nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數(shù)擴(kuò)展到超過 200 層，
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SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應(yīng)過剩

芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉(zhuǎn)，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉(zhuǎn)進(jìn)持續(xù)，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機(jī)等消費(fèi)性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續(xù)攀升成為供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態(tài)度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應(yīng)端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預(yù)估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴(kuò)大至8~13%，且跌勢恐將延續(xù)至第四季。按照供應(yīng)鏈的說法，雖然仍
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鎧俠為實(shí)現(xiàn)超高容量SSD，正試驗(yàn)7bit/cell超高密度的3D NAND Flash

NAND Flash制造商一直試圖通過增加每個(gè)單元存儲的位數(shù)來提高其存儲設(shè)備的存儲密度，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，近日鎧俠表示，公司一直在試驗(yàn)在一個(gè)單元中存儲更多比特?cái)?shù)的NAND Flash閃存。據(jù)報(bào)道，近日鎧俠表示，已設(shè)法在每個(gè)單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗(yàn)室和低溫的條件下。為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數(shù)量將隨著每個(gè)單元存儲Bits的增加呈指數(shù)增長。例如，要存儲4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數(shù)字會增長到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現(xiàn)的每個(gè)單元
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潛力無限的汽車存儲芯片

　　隨著智能化、電動化浪潮的推進(jìn)，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動力?！　∑囆酒瑥膽?yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
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盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？

5月30日兆易創(chuàng)新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計(jì)出貨量已超過190億顆，年出貨量超過28億顆，目前兆易創(chuàng)新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng)新NOR Flash產(chǎn)品市場份額達(dá)到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng)新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng)新的營收與凈利潤均實(shí)現(xiàn)大幅增長，2021年和2022年一季度公司營收分別增長89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長39.25%和127.65%。目前芯片行
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中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
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長江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級

近日，長江存儲科技有限責(zé)任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對存儲容量和讀寫性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長江存儲嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預(yù)計(jì)，2021年全球存儲市場規(guī)模將達(dá)1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年

近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了?？梢姡瑖a(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國芯片傳來捷報(bào)，長江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計(jì)的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗(yàn)的第 11 代 SATA 架構(gòu)，支持廣范的應(yīng)用場景，提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

“獨(dú)立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營，以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品

IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù)；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]