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IR擴(kuò)充堅(jiān)固可靠的600V溝道超高速IGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，推出堅(jiān)固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D和IRGP4660D，這些經(jīng)過(guò)優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽(yáng)能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機(jī)和焊接應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR IGBT

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)日前宣布發(fā)布兩款帶有集成絕緣柵門極晶體管(IGBT)保護(hù)功能的全新光電耦合器：PS9332L 和 PS9332L2，這兩款光電耦合器適用于工業(yè)機(jī)械和太陽(yáng)能系統(tǒng)等應(yīng)用條件。
關(guān)鍵字：瑞薩光電耦合器 IGBT

高功率和高頻率感應(yīng)加熱(IH)家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開(kāi)關(guān)性能，以便在IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性。飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路(Shorted Anode) trench IGBT可針對(duì)這些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 IGBT

在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn) ...
關(guān)鍵字：不間斷電源 IGBT

如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作...
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能逆變器 IGBT

一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開(kāi)關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速...
關(guān)鍵字： IGBT 軟開(kāi)關(guān) 應(yīng)用開(kāi)發(fā)

Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開(kāi)設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心。該設(shè)計(jì)中心將基于其驅(qū)動(dòng)核開(kāi)發(fā)半定制門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺(tái)為大型項(xiàng)目研發(fā)和量身定制驅(qū)動(dòng)器。
關(guān)鍵字： CONCEPT 驅(qū)動(dòng)器 IGBT

通常IPM模塊應(yīng)有四路獨(dú)立電源供電，下橋臂三個(gè)IGBT控制電路共用一個(gè)獨(dú)立電源，上橋臂三個(gè)IGBT控制電路用三...
關(guān)鍵字： IPM 自舉電路設(shè)計(jì)

提高太陽(yáng)能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能逆變器 IGBT 太陽(yáng)能電池板

　　據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2012年增長(zhǎng)率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長(zhǎng) 　　作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對(duì)降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國(guó)對(duì)節(jié)能減排的需求越來(lái)越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C領(lǐng)域，向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng)邁進(jìn)。關(guān)注功率器件行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。　　增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自新領(lǐng)域　　LE
關(guān)鍵字：安森美 IPM

1 引言80年代問(wèn)世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開(kāi)關(guān)電源、變頻
關(guān)鍵字： IGBT 功率器件方法

IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。本文介紹了驅(qū)動(dòng)電路M57962L的工作原理及解決方案：IGBT是一種...
關(guān)鍵字： M57962L 芯片 IGBT

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器芯片