- 摘要:針對采用IGBT的軟開關三電平變換器中IGBT關斷過程存在的電流拖尾現(xiàn)象,以及基本三電平拓撲變壓器次級存在的電壓過沖和電壓振蕩現(xiàn)象,提出了改進型ZVZCS三電平結構。該結構在基于拓撲的三電平橋臂側和兩電平橋臂
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三電平變換器 ZVZCS 輔助網(wǎng)絡 IGBT
- IGBT礎知識大全,有關IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體
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IGBT 礎知識大全
- Tokyo Electron Device Limited(本社: 橫濱市神奈川區(qū),代表董事·總裁: 栗木 康幸,以下簡稱 TED)開發(fā)出在 1 塊基板上實現(xiàn) 1700V/1200A 等級 IGBT 控制且搭載光纖接口的 IGBT 驅動板 “TD-BD-IGFB05K”, 并將于 2013 年 4 月 17 日開始銷售。
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TED IGBT 太陽能
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產(chǎn)品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25A、50A和70A額定電流型款。
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美高森美 IGBT
- 對于目前的高功耗工業(yè)應用,設計人員傳統(tǒng)上對IGBT驅動器使用分立器件,導致整體設計復雜性和系統(tǒng)成本大大提高。 為了幫助設計人員克服這一缺點,飛兆半導體(NYSE代碼: FCS)推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能柵極驅動光電耦合器。 該器件是一個先進2.5A的輸出電流IGBT驅動光電耦合器,可驅動大部分1200V/150A IGBT。
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飛兆 光電耦合器 FOD831 IGBT
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日提升絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 選型工具的性能,以優(yōu)化多種應用的設計過程,包括馬達驅動器、不間斷電源 (UPS)、太陽能逆變器及焊接等應用。
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IR IGBT
- IGBT知識梳理,有關IGBT你了解多少,今天就隨小編一起來系統(tǒng)的了解一下IGBT吧!IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效
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IGBT
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531 與 UCC27532 輸出級柵極驅動器可為隔離式電源設計提供最高效率的輸出驅動功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護力
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TI IGBT 驅動器
- 從2010年7月1日起,國家環(huán)保部批準并頒布的《摩托車污染物排放限值及測量方法(工況法,中國Ⅲ階段)》(GB14622-2007)、《輕便摩托車污染物排放限值及測量方法(工況法,中國Ⅲ階段)》(GB18176-2007)(簡稱國三標準)正式實施。
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點火器 IGBT
- 本設計采用模塊化設計,主要分為低壓信號模塊電路,驅動輸出高壓電路,和IGBT電路,主要IC為英飛凌1ED020I12FA,IGBT為英飛凌HybridPACK2。圖1以U相為例介紹總圖結構。
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英飛凌 IGBT
- 高功率和高頻率感應加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關性能,以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆 ...
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飛兆 半導體 高可靠性 開關性能 IGBT
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D,這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業(yè)電機和焊接應用。
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IR IGBT
- 全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE:6723)日前宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管(IGBT)保護功能的全新光電耦合器:PS9332L 和 PS9332L2,這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機械和太陽能系統(tǒng)等應用條件。
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瑞薩 光電耦合器 IGBT
- 高功率和高頻率感應加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關性能,以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 飛兆半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對這些設計挑戰(zhàn)為設計人員提供經(jīng)濟實惠且高效的解決方案。
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飛兆 IGBT
- 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動,控制簡 ...
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不間斷 電源 IGBT
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