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Littelfuse首款碳化硅MOSFET可在電力電子應用中實現(xiàn)超高速切換

　　Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出了首個碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.，向成為功率半導體行業(yè)的領軍企業(yè)再邁出堅定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導通電阻(80m?)，是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設計、開發(fā)和生產(chǎn)的
關鍵字： Littelfuse MOSFET

采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅(qū)動電路

采用自舉升壓結構設計雙電壓mosfet驅(qū)動電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個方波信號，利用電容Cboot將A點電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個與輸入信號反相，且高電平高于VDD的方波信號。具體工作原理如下：
關鍵字： mosfet 驅(qū)動電路

功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖

功率mos管工作原理與幾種常見驅(qū)動電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅(qū)動電路設計，功率mosfet驅(qū)動電路原理圖。
關鍵字：驅(qū)動電路 mosfet 電路圖

利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡

利用單個反饋源實現(xiàn)任意量級偏置電流網(wǎng)絡-假設須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個電流沉/源的大小任意，可能須要針對不同階段的一些復雜模擬電路進行偏置。雖然基準電壓的生成僅須一次實施即可，電流沉整個反饋部分的重復進行卻使成本與設計空間密集化。
關鍵字：模擬電路 MOSFET

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在

MOSFET 安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務關鍵的伺服器和通信設備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復位等問題?？刂破?IC 驅(qū)動與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開關（圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開關緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對負載電容充電時能夠保持在安全水平。
關鍵字： mosfet linear

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評測了主開關采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大?！　∏把浴　∈袌鰧﹂_關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。　　寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
關鍵字： MOSFET SiC

什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

什么是同步整流器？開關MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
關鍵字：整流器 mosfet 二極管

用GaN重新考慮功率密度

用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
關鍵字： mosfet 氮化鎵 pfc

一篇文章讀懂超級結MOSFET的優(yōu)勢

　　平面式高壓MOSFET的結構　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 　　　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
關鍵字： MOSFET 超級結

智能電網(wǎng)端口保護：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

　　今天，做一個產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應用的端口保護設計，就像是組織一場足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術，去抵御來自對手的每一次可能的“進攻”。這其中的門道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護界的“豪門”，是怎么玩兒的?！　∧切┟餍窃　∠葋砑殧?shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護元件“球星”，它們大多來自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
關鍵字：智能電網(wǎng) MOSFET

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰脼閷虻亩搪纺褪苣芰Φ?。可與IGBT兼容的VGS=15V導通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
關鍵字：電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707

電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

全球出現(xiàn)的能源短缺問題使各國政府都開始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標準越來越嚴格，對于電源設計工程師，如何設計更高效率、更高性能的電源是一個永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
關鍵字：電源模塊性能 PCB布局技術 MOSFET

三極管和MOS管做開關用時的區(qū)別

實際上就是三極管比較便宜，用起來方便，常用在數(shù)字電路開關控制。MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。一般來說低成本場合，普通應用的先考慮用三極管，不行的話考慮MOS管
關鍵字：三極管 MOSFET

功率MOSFET的結構,工作原理及應用

“MOSFET(場效應管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(場效應管)(Power MOSFET(場效應管))是指它能輸出較大的工作電流
關鍵字：功率MOSFET MOSFET

理想二極管控制器在電源“或”應用中免除了耗能的二極管

MOSFET二極管
關鍵字： GATE MOSFET SENSE

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]