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盤點+分析:Flash原廠2016年財報

  • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換,除了研發(fā)成本增加,切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失,同時還需要更新舊設備,增加新設備,以及擴大生產(chǎn)空間,從而導致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少,以及投資成本增加。
  • 關鍵字: Flash  三星  

大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

  •   儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起,南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠,也預定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。   目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面,但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠,在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴充產(chǎn)能,希望市占率能趕上三星,但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。   稍早三星和美光也都
  • 關鍵字: Flash  晶圓  

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  •   SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設,2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。     SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年,所以提前做好準備。   SK海力士曾在20
  • 關鍵字: NAND Flash  SK海力士  

Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

  •   芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?! ?nbsp;     1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫  例如,在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中,如果用戶誤調用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù),這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況,可以在程序中設置多個允許操作的變量,當執(zhí)行寫入或擦除操作時,對
  • 關鍵字: Flash  芯片  

NAND Flash供不應求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進步。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
  • 關鍵字: NAND Flash  英特爾  

Flash缺貨,存儲器成為三星的搖錢樹

  •   NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社)   根據(jù)DIGITIMES的報導,NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè),2017年將增加至13兆韓元,其中4兆韓元用于DRAM,F(xiàn)lash則約9兆韓元,遠不如原
  • 關鍵字: Flash  存儲器  

中國存儲三大勢力成形 各自進擊

  •   早前報導,中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能,就差合肥團隊還未有相關消息,現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光,也透露更多發(fā)展信息。   中國發(fā)展存儲成三路進擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。   合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
  • 關鍵字: 長江存儲  Flash   

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件,是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
  • 關鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網(wǎng)絡  

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
  • 關鍵字: Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
  • 關鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

如何將“壞塊”進行有效利用

  •   被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
  • 關鍵字: Nand Flash  寄存器  

提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備E
  • 關鍵字: MSP430G  單片機  Flash    

關于單片機中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結構也不同,F(xiàn)LASH的電路結構較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構,現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
  • 關鍵字: 單片機  flash  eeprom  

NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page),64個頁(page)組成1個塊(block),4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
  • 關鍵字: Flash  NAND  扇區(qū)管理  

JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用

  • JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結構、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
  • 關鍵字: JEDEC  Flash  JESD    
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