首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos—fet

開關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗

  • 一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準(zhǔn)的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個人電腦，而開關(guān)電源就進行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關(guān)損耗開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
  • 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源  MOS  MOSFET  

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效

  • 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
  • 關(guān)鍵字： SiC FET  PFC  

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

  • GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
  • 關(guān)鍵字： 3nm FinFET  GAA FET  晶體管  

模電設(shè)計的九個級別，你到哪個段位了？

  • 模擬電路設(shè)計的九個級別，類似下圍棋的段位。請從一段到九段仔細閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
  • 關(guān)鍵字： 模電  模擬電路  MOS  

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

  • GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動器、內(nèi)部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實現(xiàn)2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機會？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
  • 關(guān)鍵字： GaN  FET  SiC  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

  • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
  • 關(guān)鍵字： EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關(guān)鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

電源管理設(shè)計小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓撲選擇

  • 離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結(jié)構(gòu)時，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個智能燈開關(guān)，用戶可以通過智能手機的應(yīng)用程序進行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓撲是一個合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
  • 關(guān)鍵字： BOM  FET  VDD  

超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

  • 繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實現(xiàn)低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關(guān)頻率固定；降低負載后，進入綠色模式，開關(guān)頻率降低；在空載和輕載時，
  • 關(guān)鍵字： EMI  PWM  MOS  

Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
  • 關(guān)鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

  • 電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據(jù)雙向開關(guān)的使用與否實現(xiàn)一個或兩個功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無刷電流意味著全球電動工具FET總區(qū)域市場增長了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓撲轉(zhuǎn)換到無刷拓撲意味著FET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
  • 關(guān)鍵字： FET  BLDC  

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動設(shè)計細節(jié)

  • 一般認為MOSFET是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結(jié)電容存在。這個電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單......
  • 關(guān)鍵字： MOS  MOSFET  

看看國外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

  • 　　每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術(shù)、先進內(nèi)存、顯示、感測器、微機電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
  • 關(guān)鍵字： DRAM  GAA-FET  

發(fā)光二極管與MOS中為何要添加多余的電流？

  • 發(fā)光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進行入門學(xué)習(xí)時經(jīng)常會選擇發(fā)光二極管來入手。本文將對發(fā)光二極管與MOS之間的特定關(guān)系
  • 關(guān)鍵字： 發(fā)光二極管  MOS  電流  

同步整流器與開關(guān)MOS在功率電源的耗散

  • 在大功率電源當(dāng)中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
  • 關(guān)鍵字： 同步整流器  MOS  功率  
共194條 4/13 |‹ « 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 » ›|

mos—fet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos—fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mos—fet的理解，并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473