nand flash 文章進入nand flash技術社區(qū)

儲存市場新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴陣以待

　　儲存裝置市場正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費者預期未來將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢。　　據(jù)TechRadar報導，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。　　據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應的高
關鍵字： IBM SSD Flash

東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領先優(yōu)勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
關鍵字：東芝 3D Flash

TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。　　DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
關鍵字： TLC NAND

性價比優(yōu)勢更明顯　TLC NAND應用版圖急擴張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。　　三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。　　在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
關鍵字：三星 TLC NAND

EMC：新技術沖擊導致傳統(tǒng)業(yè)務節(jié)節(jié)敗退

　　由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動器陣列銷售衰退的趨勢已然出現(xiàn)，與此同時超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務則及時趕上，填補了這部分市場空間。　　William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會議的內(nèi)容總結。　　EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統(tǒng)市場的復合年均營收(目前為260億美元)將實現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨立混合系
關鍵字： EMC NAND

大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升

　　中國大陸智能型手機的高成長，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
關鍵字： DRAM NAND Flash

3D NAND堆疊競爭鳴槍　SK海力士、東芝苦追三星

　　為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨大市場，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠也正加速展開相關技術研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。　　據(jù)ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現(xiàn)象等問題，已進入瓶頸。主要半導體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術。半導體業(yè)界的技術競爭焦點從制程微細化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
關鍵字： NAND 三星

美光開放日：引領互聯(lián)世界存儲潮流

　　近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學者和媒體共同分享公司在該領域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢。　　美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類型解決方案的廠商，占據(jù)整個存儲器22%以上的市場份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡建設、機器對機器、移動設備、云和大數(shù)據(jù)五大應用領域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤、NA
關鍵字：美光存儲器 NAND 201503

美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟

　　希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設立一結合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術之架構。在此協(xié)議的架構基礎上，雙方客戶能夠同時受益于領先業(yè)界的儲存解決方案，進而更快速且有效率地實現(xiàn)創(chuàng)新。　　盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長達數(shù)年的結盟協(xié)議在未來將有機會發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
關鍵字：美光希捷 NAND

半導體市場今年迎向高規(guī)格之爭

　　2015年由行動裝置帶動的高規(guī)格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產(chǎn)業(yè)成長新動能。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
關鍵字：半導體 NAND Flash LPDDR4

NAND閃存下一步指向3D架構14納米

　　存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。近年來，存儲芯片行業(yè)熱點話題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進展情況如何?LPDDR4在市場上的應用進程是怎樣的?移動產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術發(fā)展的路徑或許會爭論不休，但是整體方面卻不會改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節(jié)能以及更低的成本。　　2015年手機存儲市場　　著眼用戶體驗提升　　目前業(yè)界對于2015年中國智能手機市場走勢的預測很多，總的觀點是增長率放緩。當
關鍵字： NAND 14納米

2014年Q4品牌NAND供應商營收僅成長2%

　　根據(jù)市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長2%至87.5億美元。　　DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下
關鍵字： NAND 英特爾三星

淡季影響銷售，NAND Flash 供應商 Q1 將供過于求

　　根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產(chǎn)銷端的壓力影響營收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過于求，在價格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進制程的轉(zhuǎn)進，改善成本架構，以減低價格跌幅的沖擊。　
關鍵字： NAND Flash 三星東芝

國際大廠找Mobile RAM貨源　敲開與臺廠合作大門

　　存儲器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。　　半導體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內(nèi)建存儲器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
關鍵字： NAND Flash Mobile RAM

NAND Flash價格續(xù)滑　難擺脫供給過剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續(xù)增加，造成價格連續(xù)兩個月下滑，業(yè)界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價格下滑情況恐將更明顯。　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
關鍵字： NAND Flash 三星

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]