nano nor flash 文章進(jìn)入nano nor flash技術(shù)社區(qū)

2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動(dòng)營收季增14%

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于Server（服務(wù)器）終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動(dòng)了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲，但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠商庫存偏高，導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價(jià)上漲了15%，總營收達(dá)167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求，但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD

TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動(dòng)營收環(huán)比增長 14%

IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價(jià)上漲了 15%，總營收達(dá) 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產(chǎn)，意味著基于BiCS FLASH的產(chǎn)品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)設(shè)備提供了更多潛在可能。技
關(guān)鍵字： BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠

1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來

Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
關(guān)鍵字： NAND Flash

鎧俠產(chǎn)能滿載傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品

《科創(chuàng)板日報(bào)》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
關(guān)鍵字：鎧俠 NAND Flash

三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級”存儲器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
關(guān)鍵字：三星 NAND Flash

第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash TrendForce

Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash CMOS圖像傳感器系列

Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴(kuò)展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用，其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上，在
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 Flash

累計(jì)上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價(jià) 至少上調(diào)20%

5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價(jià)，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價(jià)格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計(jì)上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯q價(jià)，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達(dá)到了6.606萬億韓元。財(cái)報(bào)顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強(qiáng)勁，特別是生
關(guān)鍵字： SK海力士三星 DDR5 NAND Flash 上漲

EEPROM 和 flash 這樣講，早就懂了！

前幾天看到群里在討論存儲器，有些人一直搞不懂，今天給大家分享一篇文章總結(jié)一下。存儲器分為兩大類：RAM 和 ROM。RAM 就不講了，今天主要討論 ROM。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)
關(guān)鍵字：存儲器 flash EEPROM

群聯(lián)3月營收年增73%，創(chuàng)歷史單月新高紀(jì)錄

近日，存儲廠商群聯(lián)公布了2024年3月份營運(yùn)結(jié)果，合并營收為新臺幣67.75億元，年成長達(dá)73%，刷新歷史單月營收新高紀(jì)錄。全年度營收累計(jì)至3月份達(dá)新臺幣165.26億元，年成長達(dá)64%，為歷史同期次高。群聯(lián)表示，2024年3月份SSD控制芯片總累計(jì)總出貨量年成長達(dá)96%，其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達(dá)176%，刷新歷史單月新高。此外，全年度累計(jì)至3月份之整體NAND閃存位元數(shù)總出貨量的年成長率（Bit Growth Rate）也達(dá)80%，刷新歷史同期新高，顯示整體市場需求持續(xù)緩步回升趨勢不
關(guān)鍵字：群聯(lián) SSD固態(tài)硬盤 NAND Flash

3D NAND，1000層競爭加速

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報(bào)道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術(shù)官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布，該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
關(guān)鍵字： NAND Flash 存儲芯片鎧俠

第二季NAND Flash合約價(jià)季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高

TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價(jià)將強(qiáng)勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機(jī)品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴(kuò)大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術(shù)進(jìn)一步升級及
關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD

西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉

月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營?，F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
關(guān)鍵字：閃存芯片 NAND Flash 西部數(shù)據(jù)

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個(gè)自然現(xiàn)象，在電子應(yīng)用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導(dǎo)體在經(jīng)過一段時(shí)間連續(xù)工作之后，其功能會(huì)逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導(dǎo)體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機(jī)理最為突出。技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進(jìn)行了分析。?1、?背景從20世紀(jì)初期第一個(gè)電子管誕生以來，電子產(chǎn)品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產(chǎn)品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
關(guān)鍵字：電遷移半導(dǎo)體失效世健 Microchip Flash FPGA