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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt-ipm

基于運放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設(shè)計

  • 為了實現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運放退飽和的方法，當電阻爐溫度未達到設(shè)定值時，運放飽和輸出，所控制的驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當溫度達到設(shè)定值時，運放開始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比，IGBT導通時間變短，電爐加熱功率減小，實現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試，驗證了本設(shè)計的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點。
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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設(shè)置在7V，這是對通過一個比較 ...
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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

  • 　　“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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具有有源電壓鉗位功能的電動汽車IGBT驅(qū)動電路設(shè)計與研究

  • 摘要：由于電動汽車及混合動力機車的電池工作電壓范圍較大，在剎車能量回收、發(fā)電機發(fā)電、短路保護等工況下，防止IGBT產(chǎn)生過壓失效成為一個必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應(yīng)用，本文對幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進行了分析，并提出在有源電壓鉗位在電動汽車IGBT驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)化建議。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  電動汽車  201211  

IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
  • 關(guān)鍵字： IR  Gen8  IGBT  

并聯(lián)有源電力濾波器保護的關(guān)鍵技術(shù)研究

  • 摘要：針對并聯(lián)有源電力濾波器在運行過程中會多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題，經(jīng)過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關(guān)斷時間極短，連接導線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會產(chǎn)生尖峰過電壓，并與原有電
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電源管理半導體市場今年預(yù)計萎縮

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，今年全球電源管理半導體市場預(yù)計大幅萎縮6%，主要歸因于全球消費市場明顯疲軟。電源管理半導體對于各類設(shè)備節(jié)省能源至關(guān)重要。 　　2012年電源管理芯片營業(yè)收入預(yù)計從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎(chǔ)上小幅增長1.5%。 　　明年該市場將恢復(fù)增長，預(yù)計上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對于電源管理半導體產(chǎn)業(yè)來說，7.6%的增幅相當一般。繼明年之后接下來的三年，市場將保持溫和增長，2016
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IGBT光伏發(fā)電逆變電路

  • 國內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
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IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

  • 斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù)，其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對稱，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運行安全和
  • 關(guān)鍵字： IGBT  大功率  斬波    

基于智能功率模塊(IPM)的三相感應(yīng)馬達(IM)驅(qū)動

  • 過去10年中，盡管永磁同步馬達(PMSM)備受推崇，使用率也日益增加，但標準三相感應(yīng)馬達(IM)仍然是使用得最廣泛的馬達。啟動IM最簡單的辦法是把馬達直接接入三相交流電，以往業(yè)界采用星三角(Star-Delta)啟動和軟啟動器
  • 關(guān)鍵字： 感應(yīng)  馬達  IM  驅(qū)動  三相  IPM  智能  功率  模塊  基于  

安森美推出9款新的高能效方案

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
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面向汽車應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

  • 中心論題：由于汽車環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受嚴峻的熱和機械條件(振動和沖擊)的考驗在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機械振動或機械沖擊試驗中IGBT模塊會出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
  • 關(guān)鍵字： IGBT  汽車應(yīng)用  功率模塊    

IGBT驅(qū)動電路M57962L的剖析

  • 中心論題：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。驅(qū)動電路M57962L簡介。M57962L的工作原理。解決方案：一個2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對柵極電荷集聚很敏感。檢測管壓降VCE的大小可識別IGBT是否過流。封閉性
  • 關(guān)鍵字： M57962L  IGBT  驅(qū)動電路    

IR針對家電電機驅(qū)動器應(yīng)用推出新型IGBT

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用提升性能及效率。
  • 關(guān)鍵字： IR  電機驅(qū)動器  IGBT  
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