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“中國芯”入資法國半導(dǎo)體公司

  • 中國芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受國際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點企業(yè)的兼并重組及海外收購，培育具有核心競爭力的大型企業(yè)，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國創(chuàng)新藍(lán)圖

  • 　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會中介紹了該公司在中國市場的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會發(fā)言人包括Soitec公司市場和業(yè)務(wù)拓展部高級副總裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級副總裁Christophe Maleville。會上主要討論的問題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國半導(dǎo)體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  • 　　蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。 　　據(jù)SemiWiki報導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產(chǎn)1萬片晶圓，規(guī)模相對小且老舊，無法生產(chǎn)蘋果所需的應(yīng)用處理器(AP)。 　　蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

  • 　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　   　　Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 　　不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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中國石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

  • 可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展：設(shè)計了Ni/Cu體系，利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實現(xiàn)了對石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。 　
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哪些半導(dǎo)體公司會成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

  • 　　美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 　　   　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
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格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場提供了一個最佳解決方案。 　　雖然某些設(shè)備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

  • 　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術(shù)實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。 　　
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

  • 　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶，有越來越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。 　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點采用
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點？

  • 　　身為記者，我有時候會需要經(jīng)過一系列的資料收集──通常包含非正式評論、隨機事實(random facts)、推特文章、研討會/座談會資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個例子。 　　我從美國旅行到中國接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個不容易了解的名詞，逐漸變得越來越“有形”。關(guān)于這個技術(shù)，我在最近這幾個星期所收集到的隨機
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Peregrine半導(dǎo)體公司在大中華市場推出UltraCMOS? 單片相位幅度控制器

  • 　　Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻 SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的奠基者和先進(jìn)射頻解決方案的先驅(qū)，宣布在大中華市場推出該公司的新系列UltraCMOS?單片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC產(chǎn)品中集成了一個90度混合分離器、移相器、數(shù)字步進(jìn)衰減器以及一個數(shù)字SPI接口，全部做在一塊芯片上。與多芯片的砷化鎵(GaAs)解決方案比較，這種單片射頻控制器的線性度高，隔離性能好，能夠控制很大的功率，相位調(diào)諧靈活性極強，對于兩路動態(tài)負(fù)載調(diào)制放大器結(jié)構(gòu)，例如多爾蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射頻控制方案
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華虹半導(dǎo)體推出0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計工具包

  • 　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠-華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團」)今日宣布推出全新的0.2微米射頻SOI (絕緣體上硅)工藝設(shè)計工具包(Process Design Kit，PDK)。這標(biāo)志著新的0.2微米射頻SOI工藝平臺已成功通過驗證，并正式投入供客戶設(shè)計開發(fā)使用。工藝設(shè)計工具包(PDK)的推出可協(xié)助客戶快速完成高質(zhì)量射頻器件的設(shè)計與流片。 　　華虹半導(dǎo)體的0.2微米SOI工藝平臺是專為無線射頻前端開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的工藝解決方案。相比基于砷化鎵(GaAs)
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布2013年企業(yè)可持續(xù)發(fā)展報告

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體公布了2013年可持續(xù)發(fā)展報告(Sustainability Report)。意法半導(dǎo)體連續(xù)17年公布可持續(xù)發(fā)展報告。報告內(nèi)容全面地介紹意法半導(dǎo)體在2013年實施的可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、政策和業(yè)績，并例證了可持續(xù)發(fā)展計劃如何在企業(yè)經(jīng)營中發(fā)揮重要作用，為所有的利益相關(guān)者創(chuàng)造價值。 　　意法半導(dǎo)體公司總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti表示：“意法半導(dǎo)體在很早之前就認(rèn)識到了可持續(xù)發(fā)展的重要性，20年來，可持續(xù)發(fā)展已成為意法半導(dǎo)體核心戰(zhàn)略的
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IBM針對RF芯片代工升級制程技術(shù)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： IBM  RF芯片  代工升級  制程技術(shù)  SiGe  SOI  
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