mos—fet 文章進(jìn)入mos—fet技術(shù)社區(qū)

UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu))宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見(jiàn)于電動(dòng)汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過(guò)
關(guān)鍵字： SiC FET

場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)
關(guān)鍵字： MOSFET MOS 場(chǎng)效應(yīng)管

開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少M(fèi)OS管損耗

一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓，透過(guò)不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個(gè)人電腦，而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSFET

采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級(jí)的能效

圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過(guò)，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實(shí)現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計(jì)師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進(jìn)行權(quán)衡取舍，一個(gè)好例子是既要求達(dá)到服務(wù)器電源的“鈦”標(biāo)準(zhǔn)等能效目標(biāo)，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運(yùn)行。在大部分情況下，會(huì)通過(guò)升壓轉(zhuǎn)換器部分實(shí)施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會(huì)將整流后
關(guān)鍵字： SiC FET PFC

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
關(guān)鍵字： 3nm FinFET GAA FET 晶體管

模電設(shè)計(jì)的九個(gè)級(jí)別，你到哪個(gè)段位了？

模擬電路設(shè)計(jì)的九個(gè)級(jí)別，類似下圍棋的段位。請(qǐng)從一段到九段仔細(xì)閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
關(guān)鍵字：模電模擬電路 MOS

TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
關(guān)鍵字： GaN FET SiC

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小。可在高頻率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開(kāi)關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高開(kāi)關(guān)頻率操作
關(guān)鍵字： EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開(kāi)關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建?？梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS

電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

離線電源是最常見(jiàn)的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對(duì)所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來(lái)越大。對(duì)于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開(kāi)關(guān)，用戶可以通過(guò)智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過(guò)程中不會(huì)接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對(duì)于離線電源來(lái)說(shuō)，反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案，因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
關(guān)鍵字： BOM FET VDD

超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS電流型副邊反饋控制芯片 — SCM1733ASA

繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應(yīng)用范圍及更低的價(jià)格需求，金升陽(yáng)推出超低靜態(tài)功耗、內(nèi)置高壓MOS且性價(jià)比更高的新產(chǎn)品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應(yīng)用于中小功率AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM控制器，內(nèi)置高壓功率MOS，最大輸出功率達(dá)20W，待機(jī)功耗＜75mW，具有極低的啟動(dòng)電流和工作電流，可在實(shí)現(xiàn)低的損耗的同時(shí)保證可靠啟動(dòng)。芯片滿載工作時(shí)，PWM開(kāi)關(guān)頻率固定；降低負(fù)載后，進(jìn)入綠色模式，開(kāi)關(guān)頻率降低；在空載和輕載時(shí)，
關(guān)鍵字： EMI PWM MOS

Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件

對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開(kāi)關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無(wú)刷電流意味著全球電動(dòng)工具FET總區(qū)域市場(chǎng)增長(zhǎng)了3到6倍（見(jiàn)圖1）。圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無(wú)刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
關(guān)鍵字： FET BLDC

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單......
關(guān)鍵字： MOS MOSFET

看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

　　每年十二月，在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇，在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting，縮寫(xiě)：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
關(guān)鍵字： DRAM GAA-FET