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Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書(shū)。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導(dǎo)體，領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來(lái)的汽車(chē)電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場(chǎng)的三相電力系統(tǒng)。與替代技術(shù)相比，這些應(yīng)用可受益于1
  • 關(guān)鍵字： Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常關(guān)型  氮化鎵.三相電力系統(tǒng)  

EPC起訴英諾賽科，要求保護(hù)氮化鎵(GaN)專(zhuān)利

  • 案例聚焦新一代替代硅技術(shù)?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)宜普公司）于今日向美國(guó)聯(lián)邦法院和美國(guó)國(guó)際 貿(mào)易委員會(huì)（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎(chǔ)專(zhuān)利組合中的 四項(xiàng)專(zhuān)利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱(chēng)英諾賽科）侵犯。 這些專(zhuān)利 涉及宜普公司獨(dú)家的增強(qiáng)型氮化
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意法半導(dǎo)體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間

  • 2023?年?5?月?19?日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開(kāi)關(guān)管準(zhǔn)諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個(gè)尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設(shè)計(jì)的目標(biāo)應(yīng)用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計(jì)和其他工業(yè)應(yīng)用的開(kāi)關(guān)式電源(SMPS)。?每個(gè)器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
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ROHM開(kāi)始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機(jī)的用電量占全世界用電量的一大半，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢(shì)。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，采用隔離降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢(shì)包括 2μA 關(guān)斷電流，集成軟啟動(dòng)時(shí)間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償、電源正常指示，以及過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷等保護(hù)功能。擴(kuò)
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  隔離式降壓轉(zhuǎn)換器  功率轉(zhuǎn)換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅(qū)動(dòng)  

EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

  • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計(jì)增強(qiáng)了高功率應(yīng)用的電機(jī)系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動(dòng)滑板車(chē)、小型電動(dòng)汽車(chē)、農(nóng)業(yè)機(jī)械、叉車(chē)和大功率無(wú)人機(jī)等應(yīng)用。EPC9186在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用四個(gè)并聯(lián)的EPC2302，可提供高達(dá)200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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深挖 GaN 潛力，中國(guó)企業(yè)別掉隊(duì)

  • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度達(dá)到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對(duì)于電力電子、射頻和光電子應(yīng)用有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設(shè)計(jì)和制造。襯底的選擇對(duì)于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現(xiàn)商用，6 英寸
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氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因

  • 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴(lài)于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。?氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開(kāi)關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  GaN  電源管理  

高電壓技術(shù)是構(gòu)建更可持續(xù)未來(lái)的關(guān)鍵

  • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長(zhǎng)，高電壓技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新讓設(shè)計(jì)工程師能夠開(kāi)發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術(shù)更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長(zhǎng)，可持續(xù)能源變得越來(lái)越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示?！耙载?fù)責(zé)的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費(fèi)任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術(shù)的創(chuàng)新是實(shí)現(xiàn)能源可持續(xù)的關(guān)鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動(dòng)汽車(chē) (EV) 從 0mph加速到 60mph?
  • 關(guān)鍵字： 高電壓技術(shù)  電動(dòng)汽車(chē)  GaN  IGBT  

GaN 出擊

  • 自上世紀(jì)五十年代以來(lái)，以硅材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。隨著時(shí)間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導(dǎo)體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導(dǎo)體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導(dǎo)體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關(guān)注。近段時(shí)間，GaN 方面又有了新進(jìn)展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購(gòu)氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計(jì)劃
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

基于Navitas NV6115的150W電源解決方案

  • 傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體被設(shè)計(jì)用來(lái)提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍?shí)際上，出于兩個(gè)方面的原因-傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)切換，設(shè)備可能會(huì)出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)，其改善開(kāi)關(guān)切換的延遲時(shí)間。納微（Navitas）半導(dǎo)體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動(dòng)器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實(shí)現(xiàn)許多軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浜蛻?yīng)用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
  • 關(guān)鍵字： NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN  

GaN 良率受限，難以取代 IGBT

  • GaN 要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域，仍有層層關(guān)卡待突破。
  • 關(guān)鍵字： GaN  

市場(chǎng)規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導(dǎo)體成收購(gòu)的熱門(mén)賽道

  • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對(duì)此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核，其對(duì)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開(kāi)拓有了新的進(jìn)展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購(gòu)買(mǎi)資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報(bào)告書(shū)（草案）（修訂稿）》。根據(jù)該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購(gòu)買(mǎi)博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債、國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾94.6029%股權(quán)。事實(shí)上，除中瓷電子外，近來(lái)還有許多企業(yè)選擇以收購(gòu)的方式，布局或擴(kuò)大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導(dǎo)體  收購(gòu)  SiC  GaN  

GaN 時(shí)代來(lái)了？

  • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動(dòng)力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預(yù)計(jì)第三代化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況將發(fā)生變化，GaN 被認(rèn)為會(huì)產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這有望使臺(tái)積電、世界先進(jìn)半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益，它們已經(jīng)進(jìn)行了早期部署，并繼續(xù)擴(kuò)大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿(mǎn)足市場(chǎng)上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達(dá) 1200V 的電壓等級(jí)，并具備高載流能力，因此非常適合汽車(chē)和機(jī)車(chē)牽引逆變器、高功率太陽(yáng)能發(fā)電場(chǎng)和大型三相電網(wǎng)
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  
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