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安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小
- 安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)組件迅速增長的需求。直到最近,SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm,比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%。而且,它的外形只有2.30mm,比D2PAK封裝的體積小60%。除了更小尺寸之外,TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù),即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅(SiC)芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列,以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝,具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性,適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng),如光伏逆變器。同時,這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大,從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時,隨著柵極運行
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場效應(yīng)管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通
- 1、放大電路場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓,并影響放大倍數(shù)Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應(yīng)用很廣泛,如下圖是主要是由場效應(yīng)管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調(diào)標尺工序。由于場
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開關(guān)電源MOS管有哪些損耗,如何減少MOS管損耗
- 一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源(SwitchModePowerSupply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源(例如市電)或是直流電源,而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備,例如個人電腦,而開關(guān)電源就進行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關(guān)損耗開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
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10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護
- 摘要傳統(tǒng)上,過流保護使用的是保險絲。但是,保險絲體積龐大,響應(yīng)速度慢,跳閘電流公差大,需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應(yīng)速度快的10 A電子保險絲,它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統(tǒng)停機時間,使用率高的電源或全年無休的系統(tǒng)需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統(tǒng)或板(例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務(wù)器和路由器)供電時,必須為電源提供過流保護??焖贁嚅_發(fā)生故障的子系統(tǒng)與共享電源總
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功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè),構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來
- 全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學家已達成共識,必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平,將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下,才能擁有一個可持續(xù)發(fā)展的未來。要實現(xiàn)面向未來的可持續(xù)能源網(wǎng)絡(luò),綠色轉(zhuǎn)型勢在必行,下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施必須對環(huán)境有利。安森美認為下一代能源網(wǎng)絡(luò)將主要基于太陽能和風能等可再生能源,并結(jié)合能源儲存的能力。此外,我們認為能耗必須向電動汽車 (EV) 等高效和零排放的負載遷移,以實現(xiàn)可行且可持續(xù)的能源網(wǎng)絡(luò)。圖1 21世紀能源網(wǎng)絡(luò)無論是太陽能、風能和儲能等可再生能源,還是電動汽車
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健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇
- 可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領(lǐng)域,作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備,可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇,可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后,行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計,2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元,是2014年的2倍以上,可以說可穿戴設(shè)備已成為過去5年來消費電子領(lǐng)域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響,部
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如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率
- 電網(wǎng)提供的電能是交流電,但我們使用的大多數(shù)設(shè)備都需要直流電,這意味著進行這種轉(zhuǎn)換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負載之一。隨著世界關(guān)注能效以保護環(huán)境并管理運營成本,這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量,很容易理解。但是,輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設(shè)備(包括電源)消耗的有用(真實)功率與總(視在)功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉(zhuǎn)換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載,PF 將等于1,但任何負載內(nèi)的無功
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貿(mào)澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學 (PAS) 原理,采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內(nèi)CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸,與市面上其他CO2傳感器相比,可以在最終產(chǎn)品中節(jié)省超過75%的空間。貿(mào)澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器(包含檢測器、紅外源和光學濾波器)、用
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揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用SGT工藝
- 4月8日消息,揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品,采用先進的SGT (Shield Gate Trench MOSFET) 制程工藝,針對電機驅(qū)動、BMS等應(yīng)用設(shè)計,優(yōu)化BVdss、Rdson、Qg等參數(shù)性能同時,提升MOSFET抗沖擊電流能力。N80V-N85V系列MOSFET產(chǎn)品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、逆變電源系統(tǒng)、電機驅(qū)動系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)等,是其核
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你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重?
- 在開關(guān)電源電路中,MOSFET作為最核心的器件,卻也是最容易發(fā)熱燒毀的,那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢?本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET?MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型,PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示,對于N溝道型的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對于P溝道的場效應(yīng)管,如圖2所
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最全!20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件,工溫最高175℃
- 中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè):揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品:中低壓MOSFET(VDSS:20V-150V)和高壓MOSFET(VDSS:500V-900V)· 廠牌優(yōu)勢:專注于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,,通過了ISO9001,ISO14001,IATF16949等認證,連續(xù)數(shù)年評為中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)。國內(nèi)領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè):長晶科技(JSCJ)· 主要產(chǎn)品:覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢:專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
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mosfet介紹
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]
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