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研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

　　要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線 LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN

　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破，我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN

藍(lán)色激光所使用的半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，GaN在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的獨(dú)特...
關(guān)鍵字：藍(lán)色激光激光光束 GaN 1970年 Nichia 激光打印激光器外線單晶生長(zhǎng) 深紫

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