nano nor flash 文章 進入nano nor flash技術(shù)社區(qū)
HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU
- 03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后,推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進行MCU程序內(nèi)存的燒錄,且燒錄次數(shù)可達十萬次,此項特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新,因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時間,并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù),不需受限于燒錄次數(shù);在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級,提供更高的附加
- 關(guān)鍵字: Flash MCU
ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用,完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計,并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點,被廣泛地應(yīng)用于手
- 關(guān)鍵字: NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵,因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛,本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS,并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時,著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進行分析,并提出改進方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
Flash 單片機自編程技術(shù)的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲器模塊是一個可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個線性地址空間中,一個
- 關(guān)鍵字: Flash 單片機 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字: NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)
- l 引言 在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后,還有一項重要的工作要做:怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式:不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應(yīng)用中,多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低,因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨立運行,而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體,掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
- 關(guān)鍵字: TMS320C64x Flash
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料,整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。 TRI觀點: 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
2008:巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低,價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低,對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預(yù)測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段,一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預(yù)測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價同時也推動了需求的增長,使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關(guān)鍵字: DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動關(guān)閉的電動車窗或車門設(shè)備潛藏著卡死,擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡化的原因,本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應(yīng)傳感器的刷式馬達?;谒俣群团ぞ貙?dǎo)數(shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉(zhuǎn)換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理,Atmel網(wǎng)站上的應(yīng)用筆記有關(guān)于實現(xiàn)的詳細描述。 現(xiàn)代
- 關(guān)鍵字: AVR Flash 微控制器 汽車電子控制裝置
NAND Flash進軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應(yīng)用市場發(fā)表研究報告指出,2008年起,除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外,NAND Flash將通過NB與PC的采用,以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài),逐步擴大市場占有率,市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示,NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機,到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 串 MCU和嵌入式微處理器
基于FPGA的串行Flash擴展實現(xiàn)
- 1 引言 FPGA憑借其方便靈活、可重復(fù)編程等優(yōu)點而日益被廣泛應(yīng)用;閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等優(yōu)點,在眾多領(lǐng)域中也獲得了廣泛應(yīng)用。在現(xiàn)代數(shù)字電路設(shè)計中。經(jīng)常需要保存大量數(shù)據(jù),而Flash存儲速度快、體積小、功耗低且價格低廉,可在線電擦寫,信息在掉電后不會丟失,因此成為設(shè)計人員的首選。 2 M25P80的介紹 Flash是一種具有電可擦除的可編程ROM,可以分為兩大類:并行Flash和串行Flash。并行Flash存儲量大,速度快;而串行Fl
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機 FPGA Flash 存儲器 MCU和嵌入式微處理器
nano nor flash介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nano nor flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nano nor flash的理解,并與今后在此搜索nano nor flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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