首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mos—fet

使用結型FET的簡易電壓控制放大器電路及工作原理

  • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
  • 關鍵字: FET  結型  電壓控制  放大器電路    

保護汽車冷卻風扇模塊免受熱失控引起的損壞

  • 在嚴苛的汽車環(huán)境中,各種功率場效應晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損,致使其進入開路、短路或阻性模式。
  • 關鍵字: RTP器件  FET  

V-MOS管測試

通過優(yōu)化變換器的FET開關來改善能量效率

  •  在計算和消費電子產品中,效率已經有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現,設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進?! C/DC平均系統
  • 關鍵字: 改善  能量  效率  開關  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

羅姆與APEI聯合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備,與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
  • 關鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

用射頻開關優(yōu)化智能手機信號

  • 智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
  • 關鍵字: 射頻開關  隔離度  插損  FET  pHEMT  

Intersil集成化開關穩(wěn)壓器簡化電源設計

  • 簡介   一提到電源設計,大多數工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
  • 關鍵字: intersil  FET  DC/DC  

MOS場效應管逆變器自制

  • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程:     圖1  工作原理  一、方波的產生  這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而
  • 關鍵字: 自制  逆變器  效應  MOS  

高性能、可高壓直接驅動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
  • 關鍵字: 光耦  可調  死區(qū)時間  MOS  

MOS管短溝道效應及其行為建模

  • 1 引 言  目前,實現微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性
  • 關鍵字: 行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS  

電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作

  • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
  • 關鍵字: 逆變器  制作  效應  MOS  變壓器  電源  

舞臺功放MOS管改裝方法

  • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
  • 關鍵字: 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

基于MOS開關的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

  • 摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
  • 關鍵字: 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關  高頻  基于  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

共194條 10/13 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 »

mos—fet介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條mos—fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對mos—fet的理解,并與今后在此搜索mos—fet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473