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NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

  • 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

  • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
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探秘DLP NIRscan Nano評(píng)估模塊

  • 　　作為工程師和開發(fā)人員，我們的工作就是找到一個(gè)將所有元件組合在一起的最佳方法。不管是對(duì)于摩天大樓、還是集成電路，內(nèi)部工程結(jié)構(gòu)都是決定是否能夠運(yùn)轉(zhuǎn)良好的關(guān)鍵之一。但說回來，又有誰不曾幻想做個(gè)“破壞王”，把東西都拆開來一探究竟呢?我們最初的與工程設(shè)計(jì)有關(guān)的記憶大部分都來自小時(shí)候把看起來復(fù)雜——甚至是昂貴——的東西拆得七零八落。 　　既然如此，我們就打算看一看DLP NIRscan Nano評(píng)估模塊(EVM)的內(nèi)部構(gòu)造，我們將用老辦法&
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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌

  • 　　許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 　　在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 　　我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 　　第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)前景

  • 本文介紹了存儲(chǔ)器芯片分類，國(guó)際存儲(chǔ)芯片廠商的發(fā)展情況，及我國(guó)存儲(chǔ)芯片供需情況。
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  市場(chǎng)  DRAM  Flash  201607  

NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯　價(jià)格走揚(yáng)

  • 　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

  • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對(duì)供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復(fù)速度很快，給當(dāng)?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點(diǎn)個(gè)贊。
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì)非常缺

  • 　　全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應(yīng)。 　　慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心，立足全球的國(guó)際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會(huì)后，針對(duì)今年NAND Fl
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意法半導(dǎo)體（ST）推出新一代智能功率模塊，可進(jìn)一步減少低功率電機(jī)的耗散功率

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)進(jìn)一步擴(kuò)大智能功率模塊產(chǎn)品陣容，推出SLLIMMTM–nano新一代產(chǎn)品，新增更高功率和封裝選擇，特別適用于對(duì)提高能效和降低成本有需求的應(yīng)用。新一代SLLIMM-nano產(chǎn)品可滿足冰箱、洗衣機(jī)等家電的壓縮機(jī)、風(fēng)扇和電泵的電源要求，還適用于驅(qū)動(dòng)200W以下電器的硬開關(guān)電路且工作頻率低于20 kHz的低功耗電機(jī)。　　SLLIMM-nano模塊集成三個(gè)半橋高壓柵驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT晶體管和六個(gè)快
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

  • 　　中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。 　　某研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。 　　   　　預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 　　拓墣
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nano nor flash介紹

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