首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan hemt

英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)

  • 　英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  松下  GaN  

GaN在射頻功率領(lǐng)域會所向披靡嗎？

  • 　　氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
  • 關(guān)鍵字： GaN  射頻  

導(dǎo)入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開關(guān)

  • 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
  • 關(guān)鍵字： Cascode  GaN  場效應(yīng)管  

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早

  • GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時候，因它還有很多未被探索出來的部分。
  • 關(guān)鍵字： GaN.功率元件  

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

元件開發(fā)競爭激烈 亞洲企業(yè)紛紛涉足

  • 　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。 　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
  • 關(guān)鍵字： GaN  功率半導(dǎo)體  

解讀GaN on GaN LED破效率與成本“魔咒”

  • 發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源，耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%，并具有體積小、壽命長、效率高、不...
  • 關(guān)鍵字： GaN  on  GaN  LED    

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

應(yīng)變工程項(xiàng)目大幅提高了綠色LED的光輸出

  • 中國科學(xué)院近日發(fā)布的一份報告稱，中國研究人員利用應(yīng)變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
  • 關(guān)鍵字： LED    GaN    MOCVD  

Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢分析

  • 2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南...
  • 關(guān)鍵字： Si基  GaN  功率器件  

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

  • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲存系統(tǒng)、高頻 ...
  • 關(guān)鍵字： 大尺寸  磊晶技術(shù)  GaN-on-Si  基板破裂  

硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價比照明

  • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
  • 關(guān)鍵字： GaN    LED    光萃取技術(shù)  

功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
  • 關(guān)鍵字： GaN  功率器件  

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

  • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
  • 關(guān)鍵字： 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

SiC和GaN是“下一代”還是“當(dāng)代”？

  • 　　SiC企業(yè)不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導(dǎo)體已經(jīng)不再特別?！边@是因?yàn)椋S著使用SiC和GaN等“下一代功率半導(dǎo)體”的大量發(fā)布，在學(xué)會和展會的舞臺上，這種功率半導(dǎo)體逐漸帶上了“當(dāng)代”的色彩。 　　那么，在使用功率半導(dǎo)體的制造現(xiàn)場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產(chǎn)品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導(dǎo)體使用者的心目中，此類產(chǎn)品已逐漸由
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  
共315條 19/21 |‹ « 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 »

gan hemt介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條gan hemt!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對gan hemt的理解，并與今后在此搜索gan hemt的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473