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基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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四維圖新旗下杰發(fā)科技與IAR Systems達(dá)成戰(zhàn)略合作

  • 中國上?！?022年12月27日——嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems宣布，其最新發(fā)布的IAR Embedded Workbench for Arm 9.32.1版本已全面支持四維圖新旗下杰發(fā)科技全系列車規(guī)級MCU芯片，幫助中國汽車行業(yè)開發(fā)者打造強(qiáng)大的嵌入式開發(fā)解決方案，助力汽車行業(yè)創(chuàng)新。雙方將基于協(xié)議共同建立合作伙伴聯(lián)盟，以期加速業(yè)務(wù)發(fā)展。圖：杰發(fā)科技與IAR Systems達(dá)成戰(zhàn)略合作IAR Embedded Workbench for Arm為杰發(fā)科技MCU芯片提供完整的開發(fā)
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基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器

  • 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案

  • 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能

  • 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅(qū)動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
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IAR Systems 與嘉楠科技達(dá)成合作，支持RISC-V內(nèi)核高精度AI芯片

  • 中國上?！?022年11月23日——嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems 與領(lǐng)先的端側(cè) AI 芯片研發(fā)供應(yīng)商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布，IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片，助力開發(fā)雙核RISC-V 64位 AI 端側(cè)推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個(gè)完整的C/C++編譯器和調(diào)試器工具鏈，將嵌入式開發(fā)者所需的一切
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基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

  • 此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì)，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動與MOS均采用美國安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
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西門子收購 Avery Design Systems，進(jìn)一步擴(kuò)展集成電路驗(yàn)證解決方案

  • · 此項(xiàng)收購進(jìn)一步擴(kuò)展西門子企業(yè)級驗(yàn)證平臺，將 Avery Design Systems的驗(yàn)證協(xié)議和合規(guī)性測試套件產(chǎn)品添加至平臺之中?！?nbsp;客戶可以在仿真、硬件模擬和原型設(shè)計(jì)的周期內(nèi)利用西門子的驗(yàn)證方案優(yōu)化質(zhì)量并縮短上市時(shí)間。西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日簽署對 Avery Design Systems 公司的收購協(xié)議。Avery Design Systems 總部位于美國馬塞諸塞州的圖克斯伯里，是一家獨(dú)立于仿真的驗(yàn)證 IP 供應(yīng)商。收購后 Avery Desig
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格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片

  • 據(jù)外媒《NBC》報(bào)道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無線基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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IAR Systems RISC-V功能安全版開發(fā)工具支持最新的SiFive汽車解決方案

  • 嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems?持續(xù)為 SiFive 的 RISC-V 車用 CPU IP 提供解決方案：IAR Systems 旗下的 IAR Embedded Workbench? for RISC-V 支持最新的 SiFive 車用 E6-A 和 S7-A 產(chǎn)品系列，以滿足信息娛樂、連接和 ADAS 等汽車應(yīng)用的需求。IAR 的完整開發(fā)工具鏈幫助 OEM 和供應(yīng)商的嵌入式軟件開發(fā)人員充分利用 RISC-V 提供的能效、簡單性、安全性和靈活性。由于 RISC-V 在所有產(chǎn)品中
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GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機(jī)器人和無人機(jī)的上市時(shí)間

  • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

  • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

  • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長的使用壽
  • 關(guān)鍵字： Wolfspeed  放大器  GaN  

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

  • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
  • 關(guān)鍵字： TI  GaN  

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

  • 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機(jī)、電腦為代表的移動智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對
  • 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源  
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