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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> emmc nandrive

江波龍車規(guī)級(jí)/工業(yè)寬溫級(jí)/工規(guī)級(jí) eMMC

  • 受原廠減產(chǎn)，以及需求逐步復(fù)蘇的影響拉動(dòng)，目前半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上行周期，存儲(chǔ)晶圓以及存儲(chǔ)器的價(jià)格均較年初有明顯上升，半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)目前處于上行復(fù)蘇周期。江波龍作為存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)先廠商，公司在eMMC向UFS過(guò)渡關(guān)鍵時(shí)點(diǎn)仍然擁有領(lǐng)先的市場(chǎng)地位及技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司持續(xù)對(duì)UFS標(biāo)準(zhǔn)的新一代嵌入式存儲(chǔ)器投入研發(fā)，公司已經(jīng)量產(chǎn)出貨UFS系列產(chǎn)品。隨著工業(yè)經(jīng)濟(jì)建設(shè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)品在工業(yè)控制領(lǐng)域的重要性逐漸突顯，形成如今相對(duì)專業(yè)和獨(dú)立的地位。與浮動(dòng)較多的消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)相比，更為穩(wěn)定的工控市場(chǎng)已經(jīng)成為了存儲(chǔ)企業(yè)的必爭(zhēng)之地。&nbs
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綠芯將在2024嵌入式展會(huì)展示其新推出的eMMC和NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤

  • 綠芯將于4月9日至11日在德國(guó)紐倫堡舉行的2024年嵌入式世界展會(huì) ((embedded world 2024)，4A號(hào)館606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性價(jià)比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive?球柵陣列（BGA）固態(tài)硬盤，該產(chǎn)品用于工業(yè)控制和智能交通等高可靠應(yīng)用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列專門為價(jià)格敏感但是要求高可靠的應(yīng)用而準(zhǔn)備，工作在寬溫（-25oC至+85oC）環(huán)境下，支持3千擦寫次數(shù)。NVMe NANDrive PX系列工
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綠芯為工業(yè)控制和智能交通應(yīng)用的客戶提供高可靠NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤樣品

  • 綠芯正在提供其新推出的NVMe NANDrive??BGA封裝的固態(tài)硬盤樣品，以滿足其用戶在高壓力、嚴(yán)苛工作環(huán)境的嵌入式應(yīng)用中要求高可靠、高性能的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。NVMe NANDrive固態(tài)硬盤工作溫度-40oC至+95oC，支持PCIe Gen3x4接口，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的M.2 1620（16 x 20mm，291球）BGA封裝。欲了解更多NVMe NANDrive 產(chǎn)品信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://bit.ly/NVMe-BGA-SSD。綠芯總經(jīng)理王序倫表示："基于綠芯在PATA、SA
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綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價(jià)比VX系列固態(tài)硬盤，以擴(kuò)展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合

  • EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達(dá)40萬(wàn)擦寫次數(shù)； 高性價(jià)比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作中國(guó)，北京和美國(guó)，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 綠芯半導(dǎo)體新推出的高性價(jià)比VX系列為其客戶提供更廣泛的、高可靠的eMMC固態(tài)硬盤。eMMC NANDrive? VX系列采用153球封裝，搭配高可靠的3D TLC NAND (每單元3bit)，可在寬溫 (-25oC - +85oC)
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

  • 簡(jiǎn)單解釋ROMROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開(kāi)機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過(guò)cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場(chǎng)完成。RAMRAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
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Arasan宣布其臺(tái)積公司22nm工藝的完整eMMC IP解決方案

  • 領(lǐng)先的移動(dòng)和汽車SoC半導(dǎo)體IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亞州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺(tái)積公司（TSMC）行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴(kuò)展其IP產(chǎn)品，用于臺(tái)積公司22nm工藝SoC設(shè)計(jì)的eMMC PHY IP立即可用。臺(tái)積公司22nm工藝中的eMMC PHY IP可與Arasan的eMMC 5.1主機(jī)控制器IP和軟件無(wú)縫集成，從
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西數(shù)推出iNAND IX EM132嵌入式工業(yè)級(jí)eMMC SSD

