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利基型DRAM持續(xù)擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

  • 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠發(fā)展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
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三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ，作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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第二季度DRAM跌幅估縮小

  • 根據(jù)市調(diào)預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內(nèi)存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰(zhàn)爭影響，引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
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LPDDR5X標準與LPDRR5對比：帶寬增至8533Mbps

  • 2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標準，標準號 JESD209-5B。新版標準針對目前已經(jīng)應用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標準。新標準表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率，適用于 5G 智能手機等產(chǎn)品。具體來看：（1）LPDDR5X 將實現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
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三星LPDDR5X DRAM：速度是LPDDR5的1.3倍 功耗還低了20%

  • 2021年11月，三星宣布了業(yè)內(nèi)首款 LPDDR5X DRAM，可知與 LPDDR5 解決方案相比，其不僅具有 1.3 倍以上的數(shù)據(jù)傳輸速率、功耗還降低了將近 20% 。
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三星LPDDR5X內(nèi)存來了：比LPDDR5快約1.2倍

  • 2022年3月3日 三星半導體官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X內(nèi)存已在高通驍龍移動平臺上驗證使用。三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智能手機上提升超高分辨率視頻錄制性能和語音識別、圖像識別、自然語言處理等人工智能功能。此外，三星LPDDR5X內(nèi)存采用先進的電路設計和動態(tài)電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。三星半導體執(zhí)行副總裁兼內(nèi)存全球銷售和營銷
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天璣9000首發(fā) 美光LPDDR5X內(nèi)存已出樣：手機帶寬超越PC

  • 2021年11月19日，聯(lián)發(fā)科在國內(nèi)發(fā)布了天璣9000處理器，除了更先進的X2 CPU、GPU、APU等架構(gòu)之外，還首發(fā)支持了LPDDR5X內(nèi)存，這也是獨一份，驍龍8 Gen 1支持的依然是LPDDR5內(nèi)存。
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美光LPDDR5X：強大的內(nèi)存性能讓一切皆有可能

  • 在從事半導體行業(yè)近30年的時間里，最讓我興奮的是見證了由于內(nèi)存和存儲技術(shù)的不斷革新，用戶體驗逐漸優(yōu)化的過程。作為美光移動產(chǎn)品事業(yè)部的負責人，我有幸親歷了美光近期的LPDDR5X DRAM新品發(fā)布。
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

  • 今日三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來，三星與高通技術(shù)公司密切合作，優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

  • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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美光確認EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導入

  • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

  • 根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

  • 　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務也不例外。該公司預計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案?！　〉聦嵶C明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

  • SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應給智能手機制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

  • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標準名稱，DDR1-2-3-4為其順序進行換代。?圖1.
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lpddr5x dram介紹

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