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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> igbt 7

IGBT功率放大電路保護(hù)方法的應(yīng)用

  • 摘要：本文針對(duì)IGBT功率放大電路的保護(hù)問題，探討了過(guò)流檢測(cè)電路、驅(qū)動(dòng)信號(hào)脈寬檢測(cè)及過(guò)熱保護(hù)的實(shí)現(xiàn)方法，通過(guò)仿真與試驗(yàn)，驗(yàn)證保護(hù)電路的效果。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  保護(hù)電路  201307  

英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5

  • 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來(lái)，已經(jīng)獲得了巨大的市場(chǎng)關(guān)注，它被認(rèn)為是一種革新的技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  TRENCHSTOP  IGBT  

IR全新1200V IGBT為電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源應(yīng)用提升功率密度和效率

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
  • 關(guān)鍵字： IR  電源  IGBT  

安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT，擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

  • 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達(dá)30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。 安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
  • 關(guān)鍵字： 安森美，IGBT  

英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost

  • 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。有了專為混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計(jì)的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動(dòng)器，汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計(jì)出更具成本效益的HEV電力傳動(dòng)傳動(dòng)子系統(tǒng)，該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標(biāo)準(zhǔn) (ISO 26262)。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  EiceDRIVER  逆變器  IGBT  

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析

  • 如何做好IGBT的保護(hù)眾所周知，IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  應(yīng)用設(shè)計(jì)  

IGBT使用和設(shè)計(jì)新方法

  • IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  使用  設(shè)計(jì)  

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)梳理

  • 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基礎(chǔ)知識(shí)  

IGBT實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路及細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)

12脈沖與IGBT高頻整流器

  • 一、概述12脈沖整流器的由來(lái)對(duì)于直流來(lái)說(shuō)不存在什么功率因數(shù)問題，因?yàn)橹绷鞯碾娏骱碗妷河肋h(yuǎn)是同相...
  • 關(guān)鍵字： 12脈沖  IGBT  高頻整流器  

如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感

  • IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì) ...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  逆變器設(shè)計(jì)  雜散電感  

全方位了解IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

  • 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MO...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基礎(chǔ)知識(shí)  

大功率IGBT散熱器水冷熱阻計(jì)算

  • 為了優(yōu)化水冷散熱器散熱能力，保障其可靠工作，引用了傳熱學(xué)中的基本原理與公式，以散熱器外形的機(jī)械尺寸、水的強(qiáng)制對(duì)流換熱系數(shù)和水的導(dǎo)熱系數(shù)作為參數(shù)及變量推導(dǎo)了散熱器水冷熱阻的計(jì)算公式。同時(shí)為了滿足實(shí)際應(yīng)用，開發(fā)了一種專用水冷散熱器熱阻計(jì)算和曲線繪制軟件，可以顯示熱阻隨參數(shù)變化而變化的各種曲線，也可以直接計(jì)算顯示熱阻值。為散熱器的設(shè)計(jì)中參數(shù)的優(yōu)化選擇提供直觀方便的參考。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  大功率  散熱器  熱阻計(jì)算    

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動(dòng)器  
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