nand flash 文章進入nand flash技術(shù)社區(qū)

海力士前高層加入慧榮　SSD大戰(zhàn)鳴槍

　　固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。　　慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機會延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營運
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NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場暗潮涌動

　　NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術(shù)勢在必行。　　從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。　　RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
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DRAM樂觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。　　DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀錄。　　NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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東芝擴充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎

　　據(jù)國外媒體報道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時會考慮海外地區(qū)。　　東芝在不到4個月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產(chǎn)品。　　田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時，他補充說
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美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機

　　美國存儲器大廠美光(Micron)宣布，與存儲器廠商華邦電擬進一步合作開發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機，預(yù)計2015年1月就會開始送樣認證1GB芯片。　　 ? 　　據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結(jié)盟，雙方將開發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
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中國“援軍”幫助東芝追趕三星

智能手機全球迅速普及、終端記憶體的大容量化、大數(shù)據(jù)時代到來等，都將大幅增加對NAND型記憶卡的需求。
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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

　　在設(shè)計及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。　　FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器相比不僅運行速度更
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NAND閃存窮途末路下一代閃存技術(shù)百花齊放

　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構(gòu)，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內(nèi)

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財報結(jié)算壓力過后，不再采取積極價格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機
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三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國時報(Korea Times)15 日報導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價格穩(wěn)定與市場供需平衡。　　據(jù)報導(dǎo)，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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MSP430F單片機設(shè)計的超低功耗電子溫度計方案

　　本文設(shè)計的超低功耗電子溫度計能夠通過溫度傳感器測量和顯示被測量點的溫度，并可進行擴展控制。該溫度計帶電子時鐘，其檢測范圍為l0℃～30℃，檢測分辨率為1℃，采用LCD液晶顯示，整機靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計思想對其它類型的超低功耗微型便攜式智能化檢測儀表的研究和開發(fā)，也具有一定的參考價值。　　1 元器件選擇　　本系統(tǒng)的溫度傳感器可選用熱敏電阻。在10～30℃的測量范圍內(nèi)，該器件的阻值隨溫度變化比較大，電路簡單，功耗低，安裝尺寸小，同時其價格也很低，但其熱敏電阻精度、重復(fù)性、可
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挺進蘋果三星，新芯代工兆易Flash突破十萬晶圓

　　伴隨大陸手機產(chǎn)業(yè)的崛起，一批本土IC設(shè)計企業(yè)正在逐步壯大，兆易創(chuàng)新無疑是其中的佼佼者之一。　　功能手機大多采用SPI NOR Flash芯片，設(shè)計相對簡單，而且制造成本較低，對于低端手機頗有吸引力。目前來看，功能機的市場容量依然不可小覷。工信部曾發(fā)布2014年第一季度《中國手機行業(yè)運行狀況》報告，其中顯示今年一季度，2G手機(功能機)總出貨量為1144萬部，雖然同比下降超七成，但是仍然是個不小的數(shù)字。放眼全球市場，根據(jù)IDC發(fā)布的全球智能手機出貨量報告，去年全球智能手機的出貨量達到10億400萬臺
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東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術(shù)加速市場化

　　2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動下表現(xiàn)出價格穩(wěn)定、需求強勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce最新報告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。　　在今年的高交會上，記者也對東芝新制程的存儲
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無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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基于藍牙技術(shù)的LED點陣屏設(shè)計方案

　　0 引言　　本文設(shè)計一種內(nèi)容更新便捷、可擴展、低價格的點陣LED 文字顯示屏。降低成本的途徑是①用幾乎人人都有的手機的藍牙數(shù)據(jù)傳輸功能進行LED 顯示內(nèi)容的更新，免去專業(yè)上位機軟件和控制卡的成本，操作也更簡單;②單次顯示內(nèi)容在5 ~ 30 個漢字或英文字母，因為顯示內(nèi)容較少，就可實現(xiàn)擴展電路的簡單化。　　1 系統(tǒng)設(shè)計方案　　1. 1 系統(tǒng)組成　　系統(tǒng)由帶藍牙功能的智能手機和LED 顯示屏組成。其中，LED 顯示屏由單片機、LED 點陣模塊、字庫芯片、藍牙接收模塊、5V 開關(guān)電源和3.3
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]