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EEPW首頁 >> 主題列表 >> gaa-fet

用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運算電路介紹

  • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
  • 關鍵字： VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運算    

20W-50W單端FET純甲類功放的設計制作

  • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
  • 關鍵字： 單端  FET  甲類  功放  

與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗器電路

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級，但一個等級內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時，
  • 關鍵字： VOO  檢驗  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設計

  • 隔離式FET脈沖驅(qū)動器原理及設計三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級聯(lián)功率級一般都含有大量功率 ...
  • 關鍵字： 隔離式  FET  脈沖驅(qū)動器  

使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關鍵字： FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路    

保護汽車冷卻風扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
  • 關鍵字： RTP器件  FET  

通過優(yōu)化變換器的FET開關來改善能量效率

  • 　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進。　　AC/DC平均系統(tǒng)
  • 關鍵字： 改善  能量  效率  開關  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

用射頻開關優(yōu)化智能手機信號

  • 智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
  • 關鍵字： 射頻開關  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開關穩(wěn)壓器簡化電源設計

  • 簡介 　　一提到電源設計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關鍵字： intersil  FET  DC/DC  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
  • 關鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現(xiàn)在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關...
  • 關鍵字： FET  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關鍵字： CISSOID  P-FET  
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