epc gan fet 文章進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區(qū)

ST：發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出，由于全球能源需求正在不斷成長，我們必須控制碳排放，并將氣溫上升控制在1.5度以下，減排對此非常重要，但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持，包括可再生能源的利用，ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部（ADG）執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說，如果能將電力利用效率提升1%，就能節(jié)省95.
關(guān)鍵字： ST GaN SiC

安森美剝離晶圓制造廠達(dá)成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)

安森美（onsemi）正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略，最終目標(biāo)是透過擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的財(cái)務(wù)業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議，將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡(luò)內(nèi)更高效的晶圓廠，安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示：「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路，同時為我們的客戶提供長期的供應(yīng)保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機(jī)
關(guān)鍵字：安森美晶圓制造廠 GaN

基于GaN的高功率密度快充正快速成長

1? ?看好哪類GaN功率器件的市場？2020—2021 年硅基氮化鎵（GaN）開關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前（編者注：指2016 年）市場的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化，其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的，技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個。我個人看好的未來5 年（編者注：指2022—2027 年）的氮化鎵應(yīng)用，包括：快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達(dá)等，其中快充會繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場成長。相對于硅
關(guān)鍵字： 202201 GaN 英飛凌

ST已經(jīng)做好部署，準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但長期以來，由于工藝、成本等因素制約，GaN還處于Si（硅）和SiC（碳化硅）應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里，GaN的市場前景將如何？GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破？為此，本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè)，介紹一下GaN功率器件的新動向。
關(guān)鍵字： 202201 GaN

GaN功率芯片走向成熟，納微GaNSense開啟智能集成時代

GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領(lǐng)域，處于常規(guī)的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何？GaN技術(shù)有何新突破？不久前，消費(fèi)類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會，電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖從左至右：納微半導(dǎo)體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘
關(guān)鍵字： GaN 集成 202201

蘋果證實(shí)：新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

　　10月19日消息，據(jù)The Verge報道，蘋果公司向其證實(shí)，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?！　∨c傳統(tǒng)充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率?！　〈送?，蘋果公司還確認(rèn)，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn)，這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電?！　⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架?！　∑渲校?40W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉(zhuǎn)MagSa
關(guān)鍵字：蘋果電源適配器 GaN 充電器

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG

研華Arm-based邊緣智能網(wǎng)關(guān) 協(xié)助儲能企業(yè)打造穩(wěn)定高效的電池管理系統(tǒng)(BMS)方案

應(yīng)對全球變暖問題，研華整合軟硬件和服務(wù)，開發(fā)了可應(yīng)用于儲能系統(tǒng)的邊緣智能解決方案，攜手綠色能源產(chǎn)業(yè)鏈的各方伙伴，有效提升家庭、商業(yè)、工業(yè)區(qū)、城市使用綠色能源效益，為追求可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)一己之力。項(xiàng)目背景客戶的儲能柜部署在全球各個地區(qū)，當(dāng)設(shè)備出現(xiàn)故障時運(yùn)維成本非常昂貴，客戶希望保證儲能柜的控制系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)行，并支持災(zāi)難恢復(fù)、雙機(jī)熱備和基于Azure云平臺的實(shí)時在線監(jiān)控功能。痛點(diǎn)需求●? ?設(shè)備部署在偏遠(yuǎn)地區(qū)，運(yùn)行和維護(hù)成本高●? ?系統(tǒng)故障后不能自動恢復(fù)●?
關(guān)鍵字：研華邊緣智能網(wǎng)關(guān) WISE-DeviceOn/Commbridge EPC-R3220 EPC-R4710

InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

　　2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計(jì)?！　⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成
關(guān)鍵字： PI InnoSwitch?3-PD GaN

TI推出全新GaN技術(shù)，攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計(jì)難題，降低總所有成本
關(guān)鍵字： GAN TI 電源供應(yīng)器

集邦咨詢：新能源車需求助攻GaN功率元件

TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升，驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增，使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬美元，年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品，至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
關(guān)鍵字：新能源車 GaN 功率元件

ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
關(guān)鍵字： ST Exagan GaN

憑借快充出圈的氮化鎵，為什么這么火？

氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費(fèi)者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
關(guān)鍵字：氮化鎵快充 GaN

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
關(guān)鍵字： SiC FET PFC