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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營收
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢樹

  • 　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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中國存儲(chǔ)三大勢力成形 各自進(jìn)擊

  • 　　早前報(bào)導(dǎo)，中國存儲(chǔ)三大勢力成形，目前長江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 　　中國發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 　　合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
  • 關(guān)鍵字： C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導(dǎo)  SRIO  網(wǎng)絡(luò)  

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
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如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

  • 　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時(shí)
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提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
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NAND FLASH扇區(qū)管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(page)，64個(gè)頁(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
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關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
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JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
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TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì)

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設(shè)計(jì),摘要 為實(shí)現(xiàn)數(shù)字信號處理器的加栽，介紹了TMS320C6455的各種加載模式，尤其是對外部ROM的引導(dǎo)方式，以及一種無需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例，同時(shí)結(jié)合LED燈閃爍實(shí)例驗(yàn)證
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威盛推第二代Nano平臺(tái) 挑戰(zhàn)英特爾

  • 多款采用威盛(VIA)第二代Nano平臺(tái)的All-in-One計(jì)算機(jī)、小筆記本，乃至于OLPC計(jì)劃的XO小筆電1.5代，都將在今年CES展亮相。威盛第二代Nano平臺(tái)，是以去(09)年
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三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
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VIA發(fā)布Nano E系列64位嵌入式處理器

  • 在加州硅谷圣荷塞舉行的嵌入式系統(tǒng)大會(huì)ESC 2010上，VIA正式宣布推出Nano E系列處理器，為嵌入式市場帶來原生64位軟件支持、虛擬化能力和更長生命周期
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nano nor flash介紹

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