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西部數(shù)據(jù)擴展視頻存儲和分析產(chǎn)品系列滿足終端智能視頻的動態(tài)需求

　　北京，西部數(shù)據(jù)公司今日發(fā)布三個安防監(jiān)控存儲解決方案更新，擴展了其用于現(xiàn)代監(jiān)控市場的數(shù)據(jù)存儲設備系列。這一系列更新包括：業(yè)內率先發(fā)布的用于監(jiān)控的工業(yè)級3D NAND UFS嵌入式閃存盤(EFD)、拓展至256GB2大容量的WD Purple microSD移動卡系列，以及使OEM及系統(tǒng)集成商能夠主動管理其存儲子系統(tǒng)、維持運行優(yōu)化狀態(tài)的新款設備分析軟件Western Digital Device Analytics(WDDA)?！　?lt;左1：西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)產(chǎn)品市場總監(jiān)-張丹女士、左2：西部數(shù)據(jù)公司
關鍵字：西部數(shù)據(jù) NAND

提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來，全球的非易失存儲功能都仰仗于 NAND 閃存技術。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅動器擴展到筆記本電腦、智能手機和平板電腦，如今又擴展至云端存儲操作所需固態(tài)存儲記憶體。隨著時間的推移，結構上的逐漸演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術已經(jīng)驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻?！　∽畛酰琋AND 閃存制造商使用多重圖案化技術來縮小尺寸，從而增加存儲密度，降低相對應成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
關鍵字： NAND 閃存

西部數(shù)據(jù)公司推出支持先進汽車系統(tǒng)的新款3D NAND UFS嵌入式閃存盤

　　西部數(shù)據(jù)公司于今日推出了新款3D TLC NAND UFS汽車嵌入式閃存盤(EFD)，豐富了其高質量、高耐用性的汽車儲存解決方案，用以滿足對先進汽車系統(tǒng)和自動駕駛車輛的需求(如高級駕駛輔助系統(tǒng)ADAS)。西部數(shù)據(jù)公司iNAND? AT EU312 嵌入式閃存盤的 UFS 2.1接口，可提供高容量和相比較此前基于e.MMC 產(chǎn)品更強的性能，滿足了汽車設備嚴格的質量和可靠性要求?！　≤嚶?lián)網(wǎng)需要以越來越高的容量快速可靠地存儲數(shù)據(jù)，以支持由數(shù)字集群、信息娛樂系統(tǒng)、3D地圖導航、遠程信息處理、高級駕駛輔助系統(tǒng)的
關鍵字：西部數(shù)據(jù) NAND

關于NAND閃存大科普

　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣??！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
關鍵字： NAND eMMC UFS

西部數(shù)據(jù)推出96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤，定位高端智能手機

? ? ? ? 西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ：WDC）今天推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤（EFD）-西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321，旨在加速實現(xiàn)人工智能（AI）、增強現(xiàn)實（AR）、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機及計算設備的高要求應用。 <西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤> ? ? ? ?新款西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
關鍵字： NAND 閃存盤

SK加碼投資NAND新廠，總金額上看178億美元

　　根據(jù)《韓聯(lián)社》報導，這所新的M15新產(chǎn)線位于清州，SK海力士從2016年12月宣布興建，并且于2017年4月動工，并已在今日完工啟用，新廠將加強韓國存儲器產(chǎn)業(yè)中的競爭力。SK計劃持續(xù)擴大這條產(chǎn)線，不過詳細內容將會視市場狀況來決定。該廠將會在2019年第1季開始生產(chǎn)96層NANDFlash快閃存儲器，將會有月產(chǎn)20萬片的程度，類似于位于首爾以南80公里的利川M14生產(chǎn)線?！　K海力士會長崔泰源宣示，身為國家的關鍵企業(yè)，SK海力士將會持續(xù)維持在市場的競爭力。韓國大統(tǒng)領文在寅也出席了啟用儀式，并在致詞表示
關鍵字： SK NAND

3D NAND時代已至！Xtacking技術點燃存儲國產(chǎn)化希望

隨著NAND Flash工藝逐漸從2D向3D過渡，技術和產(chǎn)能齊升的態(tài)勢下，長江存儲以Xtacking技術切入3D NAND市場，為國產(chǎn)存儲技術的發(fā)展點燃了希望。
關鍵字： NAND Xtacking

不怕虧錢，未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入

　　對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入?！　≈瞥痰膬纱箅y點　　中國證券報：3D NAND制造工藝的難點在哪些地方?　　高啟全：3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數(shù)越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數(shù)量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地
關鍵字：長江存儲，NAND

慧榮科技將于2018中國閃存峰會上展出最新存儲主控芯片解決方案

　　全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO)，將于9月19日在深圳舉辦的 “2018中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit)〞展示全系列最新主控芯片解決方案來滿足全方位巿場需求，其包括專為數(shù)據(jù)中心、超高速Client SSD及適用于BGA SSD的PCIe SSD主控芯片為全方位存儲市場帶來最完整的解決方案，此外支持高速移動存儲方案，慧榮將展示UFS 2.1主控
關鍵字：慧榮科技 NAND

NAND閃存大科普

　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。　　在使用期的性能恒定?！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
關鍵字： NAND 閃存

NAND閃存大科普

　　在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！　≡谑褂闷诘男阅芎愣ā！　」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現(xiàn)差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降?！　‰S著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
關鍵字： NAND UFS

晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅動，中國晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達到全球20%份額

　　近日國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長至全球半導體晶圓廠產(chǎn)能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據(jù)首位。　　2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
關鍵字：晶圓 DRAM 3D NAND

中國產(chǎn)能逐漸開出內存價格2019將下滑

　　內存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，因此資策會MIC預測內存價格將于開始下滑?！　≠Y策會MIC資深產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續(xù)增加。因此，預估2018年全球半導體市場規(guī)模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續(xù)增加，以及車用電子等新興應用帶動。　　洪春暉進一步指出，內存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將成長25%，產(chǎn)
關鍵字：內存 NAND

IHS公布二季度半導體銷售排行榜：三星又當?shù)谝?/a>

　　由于持續(xù)受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩(wěn)坐半導體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)?！　「鶕?jù)市場研究機構IHS Markit的統(tǒng)計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%。　　以半導體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7

關鍵字：三星 NAND 英特爾

基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法

　　1. 引言　　NAND FLASH被廣泛應用于電子系統(tǒng)中作為數(shù)據(jù)存儲。在各種高端電子系統(tǒng)中現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現(xiàn)對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法。　　2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介　　歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下：　　其主要特性如下：　　? 總容量
關鍵字： NAND NIOS II FPGA

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]