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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nano nor flash

芯片加密后究竟能不能再次使用？

  • 　　隨著信息技術(shù)的發(fā)展，信息的載體-芯片的使用也越來越多了，隨之而來的芯片安全性的要求也越來越高了，各個芯片廠商對芯片保密性要求越來越高，芯片的加密，保證了芯片中的信息的安全性。經(jīng)常有客戶打電話過來問，這個芯片加密了還能不能用啊。本文通過對芯片的加密的介紹來看看不同的Flash，MCU以及DSP加密的效果?！　∫弧lash類型芯片的加密　　Flash類芯片(包括SPI?FLASH?,并行FLASH，NAND?FLASH等)加密后一般情況下都是禁止“寫”以及“擦除”操作，通過
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CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧

  • CAM350不可不知的兩大應(yīng)用技巧-有些資料的文字層有很多文字框，且文字框到線路PAD 間距不滿足制程能力時；當(dāng)資料有大面積銅箔覆蓋，線路或PAD與銅皮的距離不在制作要求之內(nèi)，且外型尺寸又較大時...可借鑒本文的處理方法
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Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析

  • 　　Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識

  • 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識-如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數(shù)存儲到固定的地址，則每個參數(shù)都將占用Flash的一個塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數(shù)修改時，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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全球NOR Flash市場供不應(yīng)求 兆易創(chuàng)新/華邦電動作不斷

  • 隨著各大供應(yīng)商對NOR Flash的不斷加大投入，未來其市場將會逐漸趨于飽和，利潤也會越來越小，至于整體趨勢還有待觀察。
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第二季PC DRAM合約價漲逾一成，全球DRAM營收季增16.9%

  • 　　集邦咨詢內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經(jīng)將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價格上漲逾一成，行動式內(nèi)存則因中國品牌手機廠下修出貨數(shù)量，價格僅小幅上漲5%內(nèi)。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進，大規(guī)模的擴張產(chǎn)能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

  • 曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌，同年美光稱霸，臺灣廠商崛起，NOR FLASH漲價，行業(yè)迎來一波反彈。
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硅晶圓漲價 NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌

  • 　　供給端：原材料價格調(diào)漲，大廠退出 　　原材料漲價 　　今年以來半導(dǎo)體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進工藝占比不斷提高，加大對高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業(yè)與汽車半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長，大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴產(chǎn)，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
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1970-2017 DRAM芯片市場的生死搏殺

  • 自1970年，美國英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來，已經(jīng)過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據(jù)絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿缽滿。
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃

  • 　　這個時間點我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預(yù)期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花 　　1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗證，2016年是NOR
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Flash產(chǎn)能不給力 UFS稱霸江湖夢碎

  • UFS普及并不缺乏機會，F(xiàn)lash產(chǎn)能的困境能否早日抒解，成為真正影響UFS茁壯的關(guān)鍵因素了。
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被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染 武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)

  • 　　如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報，誤導(dǎo)群眾，損人又害己，更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。 　　歪曲報道如下： 　　武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件，雖然沒有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染，影響產(chǎn)能在9000片左右，市場預(yù)料，將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。 　　由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場，使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染，有望再度推升NOR Flash報價，市場最
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基于ZigBee技術(shù)的家居智能無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)

  • 介紹了一種基于ZigBee技術(shù)的智能家居無線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。重點闡述了該系統(tǒng)的組成、通訊協(xié)議以及無線節(jié)點的軟硬件設(shè)計。
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基于FPGA的測量數(shù)據(jù)存儲交換技術(shù)

  • 以AT45DB041B為例，將FPGA和大容量串行flash存儲芯片的優(yōu)點有效地結(jié)合起來，實現(xiàn)了FPGA對串行存儲芯片的高效讀寫操作，完成了對大量測量數(shù)據(jù)的存儲處理和與上位機的交換，并在某電力局項目工頻場強環(huán)境監(jiān)測儀中成功應(yīng)用。
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基于FPGA的水聲信號高速采集存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數(shù)據(jù)采集與存儲系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn),給出了系統(tǒng)的總體方案,并對各部分硬件和軟件的設(shè)計進行了詳細描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心,以存儲容量達2 GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲模塊和RS-232串行通信模塊組成,具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點,實驗證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計要求。
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