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Diodes 40V閘極驅(qū)動(dòng)器減少IGBT開關(guān)損耗

  • 　　Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計(jì)的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動(dòng)器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。 　　當(dāng)輸入電流為 1mA 時(shí)，該閘極驅(qū)動(dòng)器通?？商峁?4A 的驅(qū)動(dòng)電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級(jí)的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個(gè)發(fā)射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(yīng)(latch-up)及貫通問題(shoot-through)，實(shí)現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時(shí)間。 　
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

  • Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes 推出超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

  • Diodes 公司推出首款針對(duì)汽車應(yīng)用的超勢壘整流器（Super Barrier Rectifier，簡稱SBR）系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運(yùn)行區(qū)（SOA）。這些堅(jiān)固耐用的整流器讓汽車設(shè)計(jì)師可提升電機(jī)控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。
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Diodes 超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

  • ????????Diodes 公司推出首款針對(duì)汽車應(yīng)用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運(yùn)行區(qū)(SOA)。這些堅(jiān)固耐用的整流器讓汽車設(shè)計(jì)師可提升電機(jī)控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。 　　獲 AECQ101 認(rèn)證的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
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Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
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Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

  • 　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。 　　
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Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

  • 　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個(gè)獨(dú)立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間?！?/li>
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Diodes高速CMOS邏輯系列提供完善性能升級(jí)

  • 　　Diodes公司推出完整的先進(jìn)高速CMOS邏輯器件系列，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有同類高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件。 　　
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Diodes低功耗電流監(jiān)控器提供精確電流測量

  • 　　Diodes公司推出ZXCT11xx系列低功耗高側(cè)電流監(jiān)控器。新器件的工作電流僅3μA，可為各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)、過載保護(hù)及安全應(yīng)用提供精確、高效的負(fù)載電流測量。 　
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Diodes公司推出新型APX4558雙通道運(yùn)算放大器

  • 　　Diodes公司推出新型APX4558雙通道運(yùn)算放大器，其輸入噪聲低至8nV/√Hz，無需增加物料清單成本也可滿足更高的音頻性能要求。 　　APX4558的先進(jìn)性能加上高達(dá)3MHz的單位增益帶寬，使其適用于成本特別敏感的各種音頻產(chǎn)品，如機(jī)頂盒和前置放大器。 　　Diodes為新器件提供兩種不同版本，包括工作溫度范圍為0º至 70ºC的APX4558商業(yè)級(jí)器件，以及工作溫度范圍-40ºC至105ºC的APX4558I工業(yè)級(jí)器件。兩款新器件均采用
  • 關(guān)鍵字： Diodes  運(yùn)算放大器  APX4558  

Diodes高電流閘驅(qū)動(dòng)器將開關(guān)損耗減至最低

  • 　　Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A柵極驅(qū)動(dòng)器，在電源、太陽能逆變器和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路中，實(shí)現(xiàn)超快速的功率MOSFET及 IGBT負(fù)載切換。這款非逆轉(zhuǎn)的閘驅(qū)動(dòng)器具有完善的射極跟隨器配置，可提供少于10ns的傳遞延遲時(shí)間，和少于20ns的升降時(shí)間，從而減少開關(guān)損耗、簡化電路設(shè)計(jì)和改善系統(tǒng)的整體可靠性。 　　
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Diodes擴(kuò)展其超勢壘整流器系列

  • 　　Diodes公司推出采用緊湊PowerDI5封裝的額定12A和15A器件，擴(kuò)展了其專利的超勢壘整流器(SBR)系列。新器件可用作空間有限的開關(guān)模電源設(shè)計(jì)的輸出整流器，具備超低正向壓降特性，無論在效率或冷卻運(yùn)行方面都超過了標(biāo)準(zhǔn)肖特基二極管。 　　
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Diodes 為下一代高壓整流器開發(fā)全新工藝平臺(tái)

  • 　　Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺(tái)。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆(Oldham)的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-LED電視電源的高效率600V、8A整流器。 　　
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Diodes開發(fā)出制造高壓整流器的專用平臺(tái)

  • 　　Diodes公司宣布開發(fā)出一種用于制造下一代高壓整流器的專有工藝平臺(tái)。這種命名為DIODESTAR的工藝是由Diodes設(shè)在英國奧爾德姆(Oldham)的晶圓制造廠開發(fā)的，并已開始交付第一款器件——一款用于LCD-LED電視電源的高效率600V、8A整流器。 　　
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Diodes推出低壓差線性穩(wěn)壓器

  • 　　Diodes公司推出具有低壓差和低靜態(tài)電流的全新線性穩(wěn)壓器，適用于延長電池壽命為關(guān)鍵設(shè)計(jì)要素的低功耗手持產(chǎn)品設(shè)計(jì)。150mA的AP7312和300mA的AP7332兩款新型雙固定輸出器件壓差值分別為150mV和300mV，典型額定靜態(tài)電流僅為60μA?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Diodes  線性穩(wěn)壓器  AP7312  AP7332  
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