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TI推出具有啟動(dòng)過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 　　TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ～6V 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉(zhuǎn)換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz，以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)均可提供高達(dá) 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動(dòng)、可調(diào)慢啟動(dòng)、電流限制、熱關(guān)斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎(chǔ)設(shè)施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
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基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)

  • 　　0 引言 　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時(shí)，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí)，一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng)，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí)，插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗，此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件，或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 　　所謂熱插拔(Hot
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集成功率FET的鋰離子開關(guān)充電器

  • 　　當(dāng)輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線性電池充電器的功耗相當(dāng)大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線性充電器的平均功耗超過5W。 　　bq241xx系列開關(guān)充電器是對(duì)過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達(dá)2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達(dá)18V，非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
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AB類功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

  • 　　1 AB類功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 　　 　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
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一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設(shè)計(jì)

Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

  • 　  Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關(guān)穩(wěn)壓器系列，支持廣泛的工作輸入電壓，并且可以處理高達(dá) 100V 的瞬態(tài)尖峰。 　　ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓；而 ISL8540 支持 9
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飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動(dòng)器多芯片模塊

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對(duì)于空間極度受約束的應(yīng)用，比如小外形尺寸的臺(tái)式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應(yīng)用，F(xiàn)DMF6700為設(shè)計(jì)人員提供別具吸引力的解決方案。 　　在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉(zhuǎn)換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
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移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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34063用于DC－DC電源變換的電路

  • 34063一種用于DC－DC電源變換的集成電路，應(yīng)用比較廣泛，通用廉價(jià)易購。
  • 關(guān)鍵字： 升壓  降壓  功率  MOS  

如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： FET  DAC  ADI  

功率P-FET控制器LTC4414

  • LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換，也可用作高端功率開關(guān)。該器件主要特點(diǎn)：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅(qū)動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護(hù)及外接P-MOSFET的柵極箝位保護(hù)；可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制；節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
  • 關(guān)鍵字： LTC4414  P-FET  電源技術(shù)  工業(yè)控制  模擬技術(shù)  工業(yè)控制  

FET新版本可用于Serial RapidIO端點(diǎn)

日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

  • 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50％。此外，相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
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擴(kuò)展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

  • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應(yīng)。當(dāng)與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結(jié)合使用時(shí)，現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴(kuò)展的低頻性能，使之成為設(shè)計(jì)與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
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1994年6月，無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收

  • 　　1994年6月，我國“七五”電子工業(yè)的頭號(hào)工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國當(dāng)時(shí)微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
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