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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ddr5 dram

又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

  • 韓國媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時(shí)代的更高要求

  • 三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。                                                      &n
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千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

  • 從目前公開的DRAM（內(nèi)存）技術(shù)來看，業(yè)界認(rèn)為，3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一，是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點(diǎn)？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內(nèi)存）單元電路是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成，其中，晶體管負(fù)責(zé)傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
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美光內(nèi)存與存儲是實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿生的理想之選

  • 據(jù) IDC 預(yù)測，從 2021 年到 2027 年，作為數(shù)字孿生的新型物理資產(chǎn)和流程建模的數(shù)量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產(chǎn)行為中的關(guān)鍵要素?cái)?shù)字化并非一種全新概念，但數(shù)字孿生技術(shù)從精確傳感到實(shí)時(shí)計(jì)算，再到將海量數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)為深度洞察，從多方面進(jìn)一步推動了設(shè)備和運(yùn)營系統(tǒng)優(yōu)化，從而實(shí)現(xiàn)擴(kuò)大規(guī)模并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。此外，啟用人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí) (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產(chǎn)品缺陷，實(shí)現(xiàn)出色的整體設(shè)備效率 (OEE)。當(dāng)我們了解了上述需求的復(fù)雜性和面臨的挑戰(zhàn)，就能意識到內(nèi)存與存儲對于實(shí)現(xiàn)數(shù)字孿
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消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息，據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個(gè)引
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢

  • 三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個(gè)新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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存儲器廠憂DRAM漲勢受阻

  • 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔(dān)心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價(jià)共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價(jià)，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點(diǎn)序、十銓、品安、晶豪科等，股價(jià)跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認(rèn)為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進(jìn)制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費(fèi)性電子
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

  • 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價(jià)續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價(jià)。TrendForc
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漲勢延續(xù)，預(yù)估2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅13~18%

  • TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認(rèn)為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。PC DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時(shí)買方預(yù)期DDR4價(jià)格會持續(xù)上漲，帶動買方拉貨動能延續(xù)，然受到機(jī)種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴(kuò)大。不過，由于DDR4及DDR5的售價(jià)均尚未達(dá)到原廠目標(biāo)，加上買方仍可接受第一季續(xù)漲，故預(yù)估整體PC
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SSD九個(gè)季度以來首次上漲 廠商們要持續(xù)漲價(jià)：漲幅55%只是開始

  • 1月1日消息，據(jù)供應(yīng)鏈最新消息稱，SSD產(chǎn)品九個(gè)季度以來首次上漲，而廠商擬2024年1-3月后持續(xù)要求漲價(jià)。數(shù)據(jù)顯示，2023年10-12月期間SSD代表性產(chǎn)品TLC 256GB批發(fā)價(jià)為每臺25.5美元左右、容量較大的512GB價(jià)格為每臺48.5美元，皆較前一季度（2023年7-9月）上漲9%，也都是九個(gè)季度以來（2021年7-9月以來）首度上漲。自2023下半年以來，存儲芯片價(jià)格一直在上漲。雖然DRAM價(jià)格上漲較為溫和，約20%，但NAND閃存價(jià)格在過去兩個(gè)月飆升了60%-70%。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendFo
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全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長

  • 12月22日消息，據(jù)報(bào)道，Adroit Market Research預(yù)計(jì)，全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)將以每年10%的速度增長，到2032年將達(dá)到1530億美元，2023年至2032年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為10.3%。報(bào)告顯示，半導(dǎo)體器件市場將從2022年的$43B增長到2028年的$84.3B，復(fù)合年增長率高達(dá)11.9%。目前的市場表明，到2022年，每輛汽車的半導(dǎo)體器件價(jià)值約為540美元，在ADAS、電氣化等汽車行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數(shù)字將增長至約912美元。電動化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅(qū)
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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導(dǎo)體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星和 SK 海力士都計(jì)劃 2024 年增加半導(dǎo)體設(shè)備投資。三星計(jì)劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當(dāng)前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預(yù)算增加 25%；而 SK 海力士計(jì)劃投資 5.3 萬億韓元（當(dāng)前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報(bào)道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導(dǎo)體設(shè)備投資之外，還提高了 2024 年的產(chǎn)能目標(biāo)。報(bào)道稱三星將 DRAM 和 NAND
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集邦咨詢稱 2024Q1 手機(jī) DRAM、eMMC / UFS 均價(jià)環(huán)比增長 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報(bào)告，預(yù)估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進(jìn)一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機(jī) OEM 的生產(chǎn)規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價(jià)格漲勢明確，帶動買方積極擴(kuò)大購貨需求，以建設(shè)安全且相對低價(jià)的庫存水位。集邦咨詢認(rèn)為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產(chǎn)效應(yīng)作用，這兩大因素促成這一波智能手機(jī)存儲器價(jià)格的強(qiáng)勁漲勢。集邦咨詢認(rèn)為明年第 1 季
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DRAM掀起新一輪熱潮，封裝技術(shù)發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 處理器，無論是 CPU、GPU、FPGA，還是 NPU，要想正常運(yùn)行，都離不開 RAM，特別是 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器），它已經(jīng)成為各種系統(tǒng)（PC，手機(jī)，數(shù)據(jù)中心等）中內(nèi)存的代名詞。根據(jù)應(yīng)用不同，系統(tǒng)對芯片面積和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成標(biāo)準(zhǔn) DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）、LPDDR、GDDR 等，當(dāng)然，主要就是這三類。其中，DDR 是相對于 SDR（單數(shù)據(jù)速率）而言的，將 I/O 時(shí)鐘加倍了，主要為 PC 和數(shù)據(jù)中心的 CPU 服務(wù)，目前已經(jīng)發(fā)展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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DRAM的范式轉(zhuǎn)變歷程

  • 本文總結(jié)和更新了 DRAM 的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢。
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ddr5 dram介紹

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