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EEPW首頁 >> 主題列表 >> lpddr5x dram

"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？

  • 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機(jī)械設(shè)備、計算機(jī)、軟硬件及其輔助設(shè)備；存儲器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗鑒定、認(rèn)證機(jī)構(gòu)、民用核安全設(shè)備無損檢驗、
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HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

  • 前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機(jī)硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
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三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)

  • 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預(yù)計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細(xì)制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設(shè)備市場，下一步進(jìn)軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達(dá)12.89萬平方米（
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三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進(jìn)節(jié)點下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當(dāng)于約16個足球場，是迄今為止全
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第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案

  • 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護(hù)，以達(dá)到無人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)

  • 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。           圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作

  • 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設(shè)。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導(dǎo)，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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南亞科：視歐美疫情定市場 10納米級產(chǎn)品試產(chǎn)

  • 存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產(chǎn)業(yè)狀況發(fā)表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠(yuǎn)端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續(xù)的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致的關(guān)稅問題，使得供應(yīng)鏈面臨調(diào)整，加上全球經(jīng)濟(jì)放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導(dǎo)致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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三星一季度全球DRAM市場份額超過40% 但銷售額有下滑

  • 三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數(shù)據(jù)顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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漏電流和寄生電容引起的DRAM故障識別

  • 從20nm技術(shù)節(jié)點開始，漏電流一直都是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)設(shè)計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現(xiàn)明顯的結(jié)構(gòu)異常，DRAM設(shè)計中漏電流造成的問題也會導(dǎo)致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設(shè)計中至關(guān)重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導(dǎo)漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節(jié)點接觸 (SNC) 之間的電介質(zhì)泄漏；(d) DRAM電容處的電介質(zhì)泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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三星首次將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM生產(chǎn)

  • 據(jù)ZDnet報道，三星宣布，已成功將EUV技術(shù)應(yīng)用于DRAM的生產(chǎn)中。
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三星率先為DRAM芯片導(dǎo)入EUV：明年將用于DDR5/LPDDR5大規(guī)模量產(chǎn)

  • 當(dāng)前在芯片制造中最先進(jìn)的EUV（極紫外光刻）工藝被三星率先用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。這家韓國巨頭今日宣布，已經(jīng)出貨100萬第一代10nm EUV級（D1x）DDR4 DRAM模組，并完成全球客戶評估，這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。得益于EUV技術(shù)，可以在精度更高的光刻中減少多次圖案化的重復(fù)步驟，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能。三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計會使12
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TrendForce：2019年第四季量增抵銷價跌影響，DRAM產(chǎn)值較前季近持平

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