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Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計創(chuàng)新會議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

  • 　　Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人、先進的射頻解決方案之先驅(qū)，今天，在電子設(shè)計創(chuàng)新會議(EDI?CON?2014)上，宣布UltraCMOS?Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS?Global?1是行業(yè)中第一個可重構(gòu)射頻前端(?RFFE?)系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS?Global?1是單一平臺的設(shè)計──?
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非制冷紅外焦平面陣列電路設(shè)計

  • 　　針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設(shè)計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調(diào)制積分(GMI)結(jié)構(gòu)，將探測器輸出電壓信號轉(zhuǎn)化為電流信號進行積分。設(shè)計了虛擬電流源結(jié)構(gòu)，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設(shè)計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結(jié)果表明：動態(tài)輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
  • 關(guān)鍵字： 紅外  ROIC  CMOS  SOI  GMI  201404  

東芝推出智能手機專用射頻天線開關(guān)

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布開發(fā)出一種帶MIPI?RFFE接口的SP10T射頻天線開關(guān)，其插入損耗堪稱智能手機市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小。該產(chǎn)品即日起交付樣品。
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不懈追尋科技引領(lǐng)智能生活理念

  • 電子技術(shù)的變革，讓人們的生活不斷智能化，智能化手機，電視，家居，汽車甚至機器人和人體輔助設(shè)備等。意法半導(dǎo)體追尋的理念就是科技引領(lǐng)智能生活，意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼數(shù)字融合事業(yè)部總經(jīng)理GIAN LUCA BERTINO，論述ST在智能電視和智能化家居方面的企業(yè)戰(zhàn)略及技術(shù)演進。
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FD-SOI: 下一代NovaThor平臺的助力器

  • 隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

  • 　　在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會上，產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術(shù)藍圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點，直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 　　根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術(shù)問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現(xiàn)差不多，F(xiàn)
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ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

  • 　　12月13日，意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時，而不犧牲電池的使用壽命的情況下，嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗，意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn)，滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。 　　FD-SOI技術(shù)平臺包括全功能且經(jīng)過硅驗證的設(shè)計平臺和設(shè)
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意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺的研發(fā)上又向前邁出一大步，即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點提供平面全耗盡技術(shù)的能力。
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華潤上華第二代200V SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)

  • 　　華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
  • 關(guān)鍵字： 華潤微電子  半導(dǎo)體  SOI  

華潤上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺階

  • 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性價比的第二代SOI工藝實現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，由華潤上華在2010年實現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級，達到更高的性價比，這在國內(nèi)尚屬首家。
  • 關(guān)鍵字： 華潤上華  SOI   CDMOS  

意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)宣布，引領(lǐng)全球半導(dǎo)體技術(shù)升級的半導(dǎo)體代工廠商 GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導(dǎo)體專有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅)技術(shù)為意法半導(dǎo)體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網(wǎng)功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設(shè)
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利用200V SOI工藝有效降低LED TV背光方案成本

  • CCFL和LED是當前LCD僅有的兩種背光源，CCFL是傳統(tǒng)的背光方式，而LED作為LCD背光的后起之秀，正在迅速搶占LCD背光市場。電視機廠商和面板廠商之所以積極推動LED背光液晶電視，原因在于全球各國的耗電量規(guī)定以及其環(huán)保
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基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路設(shè)計

  • 隨著智能功率IC的發(fā)展.其應(yīng)用領(lǐng)域和功能都在不斷地擴展。而作為智能功率IC中的重要一類柵驅(qū)動IC在功率開關(guān)、顯示驅(qū)動等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在柵驅(qū)動電路中需要電平位移電路來實現(xiàn)從低壓控制輸入到高壓驅(qū)動輸出的電平轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： 電平  位移  電路設(shè)計  技術(shù)  集成  SOI  高壓  基于  

基于SOI和體硅的FinFET對比研究

  • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點外觀的發(fā)展，一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維（3D）FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管，F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效應(yīng)。當平面晶體管的柵極在溝道之上，F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道，從雙向提供靜電控制。
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ARM發(fā)布45納米SOI測試結(jié)果，最高節(jié)能40%

  • 　　ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結(jié)果。結(jié)果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應(yīng)工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應(yīng)微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結(jié)果證實了在為高性能消費設(shè)備和移動應(yīng)用設(shè)計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應(yīng)工藝的可行技術(shù)。 　
  • 關(guān)鍵字： ARM  45納米  SOI  
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