  • 2019年，西部數(shù)據(jù)（WD）推出了首款面向工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的嵌入式 eMMC 存儲(chǔ)設(shè)備，它就是 iNAND IX EM132 驅(qū)動(dòng)器。?其基于該公司的 64 層 BiCS3 3D TLC NAND 閃存打造，讀速高達(dá) 310 MB/s，輔以專為嵌入式、商業(yè)、工業(yè)等用途而設(shè)計(jì)的各項(xiàng)功能，提升了整體的可靠性和耐用性。
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關(guān)于NAND閃存大科普

  • 　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開(kāi)創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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如何快速?gòu)膃MMC轉(zhuǎn)移到UFS？

  • 在高速數(shù)字接口中，并行總線越來(lái)越少。原因很簡(jiǎn)單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸，抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不
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買個(gè)32G內(nèi)存的手機(jī)為啥只有20幾個(gè)G？看完你就懂了

  • 　　現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)，就是各類移動(dòng)終端及手機(jī)的主要存儲(chǔ)介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲(chǔ)芯片的實(shí)際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?　　我們總是在說(shuō)手機(jī)內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲(chǔ)的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲(chǔ)介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級(jí)版,他的結(jié)構(gòu)如下：　　    　　我們接觸到的16G、32G等手機(jī)，為何實(shí)際
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ARM平臺(tái)數(shù)據(jù)為何會(huì)莫名其妙丟失

  • 　　Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域。　　   　　圖1 Nand-Flash與eMMC芯片　　1.1存儲(chǔ)器件使用壽命　　使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的
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eMMC使命完成，UFS時(shí)代來(lái)臨，如何快速?gòu)膃MMC轉(zhuǎn)移到UFS

  • eMMC使命完成，UFS時(shí)代來(lái)臨，如何快速?gòu)膃MMC轉(zhuǎn)移到UFS-在高速數(shù)字接口中，并行總線越來(lái)越少。原因很簡(jiǎn)單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級(jí)建置時(shí)已經(jīng)遭遇到實(shí)體瓶頸，抖動(dòng)、串?dāng)_、信號(hào)偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅降低并行總線持續(xù)建立時(shí)間窗口，從而限制系統(tǒng)帶寬的進(jìn)一步提升。
  • 關(guān)鍵字： emmc  ufs  數(shù)字接口  

吹牛必備常識(shí)之——“華為P10閃存門”中的UFS和eMMC究竟是啥?

  • 華為P10“閃存門”其實(shí)就是一些消費(fèi)者在購(gòu)買P10手機(jī)后，經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，華為P10系列手機(jī)閃存速度出現(xiàn)了明顯差異的情況。用戶測(cè)試結(jié)果顯示，有部分手機(jī)的閃存速度約為200MB/秒，而根據(jù)網(wǎng)上公布的評(píng)測(cè)參數(shù)來(lái)看，以華為官方配置的P10實(shí)際速度應(yīng)該可以達(dá)到800MB/秒左右。而最終測(cè)試的結(jié)論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問(wèn)題。
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手機(jī)儲(chǔ)存的未來(lái)：eMMC快速轉(zhuǎn)向UFS

  • 隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動(dòng)裝置上的普及，以及手機(jī)處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動(dòng)裝置對(duì)于內(nèi)存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲(chǔ)存(UFS)規(guī)格應(yīng)運(yùn)而生。
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UFS可望5年內(nèi)取代eMMC 成為移動(dòng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存新主流

  • 　　通用快閃存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)(UFS)可望取代eMMC，成為移動(dòng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)新主流，將成為未來(lái)旗艦手機(jī)標(biāo)準(zhǔn)配備，吸引存儲(chǔ)器控制芯片廠群聯(lián)與慧榮爭(zhēng)相推出產(chǎn)品卡位。 　　隨著4K影音與虛擬實(shí)境等技術(shù)日漸成熟，引爆旗艦智能手機(jī)對(duì)更高速、超高畫質(zhì)影音的儲(chǔ)存需求，研調(diào)機(jī)構(gòu)IHS預(yù)期，UFS可望在5年內(nèi)取代eMMC，成為移動(dòng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng)新主流。 　　瞄準(zhǔn)UFS未來(lái)發(fā)展?jié)摿Γ郝?lián)搶在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快閃存儲(chǔ)器控制芯片PS8311，預(yù)計(jì)今年第1季量產(chǎn)出貨;群聯(lián)并計(jì)劃今年再推出一系列UFS芯片
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emmc nandrive介紹

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