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ddr4 文章 進(jìn)入ddr4技術(shù)社區(qū)
紫光國(guó)芯官方確認(rèn) 首款國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存明年上市
- 最近，一張印有紫光國(guó)芯(UniIC)LOGO 的內(nèi)存條出現(xiàn)在了網(wǎng)絡(luò)上，有人稱這就是紫光自主研發(fā)的 DDR4 內(nèi)存。一開(kāi)始大家還不太相信圖片的真實(shí)性，因?yàn)橘N紙上出現(xiàn)了 PC3-12800U 的字樣，對(duì)應(yīng)的其實(shí)是 DDR3 1600 內(nèi)存。但是近日紫光官方竟然主動(dòng)承認(rèn)了，他們表示這雖然不是真的，但是紫光確實(shí)有相關(guān)的計(jì)劃。 近日，紫光國(guó)芯在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上發(fā)出了正式回應(yīng)，他們表示上述關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的報(bào)道并不確切，但是公司現(xiàn)在確實(shí)在開(kāi)展 DDR4存儲(chǔ)芯片和模組的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)工作，而按照計(jì)劃，該
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兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)
- 搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
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三星第二代10nm級(jí)別8Gb DDR4內(nèi)存投產(chǎn)，以后高頻條3600MHz起跳
- 三星剛才宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別(1y-nm)的8Gb DDR4內(nèi)存顆粒，新的內(nèi)存具備更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產(chǎn)能可以比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%，然而價(jià)格嘛……應(yīng)該暫時(shí)不會(huì)降。 新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒采用了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，性能水平與效能會(huì)比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運(yùn)行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說(shuō)以后的高頻內(nèi)存要以360
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第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲
- DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè)觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。 事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
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至少到明年一季度！內(nèi)存價(jià)格依舊持續(xù)維持高位
- 近一年多來(lái)，內(nèi)存價(jià)格持續(xù)高漲，雖然這一段時(shí)間暫時(shí)有所平穩(wěn)，漲價(jià)的勢(shì)頭似乎被遏制住了，但想降價(jià)的話短期內(nèi)還是個(gè)夢(mèng)。 據(jù)博板堂統(tǒng)計(jì)，2017年10月份中國(guó)區(qū)TOP11內(nèi)存品牌總出貨量又下滑了10%左右，連續(xù)兩個(gè)月倒退。 原因主要是上游DRAM內(nèi)存顆粒供應(yīng)依然十分緊張，而且供貨時(shí)間有限，再加上雙11電商備貨影響，整個(gè)市場(chǎng)異常慘淡。 作為內(nèi)存行業(yè)老大，金士頓缺貨問(wèn)題非常嚴(yán)重，實(shí)際出貨時(shí)間只有半個(gè)月左右，整體工廠出貨量創(chuàng)下歷史新低，當(dāng)月還
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DDR4陣營(yíng)持續(xù)擴(kuò)大 將首度超越DDR3
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過(guò)去6年DDR3占比持續(xù)維持第一的
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DDR4將首度超越DDR3 2017年占整體DRAM58%
- 第四代高速DRAM存儲(chǔ)器DDR4自2014年上市以來(lái)，銷售額在整體DRAM存儲(chǔ)器總銷售額中的占比不斷成長(zhǎng)。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(jià)(ASP)跌至約與DDR3相同，當(dāng)年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開(kāi)始向DDR4存儲(chǔ)器靠攏，預(yù)計(jì)2017年全球DDR4銷售額占比將會(huì)揚(yáng)升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結(jié)過(guò)去6年DDR3占比持續(xù)維持第
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計(jì)劃明年定稿。 據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 同時(shí)，針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來(lái)DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對(duì)其前景并不看好，反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。 分析師認(rèn)為，DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
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DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正在制定：比DDR4快兩倍！
- 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開(kāi)始，計(jì)劃明年定稿。 據(jù)悉，用于服務(wù)器和臺(tái)式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多，執(zhí)行效率也更高。 同時(shí)，針對(duì)智能手機(jī)以及筆記本電腦等對(duì)續(xù)航有更高要求的設(shè)備，還會(huì)推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。 雖然看起來(lái)DDR5內(nèi)存非常值得期待，但分析師卻對(duì)其前景并不看好，反而認(rèn)為DDR內(nèi)存時(shí)代將在DDR4生命周期結(jié)束時(shí)謝幕。 分析師認(rèn)為，DDR5會(huì)首先被應(yīng)用于服務(wù)器和高端PC領(lǐng)域，隨后才會(huì)逐漸向下普及。但
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UltraScale架構(gòu)DDR4 SDRAM接口的秘密
- Adrian Cosoroaba和Terry Magee在本月MemCon上給出了關(guān)于DDR4 SDRAM接口的詳細(xì)展示，該演示應(yīng)用于賽靈思UltraScale All Programmable FPGA上。接口設(shè)計(jì)將DDR SDRAM提升至2400Mbps甚至以上，同時(shí)降低接口功耗。為了達(dá)
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三星/SK海力士/美光加速生產(chǎn)DDR4 出貨將超DDR3
- 三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)與美光(Micron)等存儲(chǔ)器業(yè)者加速生產(chǎn)DDR4DRAM，預(yù)估2016年第1季DDR4的出貨量可超越DDR3，短期內(nèi)DDR4的價(jià)格就會(huì)低于相同容量的DDR3。 據(jù)ETNews報(bào)導(dǎo)，支持DDR4的第六代IntelCore處理器(Skylake)已經(jīng)為PC制造商正式采用于最新產(chǎn)品上，促使存儲(chǔ)器業(yè)者加快速度轉(zhuǎn)換生產(chǎn)DDR4DRAM。因此2016年第1季的DDR4DRAM出貨量可望超越DDR3。 日前業(yè)界消息傳出，三星
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ddr4介紹
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公布了雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DDR SDRAM)規(guī)范JESD79 由于它在時(shí)鐘觸發(fā)沿的上下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸所以即使在133MHz的總線頻率下的帶寬也能達(dá)到2.128GB/s DDR 不支持3.3V 電壓的LVTTL [ 查看詳細(xì) ]
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