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傳梁孟松加盟中芯國(guó)際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺(tái)灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動(dòng)作。據(jù)報(bào)道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國(guó)際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國(guó)際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來(lái)自臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺(tái)積電資深研發(fā)處長(zhǎng)。 　　之前蔣尚義加入中芯時(shí)，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無(wú)論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)還是在臺(tái)積電的任職時(shí)間來(lái)看，他都堪稱元老。在臺(tái)積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺(tái)積電16年
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FinFET之父胡正明談人才培育

  • 　　潘文淵文教基金會(huì)日前舉行“潘文淵獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮，2016年的得獎(jiǎng)人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺(tái)擔(dān)任臺(tái)積電首任技術(shù)長(zhǎng)，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來(lái)的最大變革。 　　胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育，為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎(jiǎng)典禮中，胡正明與清華大學(xué)前校長(zhǎng)劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進(jìn)行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見(jiàn)解。 　　肯定自己 解決問(wèn)題就是創(chuàng)新
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國(guó)成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。 　　眾所周知，當(dāng)柵極長(zhǎng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對(duì)電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，F(xiàn)inFET陣營(yíng)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來(lái)談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對(duì)比 中國(guó)需要發(fā)展誰(shuí)才正確

  • 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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高通總裁談服務(wù)器芯片：更低功耗實(shí)現(xiàn)相同性能

  • 　　2016年12月7日，高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進(jìn)展：其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開(kāi)始商用送樣，預(yù)計(jì)在2017年下半年實(shí)現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進(jìn)的10nm FinFET制程技術(shù)，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個(gè)核心。 　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
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中國(guó)微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

  • 　　最近，中國(guó)微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進(jìn)展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實(shí)現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動(dòng)性能達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。 　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)接收，并在IEDM的關(guān)鍵分會(huì)場(chǎng)之一——硅基先導(dǎo)CMOS 工藝和制造技術(shù)(PMT)上，由張青竹
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中國(guó)突破半導(dǎo)體新工藝 先要從這位美籍華人講起

  • 由于技術(shù)和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術(shù)、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會(huì)遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  FinFET  

格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長(zhǎng)距離SerDes

  • 　　格羅方德公司今天宣布，已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長(zhǎng)距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對(duì)最嚴(yán)苛的長(zhǎng)距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備。　　格羅方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號(hào)傳導(dǎo)，可補(bǔ)償超過(guò)35dB的插入損耗，因而無(wú)須在目前極
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控告三星/高通/蘋果FinFET技術(shù)侵權(quán) 這家公司有多牛？

  • 　　盡管距離國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織確定的2020年5G商用仍有3年時(shí)間之久，現(xiàn)在的4G網(wǎng)絡(luò)還有潛力挖掘和價(jià)值提升的空間，然而全球“大T”們(運(yùn)營(yíng)商)的發(fā)展焦點(diǎn)已經(jīng)向5G轉(zhuǎn)移，紛紛從技術(shù)研發(fā)、標(biāo)準(zhǔn)制定、產(chǎn)業(yè)儲(chǔ)備等方面入手，對(duì)5G進(jìn)行全面布局。 　　“預(yù)計(jì)2022年全球?qū)⒂?.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發(fā)展最快的兩大地區(qū)?！辫b于全球運(yùn)營(yíng)商的積極行動(dòng)，業(yè)界紛紛調(diào)高了對(duì)5G發(fā)展速度的預(yù)期，愛(ài)立信在近期發(fā)布的《移動(dòng)市場(chǎng)報(bào)告》中就給出了2020年5.5億用戶的預(yù)期。
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FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明：網(wǎng)速有千百倍成長(zhǎng)空間

  • 　　半導(dǎo)體領(lǐng)域FinFET技術(shù)發(fā)明人胡正明說(shuō)，由于半導(dǎo)體技術(shù)的突破，網(wǎng)際網(wǎng)路的速度和普及度還有千百倍的成長(zhǎng)空間。 　　在中國(guó)大陸烏鎮(zhèn)舉行的第3屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)，今年首次舉辦“世界互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)先科技成果發(fā)布活動(dòng)”，由海內(nèi)外網(wǎng)路專家組成的專家征集并評(píng)選出15項(xiàng)最尖端的技術(shù)成果和最具創(chuàng)新性的商業(yè)模式。胡正明及其率領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)，在半導(dǎo)體微型化的突破成就是其中之一。 　　胡正明率領(lǐng)的美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校團(tuán)隊(duì)，將平面二維晶體管創(chuàng)新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導(dǎo)
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SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么？

  • 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但
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FinFET 技術(shù)中的電路設(shè)計(jì)：演進(jìn)還是革命?

  • 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術(shù)為其最先進(jìn)的工藝。Intel 在 22 nm 節(jié)點(diǎn)上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
  • 關(guān)鍵字： FinFET  電路設(shè)計(jì)  

半導(dǎo)體制程技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫

  • 　　要判定FinFET、FD-SOI與平面半導(dǎo)體制程各自的市場(chǎng)版圖還為時(shí)過(guò)早… 　　盡管產(chǎn)量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計(jì)畫(參考閱讀)之后快速成長(zhǎng);而市 場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或?qū)⒃谥袊?guó)上海成立的一座新晶圓廠是否會(huì)采用FD
  • 關(guān)鍵字： 制程  FinFET  

Synopsys占九成FinFET投片，Cadence趨于弱勢(shì)

  • 新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設(shè)計(jì)量產(chǎn)投片(production tapeout)，目前已有超過(guò)20家業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商運(yùn)用這個(gè)平臺(tái)
  • 關(guān)鍵字： Synopsys  FinFET   

移動(dòng)處理器工藝制程挑戰(zhàn)技術(shù)極限 FinFET成主流

  • 　　隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與智能手機(jī)對(duì)極致效能的需求加劇，移動(dòng)處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領(lǐng)先的晶圓代工廠商已經(jīng)將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節(jié)點(diǎn)的SoC也已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，那么半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)以摩爾定律的速度高速發(fā)展至今，移動(dòng)處理器的工藝制程向前演進(jìn)又存在哪些挑戰(zhàn)?同時(shí)，進(jìn)入20納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后傳統(tǒng)的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術(shù)與應(yīng)用上帶來(lái)怎樣的發(fā)展變革? 　　  5納米節(jié)點(diǎn)是目前技術(shù)極限 摩爾定律被修正意義仍在
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finfet介紹

FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管，閘長(zhǎng)已可小于25奈米，未來(lái)預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬(wàn)分之1。由于此一半導(dǎo)體技術(shù)上的突破，未來(lái)芯片設(shè)計(jì)人員可望能夠?qū)⒊?jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管—場(chǎng)效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細(xì) ]

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