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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

  • 　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？

  • 　　《麻省理工科技評(píng)論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。 　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone 　　入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播 　　重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對(duì)許多人變得觸手可及，從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長。 　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國造”

  • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。 　　“不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商， 團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
  • 關(guān)鍵字： GaN  氮化鎵  

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

  • 　　EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)應(yīng)用?！　PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電，可傳送高達(dá)300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

  • 　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。 　　 　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  • 　　未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場(chǎng)機(jī)遇。 　　未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場(chǎng)營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
  • 關(guān)鍵字： 5G  GaN  

2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

  • 　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
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趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì)影響力。
  • 關(guān)鍵字： 照明  紫外LED  GaN  第三代半導(dǎo)體  

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率與寬帶

  • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展，基地臺(tái)收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對(duì)于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺(tái)運(yùn)作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，首先，最明顯的好 處是降低運(yùn)營成本；同時(shí)，更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢(shì)

  • 　　MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并為投資者帶來卓越的價(jià)值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。 　　在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。 　　日前在上海舉辦的EDICON展會(huì)上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
  • 關(guān)鍵字： MACOM  GaN  

汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

  • 　　汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應(yīng)用

  • 　　相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運(yùn)作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。 　　電源供應(yīng)設(shè)計(jì) 　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測(cè)試專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，TI針對(duì)GaN進(jìn)行了數(shù)百萬小時(shí)的加速測(cè)試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。 　　GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手，它能夠在保持或提
  • 關(guān)鍵字： 德州儀器  GaN  
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