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可再生能源應用加持IGBT市場前景一片光明

  • 　　據(jù)市場研究機構(gòu)Yole的最新報告，IGBT在電動車/動力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達驅(qū)動器(MotorDrive)、不斷電動力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應用是該市場的成長動力來源。IGBT市場在2011~2012年少許反常性的下跌后，Yole分析師預期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場預估將從今年的36億美元，在5年后達到60億美元。在Yole的報告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達驅(qū)動器的應用，區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應用，馬達驅(qū)動器是帶動IGBT
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英飛凌發(fā)布第三季度財報

  • 英飛凌科技股份公司發(fā)布了2013財年第三季度(截至2013年6月30日)的財務數(shù)據(jù)。
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英飛凌推出高功率密度和高可靠性的汽車級品質(zhì)功率模塊

  • 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 推出完全符合汽車標準的全新 EconoDUAL? 3 IGBT 模塊。這一新產(chǎn)品可滿足商用車、工程車、農(nóng)用車等可靠性要求苛刻的應用。汽車級品質(zhì)是指該模塊可明顯增加溫度周次和抗熱沖擊能力，而且采用了全新的可改善 EMI 特性的軟特性二極管。
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IGBT功率放大電路保護方法的應用

  • 摘要：本文針對IGBT功率放大電路的保護問題，探討了過流檢測電路、驅(qū)動信號脈寬檢測及過熱保護的實現(xiàn)方法，通過仿真與試驗，驗證保護電路的效果。
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英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5

  • 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來，已經(jīng)獲得了巨大的市場關(guān)注，它被認為是一種革新的技術(shù)。
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IR全新1200V IGBT為電機驅(qū)動及不間斷電源應用提升功率密度和效率

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，針對工業(yè)電機驅(qū)動及不間斷電源 (UPS) 應用進行了優(yōu)化。
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安森美半導體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT，擴充產(chǎn)品陣容

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續(xù)擴充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容，應用于消費類電器及工業(yè)應用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性，降低損耗達30%，因而提供更高能效，并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度，為設(shè)計人員增強系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標應用進行了優(yōu)化，相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達20%。 安森美半導體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
  • 關(guān)鍵字： 安森美，IGBT  

英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost

  • 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器。有了專為混合動力/電動汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動器，汽車系統(tǒng)供應商便能夠更輕松地設(shè)計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng)，該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標準 (ISO 26262)。
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用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

小功率智能化中頻逆變電源的研制

  • 摘要：研制一種基于TMS320LF2407A數(shù)字信號處理器和PS21964智能功率模塊(IPM)的智能化SPWM中頻逆變電源控制系統(tǒng)。對中頻逆變電源的功率主電路、控制電路以及保護電路等進行了詳細闡述。實現(xiàn)了中頻逆變電源小型化和高性
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IGBT應用設(shè)計全面剖析

  • 如何做好IGBT的保護眾所周知，IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  應用設(shè)計  

IGBT使用和設(shè)計新方法

  • IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  使用  設(shè)計  

IGBT基礎(chǔ)知識梳理

  • 有關(guān)IGBT你了解多少，IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  基礎(chǔ)知識  

IGBT實用的驅(qū)動電路及細節(jié)設(shè)計

  • 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書上能找到，其柵極G，相當于一個數(shù)納法(nF)的小電容(暫時這樣認為)，這與MOS...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  驅(qū)動電路  細節(jié)設(shè)計  

12脈沖與IGBT高頻整流器

  • 一、概述12脈沖整流器的由來對于直流來說不存在什么功率因數(shù)問題，因為直流的電流和電壓永遠是同相...
  • 關(guān)鍵字： 12脈沖  IGBT  高頻整流器  
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