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集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！　∵M(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 集邦咨詢  DRAM  

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成?！　髮?dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NANDFlash  

手機(jī)存儲芯片價格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調(diào)研報告顯示，DRAM跌價幅度超過預(yù)期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價格跑贏了房價”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  DRAM  

DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導(dǎo)，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機(jī)用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計今年出口的前景也不樂觀。　　在韓國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%?！　2B(企業(yè)間交易)市場價格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
  • 關(guān)鍵字： DRAM  SK海力士  

DRAM大幅跌價 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

  • 　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報告指，今年以來DRAM內(nèi)存價格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?！　〈鎯π酒瑑r格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲芯片價格進(jìn)入了快速上漲的階段?！　∽鳛?/li>
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

集邦咨詢：第一季DRAM合約價大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

  • 　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！　RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel低
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易

  • 　　據(jù)businesskorea報道，中國計劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍?！　∪欢?，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因為它將增加對中國的半導(dǎo)體依賴?！　№n國企業(yè)對該計劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個原因?！　∈紫?，中國沒有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國？

  • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料，全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代，同時生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機(jī)遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額，但......
  • 關(guān)鍵字： 硅片  DRAM  

DRAM技術(shù)再一次實現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天

  • 　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000?！　〗邮懿稍L時，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來。　　Kim Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合?！　≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR6  

莫大康：影響2019中國半導(dǎo)體業(yè)增長的三個關(guān)鍵因素

  • 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的增長。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  存儲器  

2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出?！　CInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元?！?/li>
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  Flash  

非易失性存儲器和易失性存儲器的對比

  • 　　非易失性存儲器技術(shù)是在關(guān)閉計算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計算機(jī)的時候數(shù)據(jù)不會丟失的技術(shù)。非易失性存儲器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類?！　　　≡诤芏嗟拇鎯ο到y(tǒng)的寫操作程序中，內(nèi)存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發(fā)生突然間斷電的情況，如何保護(hù)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)不丟失，這是存儲系統(tǒng)中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關(guān)閉計算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計算機(jī)的時候，里面的數(shù)據(jù)會丟失，就像內(nèi)存。非易失性存儲器在上面的情況下數(shù)據(jù)不會丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  DRAM  

2019年第一季DRAM合約價跌幅擴(kuò)大至近20%

  • 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查，2018年12月正值歐美年節(jié)時期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價計算，意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關(guān)卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預(yù)估更為疲弱，以及短中期經(jīng)濟(jì)展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美
  • 關(guān)鍵字： DRAM，價格  

晉華、聯(lián)電被控竊取機(jī)密案開庭 美方多管齊下打擊中國內(nèi)存自主化進(jìn)程

  • 隨著中美談判嘗試結(jié)束貿(mào)易戰(zhàn)，對于兩國沖突的一個關(guān)鍵方面——針對涉嫌盜竊商業(yè)機(jī)密的刑事起訴，美國謀求新的策略來打擊中國實現(xiàn)內(nèi)存芯片量產(chǎn)的愿景。據(jù)外媒報道，當(dāng)?shù)貢r間本周三，福建晉華與其合作伙伴臺灣聯(lián)電被控竊取商業(yè)機(jī)密一案在舊金山聯(lián)邦法院審理，預(yù)計晉華和聯(lián)電將做無罪辯護(hù)。
  • 關(guān)鍵字： 晉華  DRAM  聯(lián)電  

Gartner：三星2018年再度登頂全球半導(dǎo)體市場

  • 　　據(jù)BusinessKorea北京時間1月8日報道，受內(nèi)存行業(yè)的增長推動，去年全球半導(dǎo)體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注)，營收同比增長38.2%，在行業(yè)前十大公司中增速最快?！　?jù)市場研究公司Gartner日前發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體市場初步報告顯示，全球半導(dǎo)體營收去年達(dá)4767億美元，同比增長13.4%。存儲芯片占半導(dǎo)體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比最大。　　三星電子去年的半導(dǎo)體營收達(dá)759
  • 關(guān)鍵字： 三星  半導(dǎo)體  DRAM  
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