電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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FET 結型 電壓控制 放大器電路
在嚴苛的汽車環(huán)境中,各種功率場效應晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損,致使其進入開路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
在計算和消費電子產品中,效率已經有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現,設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進?! C/DC平均系統
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改善 能量 效率 開關 FET 優(yōu)化 變換器 通過
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備,與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
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射頻開關 隔離度 插損 FET pHEMT
簡介
一提到電源設計,大多數工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
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intersil FET DC/DC
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程: 圖1 工作原理 一、方波的產生 這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而
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自制 逆變器 效應 MOS
NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
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光耦 可調 死區(qū)時間 MOS
1 引 言 目前,實現微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性
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行為 建模 及其 效應 管短溝 MOS
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
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逆變器 制作 效應 MOS 變壓器 電源
以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
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方法 改裝 MOS 功放 舞臺
摘要:本文研究了基于MOS固態(tài)開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案,最終實現了重復頻率80kHz,4kV脈沖源,實驗驗證了電磁兼容措施的
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電磁兼容 問題 研究 脈沖 高壓 MOS 開關 高頻 基于
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