nand 文章 進入nand技術社區(qū)
筆記本電腦與手機火熱 2021年第一季NAND Flash總營收季增5.1%
- 根據(jù)TrendForce表示,2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營收達148.2億美元,季增5.1%,其中位出貨量成長11%,大致抵消平均銷售單價下跌5%帶來的影響。在議價時,需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁,但數(shù)據(jù)中心市場需求仍屬疲弱,市場尚未脫離供過于求的狀態(tài),各類產(chǎn)品合約價仍呈現(xiàn)明顯下跌。然而,OEM/ODM采購開始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給,自今年一月下旬便開始增加訂單,一方面避免陷入缺貨風險,也希望在料況無虞的情況下,策略性擴大市占,使得第一季NAND
- 關鍵字: NAND Flash
美光專家對176層NAND的解答
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- 2020 年11 月,美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND,實現(xiàn)閃存性能和密度的重大突破(如圖1)。為此,《電子產(chǎn)品世界》采訪了該公司工藝集成技術開發(fā)高級總監(jiān)Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線高級經(jīng)理KevinKilbuck。問:176 層產(chǎn)品目前用于哪些應用?Kevin Kilbuck:我們Crucial英睿達品牌的某些消費類固態(tài)硬盤采用了176 層NAND,已經(jīng)開始出貨。問: 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰(zhàn)?如何解決層間干擾?Kunal Parekh: 通過嚴格的試驗和測
- 關鍵字: 202103 NAND
2021年DRAM與NAND增長快,美光領跑研發(fā)與新技術
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- 近日,美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術。值此機會,該公司舉辦了線上媒體溝通會,執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預測,以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年,全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預測,半導體產(chǎn)業(yè)預計增長可達12%,整個半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中,內(nèi)存與存儲預計增長可達19%,增度遠超整
- 關鍵字: DRAM NAND
美光科技:DRAM芯片供應緊張將持續(xù)數(shù)年,NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定
- 存儲芯片大廠美光(Micron)執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示,2020年汽車電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年顯現(xiàn)明顯復蘇,并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品,一種是DRAM(動態(tài)隨機存儲器),用于緩存,另一種是NAND Flash(閃存),用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領域,韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱,預期今
- 關鍵字: 美光科技 DRAM NAND
SK海力士90億美元接盤英特爾NAND業(yè)務,存儲芯片格局或生變
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- 半導體并購再起。2020年以來,半導體的重磅收購不斷。英偉達擬收購ARM,AMD洽談收購賽靈思,半導體領域接連出現(xiàn)重大變數(shù),金額屢創(chuàng)新高。今天新的主角又登場了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務。本次收購范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤 (SSD) 業(yè)務、NAND閃存和晶元業(yè)務,以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過,英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業(yè)務。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易,超過三星在20
- 關鍵字: SK海力士 英特爾 NAND 存儲芯片
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)
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- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規(guī)光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術的芯片)。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架,針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術,可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示:“利用單一的高能量電子
- 關鍵字: DRAM NAND
游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價格波動有限
- 根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查,盡管消費性產(chǎn)品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降,但云端服務、遠距教學的需求也同步催生,加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現(xiàn)缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據(jù)TrendForce分析師葉茂盛指出,當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻,初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變,首次轉(zhuǎn)進SSD的
- 關鍵字: NAND Flash
三星電子擬投資8萬億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線
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- 據(jù)國外媒體報道,三星電子日前表示,計劃投資8萬億韓元(約合人民幣466億元)在韓國平澤工業(yè)園區(qū)建NAND閃存生產(chǎn)線。三星電子生產(chǎn)線建設上月已經(jīng)開始,預計2021年下半年開始生產(chǎn)三星最先進的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示,此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命,以及5G普及而來的NAND需求。上月,三星電子還透露,已在平澤投資建設生產(chǎn)線,新產(chǎn)線專注于基于極紫外光刻(EUV)技術的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線已開始建設,預計明年下半年開始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示,加上平澤生產(chǎn)線,韓國將擁有7條
- 關鍵字: 三星 NAND 閃存
集邦咨詢:數(shù)據(jù)中心需求大增,NAND Flash營收成長8.3%
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- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產(chǎn)業(yè)營收季成長8.3%,達136億美元。延續(xù)去年第四季開始的數(shù)據(jù)中心強勁采購力道,第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外,自年初起,各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常,也帶動主要產(chǎn)品合約價呈現(xiàn)上漲。隨后在農(nóng)歷春節(jié)期間爆發(fā)新冠肺炎疫情,根據(jù)集邦咨詢當時的調(diào)查,服務器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機,也因此對于數(shù)據(jù)中心需求
- 關鍵字: NAND 三星 intel
集邦咨詢:數(shù)據(jù)中心需求大增,第一季NAND Flash營收成長8.3%
- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產(chǎn)業(yè)營收季成長8.3%,達136億美元。
- 關鍵字: 集邦咨詢 數(shù)據(jù)中心 NAND Flash
群聯(lián)全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND
- 電子醫(yī)療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫(yī)護或宅經(jīng)濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩(wěn)健的成長動能,更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數(shù)成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后,也為市場添增了一股活力。
- 關鍵字: 群聯(lián) 控制芯片 長江存儲3D NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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