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gaa-fet 文章 進(jìn)入gaa-fet技術(shù)社區(qū)
MOS-FET開(kāi)關(guān)電路
- MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理
- 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號(hào)至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路
- 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
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友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)
- 友達(dá)光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù),該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中,將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明,以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。 FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)
- 臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議,友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示,其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相 關(guān)技術(shù)專利,F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。 FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì),其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
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砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié),2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%,但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。 一直
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T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器,與同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí),還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制,幫助設(shè)計(jì)人員滿足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求,從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
- 關(guān)鍵字: TI FET 轉(zhuǎn)換器 TPS51315
ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器
- 2009年1月22日,中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz,設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比,可提供兩倍的帶寬,同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
- 關(guān)鍵字: ADI 運(yùn)算放大器 FET ADA4817
德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: FET TI IC-bq2407x
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