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Diodes新型綜合繼電器驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化電感性負(fù)載控制

  • Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105綜合繼電器驅(qū)動(dòng)器 (Integrated Relay Driver) ，通過把一個(gè)完整的固態(tài)繼電器驅(qū)動(dòng)器整合于單一的表面貼面封裝，可以盡可能地減少印刷電路板的占板面積、削減組件數(shù)量，并改善電感性負(fù)載控制電路的可靠性。
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Diodes推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)器

  • Diodes公司推出AL5801線性發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)器，僅需兩個(gè)外加組件，就可以為設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化汽車內(nèi)部、指示牌及一般照明控制電路。這款占位小、采用SOT26封裝的器件，把一個(gè)100V額定N通道MOSFET集成于一個(gè)經(jīng)過預(yù)先偏置的NPN晶體管，能驅(qū)動(dòng)由多達(dá)三十個(gè)20mA至350mA低功率串聯(lián)LED組成的鏈路。
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Diodes推出微型高速開關(guān)二極管

  • Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關(guān)二極管，有助大幅降低器件數(shù)量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝，以供顧客選擇。
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Diodes推出微型高速開關(guān)二極管

  • Diodes Incorporated 推出一系列占板面積小、采用低剖面封裝的高速開關(guān)二極管，有助大幅降低器件數(shù)量及電路板面積。新品系列除具備75V、80V及85V的額定擊穿電壓 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封裝，以供顧客選擇。
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Diodes MOSFET使電源供應(yīng)器超越“能源之星”效率目標(biāo)

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設(shè)計(jì)師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動(dòng)二極管。同時(shí)，ZXGD3105N8還能使機(jī)頂盒取得少于100mW的待機(jī)功耗，以及逾87%的滿載效率。
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Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。 　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
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MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計(jì)。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評(píng)級(jí)要求。
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Diodes封裝MOSFET有助于實(shí)現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實(shí)現(xiàn)更低溫度運(yùn)行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對(duì)采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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Diodes負(fù)載開關(guān)提升HDMI端口保護(hù)功能

  • Diodes公司推出AP2331單信道限流負(fù)載開關(guān)。該產(chǎn)品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標(biāo)準(zhǔn)及其它監(jiān)視器接口的保護(hù)功能而優(yōu)化設(shè)計(jì)，適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負(fù)載和可能受短路影響的應(yīng)用。
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Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。
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Diodes超薄型整流器簡(jiǎn)化太陽能電池板設(shè)計(jì)

  • Diodes推出SBR12U45LH超級(jí)勢(shì)壘整流器 (SBR) ，額定電流為12A，以超薄型PowerDI-5SP封裝，為生產(chǎn)新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商，解除設(shè)計(jì)和生產(chǎn)方面的主要顧慮 。
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Diodes偏壓控制及電源管理IC為L(zhǎng)NB設(shè)計(jì)節(jié)省成本

  • Diodes公司針對(duì)單波段衛(wèi)星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
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DIODES在成都高新區(qū)設(shè)立封裝測(cè)試生產(chǎn)基地

  • 　　達(dá)爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區(qū)的生產(chǎn)基地奠基。達(dá)邇科技(成都)有限公司，是由美商達(dá)爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。 　　
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Diodes 40V閘極驅(qū)動(dòng)器減少IGBT開關(guān)損耗

  • 　　Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
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Diodes推出40V 閘極驅(qū)動(dòng)器減少IGBT 開關(guān)損耗

  • Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
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