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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

  • 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝,為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下,第四
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UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)針對電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

  • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項(xiàng),Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制,能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?

  • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計(jì)人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上,GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同,比如“這是否通過了鑒定?”盡管GaN器件也通過了硅鑒定,但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀點(diǎn),因
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三星公布3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)

  • 2022年6月30日,作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米(nm)全環(huán)繞柵極(Gate-All-AroundT,簡稱 GAA)制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。較三星5納米(nm)而言,優(yōu)化的3納米(nm)工藝,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面積減少16%三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應(yīng)晶體管"(簡稱: MBCFETTM  Multi-Bridge-Channel FET)應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制,通過降低工作電壓水平來提高
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性,適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案,如電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了
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UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET

  • 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET

  • 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
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采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率,但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過,SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求,包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍,一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo),又要用功率因素校正(PFC)將線路諧波發(fā)射保持在低水平,以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下,會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC,升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
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揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

  • GAA FET將取代FinFET,但過渡的過程將是困難且昂貴的。
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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

  • GaN(氮化鎵)作為新一代半導(dǎo)體材料,正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日,德州儀器(TI)宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET,分別面向車用充電器和工業(yè)電源,可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會?此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么?為此,電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

  • 嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小??稍诟哳l率(遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi))下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制,以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
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臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)

  • 據(jù)臺灣媒體報(bào)道,臺積電沖刺先進(jìn)制程,在2nm研發(fā)有重大突破,已成功找到路徑,將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around,簡稱GAA)技術(shù)。臺積電臺媒稱,三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù),并宣稱要到2030年超過臺積電,取得全球邏輯芯片代工龍頭地位,臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈,積極投入2nm研發(fā),并獲得技術(shù)重大突破,成功找到切入GAA路徑。臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁,還為此舉辦慶功宴,感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn),業(yè)界以
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電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94:倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

  • 離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加,對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對于這些應(yīng)用程序,最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí),反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開關(guān),用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對于離線電源來說,反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案,因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場,包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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對更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

  • 電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流(BLDC)解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ8鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。另一方面,三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場效應(yīng)管(FET),因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動(dòng)工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍(見圖1)。圖1:從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如,若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
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