首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos—fet

集成智能——第1部分：EMI管理

  • 　　智能集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動(dòng)汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?！　D1所示為集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切要素，如場效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過長，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)。　　BLDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢包括效率、緊湊的尺寸、更長的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能?！　D1：智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器　　集成智能系列博
  • 關(guān)鍵字： BLDC  FET  

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

  • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
  • 關(guān)鍵字： FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

  • 如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行；從輸出到輸入。幸運(yùn)的是，有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識和了解。
  • 關(guān)鍵字： FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

  • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車、無線揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動(dòng)汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動(dòng)汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
  • 關(guān)鍵字： 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅(qū)動(dòng)器  

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

  • 如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
  • 關(guān)鍵字： mos  

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
  • 關(guān)鍵字： MOS  電源  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： MOS  FinFET  

拯救EMI輻射超標(biāo)，開關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

  • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
  • 關(guān)鍵字： EMI  開關(guān)電源  MOS  

DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

  • 在開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)化為另一個(gè)電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
  • 關(guān)鍵字： DC-DC  MOS  同步  開關(guān)電源  非同步  

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會(huì)結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來臨時(shí)，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
  • 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì)  天線  天線效應(yīng)  充電損害  MOS  

FET知識：采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

  • 　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí)，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來提供柵極電壓?！　∨c晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式?！　∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反?！　ET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
  • 關(guān)鍵字： FET  放大電路  

使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

  • 該電路采用衰減場效應(yīng)晶體管(FET)分流信號到地面。這個(gè)R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號電壓會(huì)(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
  • 關(guān)鍵字： FET  壓控衰減器  

單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

  • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn)：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求，這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
  • 關(guān)鍵字： 單片機(jī)  FET  穿通電流  工作頻率  

學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

  • 　　導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 　　硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 　　   　　根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。 　　半導(dǎo)體的電流流通原理 　　(1) N型半導(dǎo)體 　　圖1是在硅晶
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  FET  
共194條 5/13 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

mos—fet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos—fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mos—fet的理解，并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473