- Diodes公司推出AL8400線性LED驅動器控制器。它能通過一個外部晶體管精確調節(jié)各種高亮度LED電流。該控制器適用于照明、指示或標牌系統(tǒng)中不同類型的LED串，可直接在2.2V至18V的電壓下工作，并能驅動N溝道MOSFET或NPN雙極晶體管。
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Diodes AL8400
- Diodes公司推出的APM860x鋰電池充電器IC具備一系列安全功能，可為小型便攜式產品的充電過程提供保護。
單通道APM8600和雙通道APM8601能夠持續(xù)監(jiān)控鋰離子和鋰聚合物電池的充電過程，避免出現(xiàn)過壓、充電時間過長或過溫情況，確保手機、媒體播放器及耳機等產品的充電過程安全可靠。新器件提供高達28V的過壓保護，其中APM8601能自動選擇USB或直流輸入，APM8600則為直流輸入唯一的器件?！ ?/li>
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Diodes APM8600 APM8601
- Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經(jīng)過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應用的負載點轉換器提供高效的解決方案。
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Diodes mosfet
- Diodes 公司推出兩款新型低壓差線性穩(wěn)壓器 (LDO)，其額定工業(yè)溫度為攝氏 -40 度至 +85度，適合機頂盒、路由器和LCD顯示器等應用。分別為300mA、150mV 壓降的AP7335和600mA、300mV壓降的AP7365 能夠在以上工業(yè)溫度范圍內提供精度2%的可調及固定輸出電壓操作。
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Diodes 線性穩(wěn)壓器
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Diodes MOSFET
- Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產品，將一個功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時降低大批量計算、通信及工業(yè)應用中快速開關負載點轉換器的工作溫度。
在10V 的VGS電壓下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分別僅為10m? 及8.5m?。這些器件能把通常情況下與低側MOSFET相關的導通
- 關鍵字：
Diodes DIOFET
- iodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產品，將一個功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時降低大批量計算、通信及工業(yè)應用中快速開關負載點轉換器的工作溫度。在基準測試中，DIOFET 的工作溫度與其它競爭解決方案相比低5%。MOSFET 結溫每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。較低的DIOFET器件工作溫度大大提升了負載
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Diodes DIOFET DMS3014SSS DMS3015SSS
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴展了其MOSFET產品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產生正極線和負極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關時引起的雪崩能量而設計。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉換器對基本切換功能的嚴格要求。
Diodes 這次推出的四款產品提供四種不同的行業(yè)標準封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出全新1.5A額定電流降壓轉換器AP5101，其固定開關頻率為1.4MHz，有助于設計人員減少機頂盒、調制解調器以及分布式電源系統(tǒng)等各種類型產品的電路占板面積。
該轉換器憑借更高的工作頻率，有效減少了電感器及其它標準外部元件的尺寸;配合緊湊的SO-8封裝和集成的低RDSON功率MOSFET開關，大大減小了占板空間。外部元件數(shù)量的減少相應提高了電路設計的靈活性。
AP5101降壓轉換器的特點是擁有極低的串聯(lián)電阻，峰值輸出電流保持在1.5A的穩(wěn)定水平，效率高達92%，寬輸入電
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Diodes 降壓轉換器
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。
Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產品的要求。
現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
- Diodes 公司推出旗下首款單柵極邏輯產品陣營。其74LVC1Gxx 系列采用先進的5V CMOS 技術，性能比現(xiàn)有的同類產品更為出色，該系列為用戶提供八個最受歡迎的標準邏輯功能并設有SOT25 和 SOT353 兩種封裝選擇。74LVCE1Gxx系列則是提供相同功能的74LVC1Gxx進階版。
Diodes 74LVC1Gxx 產品系列適用于通信、計算、消費及網(wǎng)絡設備，最初推出的型號包括 AND、NAND、OR、NOR、XOR、 反轉及緩沖功能。這款單柵極產品是業(yè)內標準器件中性價比更高的選擇
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Diodes 單柵極 74LVC1Gxx
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
這對互補性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米，離版高度為0.5毫米，有助于設計出極其纖巧的便攜式產品，還可改善產品的電性能及熱特性。
這些微型晶體管適用于MOSFET和I
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Diodes 晶體管
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設計 (5 matrix emitter Bipolar process)。
這對互補性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面積只有1.1 x 1.4毫米，離版高度為0.5毫米，有助于設計出極其纖巧的便攜式產品，還可改善產品的電性能及熱特性。
這些微型晶體管適用于MOSFET
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Diodes 晶體管 DFN1411-3
- Diodes公司推出六款高可靠性的電流監(jiān)控器產品系列，適用于40V和60V操作。最新的ZXCT108X 器件能檢測高側檢測電阻器中的電流，提供接地參考，從而降低系統(tǒng)電路復雜性及成本。
新器件提供寬電源電壓及共模電壓范圍，適合各種應用。ZXCT1083、ZXCT1085及ZXCT1087 支持2.7V至40V電壓，適用于工業(yè)及計算機電源應用;ZXCT 1082、ZXCT1084和ZXCT1086的額定電壓為2.7V至60V，適合處理汽車負載突降和安全特低壓電路(SELV)。
Diodes 新
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Diodes 電流監(jiān)控器 ZXCT108X
diodes介紹
二極管（同見雙極晶體管，半導體，晶體管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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