DDR3取得重大性能提升,同時(shí)繼續(xù)降低功耗。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣稱,DDR4將具備一系列創(chuàng)新特性,可帶來更快的運(yùn)行速度和廣泛的實(shí)用性,包括服務(wù)器、筆記本、臺(tái)式機(jī)、消費(fèi)電子產(chǎn)品等等,其頻率、電壓和架構(gòu)也都在進(jìn)行重新定義,目標(biāo)是簡(jiǎn)化新標(biāo)準(zhǔn)的遷移和部署。
- 關(guān)鍵字: 三星 DDR4
ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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