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紫光國芯官方確認首款國產(chǎn)DDR4內存明年上市

　　最近，一張印有紫光國芯(UniIC)LOGO 的內存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內存。一開始大家還不太相信圖片的真實性，因為貼紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣，對應的其實是 DDR3 1600 內存。但是近日紫光官方竟然主動承認了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實有相關的計劃。　　近日，紫光國芯在全景網(wǎng)投資者互動平臺上發(fā)出了正式回應，他們表示上述關于 DDR4 產(chǎn)品的報道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實在開展 DDR4存儲芯片和模組的設計與開發(fā)工作，而按照計劃，該
關鍵字：紫光 DDR4

兩大新技術加持三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機

　　搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。　　DRAM市場表現(xiàn)強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產(chǎn)業(yè)內最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
關鍵字： DRAM DDR4

賣不出去！內存暴漲價自食惡果：沒貨、降價

內存價格持續(xù)上漲了幾乎兩年的時間，對于接下來的內存行情，經(jīng)銷商普遍不看好，主要是渠道需求不佳，行情繼續(xù)橫盤，恐怕依然會有很大的震蕩，關鍵就看DDR4顆粒供應緊張能否有所改善了。
關鍵字：內存 DDR4

紫光自主DDR4內存曝光：單條4GB

半導體領域一直是個很大的短板，當然我們也在努力追趕，CPU處理器無論超算還是消費領域都有了突破，內存存儲也在大踏步追趕。
關鍵字：紫光 DDR4

三星第二代10nm級別8Gb DDR4內存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳

　　三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級別(1y-nm)的8Gb DDR4內存顆粒，新的內存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級別(1x-nm)的高30%，然而價格嘛……應該暫時不會降。　　　　新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進的專用電路設計技術，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以后的高頻內存要以360
關鍵字：三星 DDR4

第四季DRAM銷售額預估年增65%,明年首季確定再漲

　　DRAM 內存市場近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。而另一家內存大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續(xù)漲 5% 以上。因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢。如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價，報價已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。　　事實上，當前的第 4 季是傳統(tǒng)
關鍵字： DRAM DDR4

至少到明年一季度！內存價格依舊持續(xù)維持高位

　　近一年多來，內存價格持續(xù)高漲，雖然這一段時間暫時有所平穩(wěn)，漲價的勢頭似乎被遏制住了，但想降價的話短期內還是個夢。　　　　據(jù)博板堂統(tǒng)計，2017年10月份中國區(qū)TOP11內存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續(xù)兩個月倒退。　　原因主要是上游DRAM內存顆粒供應依然十分緊張，而且供貨時間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個市場異常慘淡。　　　　作為內存行業(yè)老大，金士頓缺貨問題非常嚴重，實際出貨時間只有半個月左右，整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低，當月還
關鍵字：內存 DDR4

DDR4快破千！內存價格一路瘋漲：明年形勢依舊

　　上周日,內存的價格波動再次引發(fā)了外界的關注,國內銷量第一的金士頓駭客神條D4-2400飆出779元的新高。　　　　今天,京東上,D4-2133來到829元,D4-2400再次創(chuàng)下799元的新紀錄。　　　　京東的問答區(qū)已經(jīng)完全被漲價淪陷,“破千指日可待”“金子做的嗎”“這么便宜?一千以下不敢買”。　　　　根據(jù)網(wǎng)友的曬單,去年D4-2133條一度刷到了
關鍵字： DDR4 內存

如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩

DDR4是JEDEC組織關于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導致了DDR4芯片引入了一些新的特點，這些新的特點，導致在系統(tǒng)設計中，引入一些新的設計需求。
關鍵字： DDR4 POD

DDR4陣營持續(xù)擴大將首度超越DDR3

　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。　　調研機構ICInsights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
關鍵字： DDR4 DDR3

DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。　　調研機構IC Insights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
關鍵字： DDR4 DRAM

DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

　　內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。　　據(jù)悉，用于服務器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。　　同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備，還會推出低電壓版的LPDDR5內存。　　雖然看起來DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。　　分析師認為，DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域，隨后才會逐漸向下普及。但
關鍵字： DDR5 DDR4

DDR5內存標準正在制定：比DDR4快兩倍！

　　內存標準制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計劃明年定稿。　　據(jù)悉，用于服務器和臺式PC上的DDR5內存速度將是DDR4內存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。　　同時，針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備，還會推出低電壓版的LPDDR5內存。　　雖然看起來DDR5內存非常值得期待，但分析師卻對其前景并不看好，反而認為DDR內存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。　　分析師認為，DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域，隨后才會逐漸向下普及。但
關鍵字： DDR5 DDR4

UltraScale架構DDR4 SDRAM接口的秘密

Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關于DDR4 SDRAM接口的詳細展示，該演示應用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設計將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時降低接口功耗。為了達
關鍵字： UltraScale DDR4

三星/SK海力士/美光加速生產(chǎn)DDR4 出貨將超DDR3

　　三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲器業(yè)者加速生產(chǎn)DDR4DRAM，預估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3，短期內DDR4的價格就會低于相同容量的DDR3。　　據(jù)ETNews報導，支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經(jīng)為PC制造商正式采用于最新產(chǎn)品上，促使存儲器業(yè)者加快速度轉換生產(chǎn)DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。　　日前業(yè)界消息傳出，三星
關鍵字：三星 DDR4

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ddr4介紹

DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內存美國JEDEC 的固態(tài)技術協(xié)會于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細 ]

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8Gb 32位 DDR4 SDRAM
UD408G5S1AF 256Mx32 8Gb 32位 DDR4 SDRAM
256Mx32 8Gb DDR4 SDRAM
8Gb 32位 DDR4 SDRAM
解決DDR4測試的新挑戰(zhàn)
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