micro Ⅲ lite 文章 進入micro Ⅲ lite技術(shù)社區(qū)
Molex推出用于超小型消費電子的micro-SIM卡插座
- 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出兩個專為超薄智能手機、平板電腦、GSM/UMTS調(diào)制解調(diào)器和PC卡等便攜通信設(shè)備而開發(fā)的推挽式 (push-pull) 6路和8路micro-SIM卡插座系列。Molex78727系列插座的高度為1.40 mm,并帶有檢測開關(guān);78646系列的高度則為1.45 mm,不帶檢測開關(guān)。
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ZLG成為Energy Micro中國區(qū)合作伙伴
- 2011年12月14日上午10時,廣州周立功單片機發(fā)展有限公司和節(jié)能微控器和無線射頻供應(yīng)商Energy Micro公司合作信息發(fā)布會在深圳香格里拉酒店舉行。發(fā)布會上,Energy Micro正式宣布ZLG成為其基于ARM Cortex內(nèi)核的超低功耗Gecko MCU 和EFR4 Draco無線射頻產(chǎn)品的中國代理商。
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Energy Micro公司的工具可立刻解決MCU的引腳沖突
- 挪威奧斯陸 –2010年9月2日節(jié)能微控制器公司Energy Micro®最近推出了一種免費的軟件工具,用以消除調(diào)試I / O引腳沖突時產(chǎn)生的傳統(tǒng)的費時問題。energyAware Designer支持完整的EFM32 Gecko低功耗MCU系列,確保正確的引腳配置并自動生成設(shè)置代碼和文檔。 在設(shè)計一個新的項目時,設(shè)計人員選擇了一個目標MCU進行默認設(shè)備配置。點擊一個外設(shè)功能就可啟動它,并在一個直觀的針腳輸出圖上用綠色突出各自的引腳。由于選擇另一個外設(shè)而引起的引腳沖突,在默認
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Ceitec執(zhí)行長:三年內(nèi)巴西將有“臺積電級”晶圓廠
- 巴西半導(dǎo)體新創(chuàng)公司Ceitec座落于巴西南部Porto Alegre的晶圓廠于2月初正式剪裁開幕,對該國來說意義重大;據(jù)了解,該晶圓廠採用授權(quán)自X-Fab的0.6微米製程技術(shù),產(chǎn)能約每週1,000片6吋晶圓。而Ceitec的高層則發(fā)下豪語,指新廠僅是巴西半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的踏腳石,在三年之內(nèi)巴西就會出現(xiàn)比美臺積電(TSMC)的大型12吋晶圓廠。 在去年接任Ceitec董事長暨執(zhí)行長的Eduard Weichselbaumer,在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界擁有28年的豐富經(jīng)驗,曾在Fairchild、LSI Logic
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手機充電器接口啟動標準化進程,手機側(cè)將采用Micro-USB
- 近日,國際電聯(lián)ITU-T第五研究組(SG5)全會上完成了“通用移動終端及其他ICT設(shè)備的電源適配器和充電器方案”框架標準,已經(jīng)獲得SG5全會通過,并申請進入報批程序。其中主要對手機充電器,手機側(cè)接口進行了統(tǒng)一。根據(jù)標準,未來的手機充電器手機側(cè)接口都將使用Micro-USB接口。而“這也正是我國充電器標準優(yōu)化方案中參考使用的標準之一。”泰爾實驗室相關(guān)負責(zé)人在接受記者采訪時表示,“相關(guān)國標(充電器手機側(cè)接口標準)最快將于年內(nèi)完成標準化過程。&rd
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采用0.18µm CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路
- 采用0.18micro;m CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路,本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)?;旌系姆椒ㄟM行設(shè)計,第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結(jié)果表明,當電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以
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Energy Micro推出世界最高能效微控制器
- 節(jié)能型微控制器公司Energy Micro今日宣布其第一個產(chǎn)品系列開始供貨,推出了32位EFM32 Gecko(壁虎) 微控制器系列。以超高效的ARM® Cortex-M3微控制器架構(gòu)為基礎(chǔ),EFM32G已被證實可將電池壽命延長到原來的4倍,僅消耗現(xiàn)有的8位、16位或32位微控制器所需能量的四分之一。 經(jīng)驗證,由于在執(zhí)行來自Flash的實際代碼時每兆赫所耗電量低于180µA,因此EFM32G與任一微控制器相比,實現(xiàn)了其活動模式電流消耗最低。它的待機電流消耗也是最低,在運行實時
- 關(guān)鍵字: Energy-Micro 微控制器 EFM32G
采用0.18micro;m CMOS設(shè)計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)
- 本文采用0.18µm CMOS工藝設(shè)計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復(fù)用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進行設(shè)計,第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復(fù)用,第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復(fù)用,從而實現(xiàn)16:1的復(fù)用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結(jié)果表明,當電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以工作在2.5b/s,功耗約為6mW。
- 關(guān)鍵字: micro 0.18 CMOS 2.5
micro Ⅲ lite介紹
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