emi 文章 進(jìn)入emi技術(shù)社區(qū)
怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成:1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
尋找EMC對(duì)策,關(guān)鍵在于實(shí)際產(chǎn)品與理論相結(jié)合
- 現(xiàn)在,受到EMC(電磁兼容性)問題困擾的技術(shù)人員越來越多。這是因?yàn)殡S著產(chǎn)品向多功能化、高功能化和高速化發(fā)展,EMC對(duì)策的難度也與日俱增。車載電子產(chǎn)品稱得上是一個(gè)典型的代表。對(duì)此,日本Qualtec可靠性測(cè)試中心所長(zhǎng)前野剛指出:“只要掌握了訣竅,就能找到EMC解決方法。”圍繞EMC對(duì)策當(dāng)前的課題和對(duì)策的重點(diǎn),前野所長(zhǎng)接受了記者采訪。 ——聽說以車載電子產(chǎn)品為代表,對(duì)于最近的電子產(chǎn)品,很多電路設(shè)計(jì)人員都在為EMC對(duì)策犯愁。首先請(qǐng)您用外行也能理解的語言,
- 關(guān)鍵字: EMC EMI
注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分
- 在不要求主級(jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí),SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)?。在要求短路電路保護(hù)時(shí),我們可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流,從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?如圖 1 所示)可使用兩個(gè)單獨(dú)的電感(或者由于電感的電壓波形類似),因此還可以使用一個(gè)耦合電感,如圖所示。因其體積和成本均小于兩個(gè)單獨(dú)的電感,耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對(duì)全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。
- 關(guān)鍵字: SEPIC EMI
電容感測(cè):你應(yīng)該選擇哪個(gè)架構(gòu)?
- 電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳,從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別,到液面感測(cè)。無論是哪種應(yīng)用,電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同,你也許需要不同的方法來測(cè)量這個(gè)變化。在這篇博文章,我將介紹2個(gè)特定的架構(gòu)類型—開關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當(dāng)前一種用于電容感測(cè)的電路?! ¢_關(guān)電容器電路 圖1顯示的是針對(duì)電容感測(cè)的經(jīng)簡(jiǎn)化電路,它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開關(guān)執(zhí)行采樣保持運(yùn)行。在采樣之間,傳感器電感器上的電荷的變化會(huì)導(dǎo)致輸出電壓的變化
- 關(guān)鍵字: 電容 EMI
PowerLab 筆記:如何避免傳導(dǎo) EMI 問題
- 這里,我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況?! ?.只需幾fF的雜散電容就會(huì)導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講,開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會(huì)產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時(shí),會(huì)有少量電流直接泵送至電源線?! ?.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過,兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比,與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節(jié)點(diǎn),并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。想想電路布局中該節(jié)點(diǎn)的表面積是多少,
- 關(guān)鍵字: EMI
手把手硬件電路詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 獻(xiàn)給那些剛開始或即將開始設(shè)計(jì)硬件電路的人。時(shí)光飛逝,離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時(shí)候,與你一樣,俺充滿了疑惑同時(shí)又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗(yàn)、知識(shí)讓人目不暇接。像信號(hào)完整性,EMI,PS設(shè)計(jì)準(zhǔn)會(huì)把你搞暈。別急,一切要慢慢來。 1)總體思路。設(shè)計(jì)硬件電路,大的框架和架構(gòu)要搞清楚,但要做到這一點(diǎn)還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好,自己只是把思路具體實(shí)現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計(jì)框架的,那就要搞清楚要實(shí)現(xiàn)什么功能,然后找找有否能實(shí)現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
- 關(guān)鍵字: EMI BOM
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
高速PCB設(shè)計(jì)EMI之九大規(guī)則
- 隨著信號(hào)上升沿時(shí)間的減小及信號(hào)頻率的提高,電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注,幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是九大規(guī)則: 規(guī)則一:高速信號(hào)走線屏蔽規(guī)則 在高速的PCB設(shè)計(jì)中,時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號(hào)線,走線需要進(jìn)行屏蔽處理,如果沒有屏蔽或只屏蔽了部分,都會(huì)造成EMI的泄漏。建議屏蔽線,每1000mil,打孔接地。 規(guī)則二:高速信號(hào)的走線閉環(huán)規(guī)則 由于PCB板的密度越來越高,很多PCB LAY
