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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設,2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年,所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關鍵字: NAND Flash SK海力士
Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

- 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?! ?nbsp; 1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫 例如,在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中,如果用戶誤調用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或寫入函數(shù),這自然會導致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況,可以在程序中設置多個允許操作的變量,當執(zhí)行寫入或擦除操作時,對
- 關鍵字: Flash 芯片
NAND Flash供不應求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
- 關鍵字: NAND Flash 英特爾
Flash缺貨,存儲器成為三星的搖錢樹
- NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 根據(jù)DIGITIMES的報導,NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè),2017年將增加至13兆韓元,其中4兆韓元用于DRAM,F(xiàn)lash則約9兆韓元,遠不如原
- 關鍵字: Flash 存儲器
中國存儲三大勢力成形 各自進擊

- 早前報導,中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能,就差合肥團隊還未有相關消息,現(xiàn)在相關招募信息與環(huán)評結果曝光,也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲成三路進擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
- 關鍵字: 長江存儲 Flash
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
- 關鍵字: Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
如何將“壞塊”進行有效利用

- 被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
- 關鍵字: Nand Flash 寄存器
關于單片機中的flash和eeprom
- FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結構也不同,F(xiàn)LASH的電路結構較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構,現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
- 關鍵字: 單片機 flash eeprom
nano nor flash介紹
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