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縮短開發(fā)時程晶圓廠競逐FinFET混搭制程

　　一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導線制程的方式達成試量產(chǎn)目標;而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。　　聯(lián)華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

　　晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀提到，今年臺積電雖屢創(chuàng)季營收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。　　臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對
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聯(lián)華與新思攜手加速聯(lián)華電子14奈米FinFET制程研發(fā)

聯(lián)華電子與全球半導體設(shè)計制造提供軟件、IP與服務(wù)的領(lǐng)導廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫的IP組合及 Galaxy?實作平臺的一部分-寄生StarRC?萃取方案，成功完成了聯(lián)華電子第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設(shè)計定案。
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聯(lián)華電子加入IBM芯片聯(lián)盟共同開發(fā)10奈米制程技術(shù)

聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟，共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。
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里昂喊買臺積電先進技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標價上看140元

　　里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報率，給予買進，并將目標價從126元上調(diào)140元。　　FinFET制程部分，里昂證券指出，F(xiàn)inFET技術(shù)是半導體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預計在2015年前，積極搶進16奈米FinFET晶片制造　　里昂證券也指
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16納米/14納米FinFET技術(shù)：最新最前沿的電子技術(shù)

FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統(tǒng)的平面型晶體管相比，F(xiàn)inFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優(yōu)勢。英特爾已經(jīng)在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術(shù)，同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
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ARM與臺積電達成FinFET技術(shù)合作里程碑

　　ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設(shè)計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進一步提升未來行動與企業(yè)運算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運算應用的產(chǎn)品，此次合作展現(xiàn)了雙方在臺積公司FinFET制程技術(shù)上，共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。　　藉由 ARM Artisan 實體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(Open Innov
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三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

　　亮點：　　該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC) 　　該合作為3D器件建模和物理設(shè)計規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) 　　測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用　　為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關(guān)鍵
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三星領(lǐng)先臺積 14納米進化

　　三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進度領(lǐng)先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。　　韓聯(lián)社報導，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測試芯片。　　三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進一步改善行動環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案

　　半導體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進而導致關(guān)鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。　　就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術(shù)在先進半導
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導入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

　　聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。　　聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。　　聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實現(xiàn)，而此
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Cortex-A50的希望：14nm ARM成功流片

　　電子設(shè)計企業(yè)Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶體管技術(shù)，已經(jīng)成功流片了14nm工藝的ARM Cortex-M0處理器試驗芯片。　　 ? 　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議　　Cadence、ARM、IBM三者之間已經(jīng)達成了多年的合作協(xié)議，共同開發(fā)14nm以及更先進的半導體工藝，14nm芯片和生態(tài)系統(tǒng)就是三方合作的一個重要里程碑。　　這次的試驗芯片主要是用來對14nm工藝設(shè)計IP的
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臺積電擬攜ARM V8進軍16nm FinFET

　　臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。　　臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設(shè)計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。　　臺積電的目標提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準備好了嗎?

　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進行了解讀。　　XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。　　Noonen表示：“201
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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電

臺積電最近表示，其首個 FinFET 制程將會搭配16nm節(jié)點，而且可能會在2015年下半年量產(chǎn)。不過，臺積電也會在20nm后段制程中使用 FinFET ，因此，該公司的 FinFET 時程表可能還會有變數(shù)。
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FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管，閘長已可小于25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于此一半導體技術(shù)上的突破，未來芯片設(shè)計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設(shè)計成只有指甲般大小。 FinFET源自于目前傳統(tǒng)標準的晶體管—場效晶體管 (Field-ef [ 查看詳細 ]

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