- 關(guān)鍵字: PCB EMI
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時(shí),我有機(jī)會(huì)聽到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講,談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字: GaN EMI
8種經(jīng)典汽車行駛行駛記錄儀方案設(shè)計(jì),軟硬件協(xié)同
- 汽車行駛記錄儀,俗稱汽車黑匣子,是對(duì)車輛行駛速度、時(shí)間、里程以及有關(guān)車輛行駛的其他狀態(tài)信息進(jìn)行記錄、存儲(chǔ)并可通過接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出的數(shù)字式電子記錄裝置。開車時(shí)邊走邊錄像,同時(shí)把時(shí)間、速度、所在位置都記錄在錄像里,相當(dāng)“黑匣子”。 基于MCU的無線行駛記錄儀硬軟件設(shè)計(jì) 本文在實(shí)現(xiàn)無線行駛記錄儀無線通信方案時(shí),選用基于Wi‐Fi通信模塊組成WLAN網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)記錄儀的無線通信。無線行駛記錄記錄儀可用于所有類型車輛,特別適用于企事業(yè)單位,如:擁有大型車隊(duì)的物流公司、場(chǎng)站、機(jī)場(chǎng)、
- 關(guān)鍵字: SP2338 EMI
PCB設(shè)計(jì)技巧技術(shù)文獻(xiàn)集錦,包括布線、EMI、后期檢查等
- PCB( Printed Circuit Board),中文名稱為印制電路板,又稱印刷線路板,是重要的電子部件,是電子元器件的支撐體,是電子元器件電氣連接的載體。由于它是采用電子印刷術(shù)制作的,故被稱為“印刷”電路板。 淺談PCB電磁場(chǎng)求解方法及仿真軟件 本文旨在工程描述一些電磁場(chǎng)求解器基本概念和市場(chǎng)主流PCB仿真EDA軟件,更為深入的學(xué)習(xí)可以參考計(jì)算電磁學(xué)相關(guān)資料。 PCB設(shè)計(jì)中的高頻電路布線技巧 PCB板層數(shù)越高,制造工藝越復(fù)雜,單位成本也就越高,這就
- 關(guān)鍵字: 布線 EMI
如何解決多層PCB設(shè)計(jì)時(shí)的EMI
- 解決EMI問題的辦法很多,現(xiàn)代的EMI抑制方法包括:利用EMI抑制涂層、選用合適的EMI抑制零配件和EMI仿真設(shè)計(jì)等。本文從最基本的PCB布板出發(fā),討論P(yáng)CB分層堆疊在控制EMI輻射中的作用和設(shè)計(jì)技巧。 電源匯流排 在 IC的電源引腳附近合理地安置適當(dāng)容量的電容,可使IC輸出電壓的跳變來得更快。然而,問題并非到此為止。由于電容呈有限頻率響應(yīng)的特性,這使得電容無法 在全頻帶上生成干凈地驅(qū)動(dòng)IC輸出所需要的諧波功率。除此之外,電源匯流排上形成的瞬態(tài)電壓在去耦路徑的電感兩端會(huì)形成電壓降,這些瞬態(tài)
- 關(guān)鍵字: PCB EMI
也來談?wù)凟MI和EMC電路中磁珠和電感的不同作用
- 磁珠和電感在解決EMI和EMC方面各與什么作用,首先我們來看看磁珠和電感的區(qū)別,電感是閉合回路的一種屬性,多用于電源濾波回路,而磁珠主要多 用于信號(hào)回路,用于EMC對(duì)策磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾,而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來吸收超高頻信號(hào),象一些RF電 路,PLL,振蕩電路,含超高頻存儲(chǔ)器電路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在電源輸入部分加磁珠,兩者都可用于處理EMC、EMI問題。 磁 珠和電感在EMI和EMC電路中關(guān)鍵是是對(duì)高頻傳導(dǎo)干擾信號(hào)進(jìn)行抑制,也有抑制
- 關(guān)鍵字: EMI EMC 磁珠 電感
電子醫(yī)療設(shè)備EMI問題減少的設(shè)計(jì)方法
- 設(shè)備設(shè)計(jì)者一直要求獲得具有更小封裝的SMPS。更小的EMI濾波器不僅能夠在電磁發(fā)射到達(dá)主線前有效的降低其量級(jí),還能夠減少主線濾波器的體積。模塊 化的SMPS使設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)醫(yī)療設(shè)備時(shí)具有更大的靈活性。在重新設(shè)計(jì)或升級(jí)過程中,可以使用更高功率級(jí)別模塊化SMPS替換原SMPS,而無需對(duì)支持 SMPS和設(shè)備的電氣機(jī)械系統(tǒng)進(jìn)行重新設(shè)計(jì)。 使用基底噪聲濾波器降低傳導(dǎo)發(fā)射量級(jí) 基底噪聲濾波器與傳導(dǎo)線濾波器的聯(lián)合之下,基底噪聲通過傳導(dǎo)線濾波器被導(dǎo)入地下,在基底噪聲進(jìn)入建筑設(shè)施接地系統(tǒng)前,它將被有效減少。這
- 關(guān)鍵字: EMI SMPS
汽車電子極近場(chǎng)EMI掃描技術(shù)方案
- 導(dǎo)讀: 汽車廠商往往采用最新的消費(fèi)電子系統(tǒng)來體現(xiàn)與其他廠商汽車的差異化,該系統(tǒng)必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動(dòng)力系統(tǒng)、安全系統(tǒng)和其它汽車控制系統(tǒng)也都有同樣的要求,一旦出現(xiàn)故障,這些系統(tǒng)會(huì)導(dǎo)致更加嚴(yán)重的后果。 汽車廠商往往采用最新的消費(fèi)電子系統(tǒng)來體現(xiàn)與其他廠商汽車的差異化,該系統(tǒng)必須在各種苛刻的條件下都能正常工作。動(dòng)力系統(tǒng)、安全系統(tǒng)和其它汽車控制系統(tǒng)也都有同樣的要求,一旦出現(xiàn)故障,這些系統(tǒng)會(huì)導(dǎo)致更加嚴(yán)重的后果。 汽車電子系統(tǒng)對(duì)于供應(yīng)商提供的芯片和印制電路板的電磁輻射特別敏感。因此,SA
- 關(guān)鍵字: EMI EMI
emi介紹
EMI(Electro Magnetic Interference)直譯是電磁干擾。這是合成詞,我們應(yīng)該分別考慮"電磁"和"干擾"。
所謂"干擾",指設(shè)備受到干擾后性能降低以及對(duì)設(shè)備產(chǎn)生干擾的干擾源這二層意思。第一層意思如雷電使收音機(jī)產(chǎn)生雜音,摩托車在附近行駛后電視畫面出現(xiàn)雪花,拿起電話后聽到無線電聲音等,這些可以簡(jiǎn)稱其為與"BC I""TV I""Tel I",這些縮寫中都有相同的" [ 查看詳細(xì) ]
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473