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如何對(duì)耗盡型pHEMT射頻放大器進(jìn)行有效偏置？

  • 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡化框
  • 關(guān)鍵字： pHEMT  放大器  有效偏置  偏置電路  

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

  • 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。
  • 關(guān)鍵字： pHEMT  功率放大器  有源偏置  

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

  • 假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡
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基于ADS的C波段的低噪聲放大器仿真設(shè)計(jì)研究

  • 低噪聲放大器是接收機(jī)中最重要的模塊之一，文中采用了低噪聲、較高關(guān)聯(lián)增益、PHEMT技術(shù)設(shè)計(jì)的ATF35176晶體管，設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于5．5～6．5 GHz頻段的低噪聲放大器。為了獲得較高的增益，該電路采用三級(jí)級(jí)聯(lián)放大結(jié)構(gòu)形式，并通過ADS軟件對(duì)電路的增益、噪聲系數(shù)、駐波比、穩(wěn)定系數(shù)等特性進(jìn)行了研究設(shè)計(jì)，最終得到LNA在該頻段內(nèi)增益大于32．8 dB，噪聲小于1．5 dB，輸入輸出駐波比小于2，達(dá)到設(shè)計(jì)指標(biāo)。
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寬帶阻抗變換器的PHEMT分布式功率放大器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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利用GaAs PHEMT設(shè)計(jì)MMIC LNA

  • 在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對(duì)于從噪聲中析出信號(hào)十分關(guān)鍵?？刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù)，包括過濾和低 ...
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用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

  • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
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Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器

  • 　　Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線應(yīng)用。 　　HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無需外部匹配電路，從而成為競爭對(duì)手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應(yīng)用AH-1與AM-1增益單元。 　　HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
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Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器

  • 　　Hittite Microwave Corporation近日推出一個(gè)新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)頻率覆蓋22到46GHz的連續(xù)輸出。這一器件在時(shí)鐘發(fā)生器，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電、軍事和航空、VSAT以及測試設(shè)備應(yīng)用中，還具有優(yōu)越的基波和諧波抑制。 　　HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術(shù)，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉(zhuǎn)換損耗倍頻器和一個(gè)輸出緩沖放大器組成。當(dāng)用+5 dBm輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
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phemt介紹

假晶形高電子遷移率晶體管；贗高電子遷移率晶體管；假同晶高電子遷移率晶體管 PHEMTpseudomorphic high-electron-mobility transistor 一種利用在砷化鎵上生長的特殊外延層制造的射頻砷化鎵 (GaAs)功率晶體管，可以使其在用于蜂窩電話和射頻調(diào)制解調(diào)器上時(shí)實(shí)現(xiàn)低電壓、高效率。 [ 查看詳細(xì) ]

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