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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nano nor flash

AVR單片機的RC5和RC6算法比較與改進

  • 　　摘要：RC5及RC6是兩種新型的分組密碼。AVR高速嵌入式單片機功能強大，在無線數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用方面很有優(yōu)勢。本文基于Atmega128高速嵌入式單片機，實現(xiàn)RC5和RC6加密及解密算法，并對算法進行匯編語言的優(yōu)化及改進。根據(jù)實驗結(jié)果。對兩種算法的優(yōu)熱點進行比較和分析。     關(guān)鍵詞：Atmega128 RC5 RC6 分組密碼 混合密鑰 Flash 引言 　　在無線局域網(wǎng)中，傳輸?shù)慕橘|(zhì)主要是無線電波和紅外線，任何具有接收能力的竅聽者都有可能攔截?zé)o線信道中的數(shù)據(jù)，掌握
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基于FPGA的NAND FLASH控制器

  • 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復(fù)雜，對時序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來很大的難度，于是就要求有一個控制器，使系統(tǒng)用戶能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設(shè)
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一種新型單片機MSC1210及其應(yīng)用

  • 　　摘要：主要介紹內(nèi)核兼容8051的MSC1210單片機結(jié)構(gòu)特點，其高性能ADC、片內(nèi)存儲器以及Flash編程應(yīng)用等功能。     關(guān)鍵詞：MSC1210 ADC PGA Flash     實際應(yīng)用系統(tǒng)往往需要進行高精度的測量，同時還必須進行實時快速控制，提高其開發(fā)效率。為此人們常采用高精度A/D芯片加帶ISP開發(fā)功能的單片機系統(tǒng)來實現(xiàn)。德州儀器（TI）的MSC1210單片機解決了上述問題。它集成了一個增強型8051內(nèi)核、高達33 MHz
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歐盟批準英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)

  • 英特爾和意法半導(dǎo)體（STMicro）合并雙方閃存部門的計劃周一獲得了歐盟委員會的批準。該合并計劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。  這筆交易將有助于合并后的公司實現(xiàn)規(guī)?；\營，解決閃存產(chǎn)品激烈的價格競爭，并可以使兩家公司擺脫這個給他們的利潤率帶來重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。  根據(jù)交易條款，意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn)，英特爾將出售其NOR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換，英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金，意法半導(dǎo)
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PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標準

  • 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了   MMC存儲接口支持，從而滿足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建，目前共有15家成員公司。  新增MMC支持后，PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
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英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡

  • 美國英特爾2007年8月21日宣布，NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡。計劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示，生產(chǎn)工藝向65nm過渡將有利于提高性價比。  英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。
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盤點2006全球NOR閃存供應(yīng)商top 5

  • 　2006年Spansion取代英特爾成為最大NOR閃存供應(yīng)商 　　市場調(diào)研公司iSuppli日前公布了2006年全年及第四季度五家最大NOR閃存供應(yīng)商的初步排名。 　　　2006年全球NOR閃存供應(yīng)商排名    　　“盡管2006年NOR市場擴張，但這年供應(yīng)商的日子并不好過?！眎Suppli的資深分析師Mark DeVoss表示。“雖然2006年不象2005年那樣糟糕，但市場形勢仍然嚴峻。2005年總體NOR銷售額下降了15.5%，市場形勢依然嚴峻，所有
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Spansion在2006年手機閃存市場中占據(jù)領(lǐng)先地位

  • iSuppli稱，手機市場銷量的強勁上揚推動NOR閃存供應(yīng)商Spansion在2006年全球無線手機閃存市場中據(jù)于領(lǐng)先地位，并提升了其在全球閃存市場的排名。 2006年Spansion面向手機市場的NOR型閃存銷量增加到18億美元，較2005年的14億美元提高了35%。增長幅度是全球手機閃存市場增幅（2006年達到61億美元，較2005年的52億上升了16.4%）的兩倍以上。 2006年，Spansion的市場份額增加到29.9%，較2005年的25.8%有所上升。從而使Spansion在全球閃存市場排名
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義隆電子上市高速八位 Flash MCU產(chǎn)品

  • 因應(yīng)市場的需求，義隆電子近期推出八位Flash MCU的產(chǎn)品—編號 EM77F900 。這顆IC是一款速度高達40MIPS的八位單片機，在高速控制的應(yīng)用領(lǐng)域可以讓您使用時得心應(yīng)手，同時，可以廣泛的應(yīng)用于二維條形碼閱讀(2D Bar code reader)、游戲鼠標(Gaming mouse)、高速傳輸器(Dongle)、指紋辨識、移動檢測(Motion detect)、USB audio、無線傳輸?shù)阮I(lǐng)域。 義隆電子
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Spansion成立安全及高級技術(shù)事業(yè)部

  • 北京，2007年8月2日-全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布任命行業(yè)經(jīng)驗豐富的Carla Golla為新成立的安全及高級技術(shù)事業(yè)部執(zhí)行副總裁。Golla女士直接匯報給CEO辦公室，她負責(zé)推動Spansion安全存儲解決方案的制定和部署，包括公司的MirrorBit® HD-SIM™產(chǎn)品系列。此外，她還負責(zé)制定公司的高級技術(shù)戰(zhàn)略，利用與臺積電的合作，拓展MirrorBit在40nm及更先進制程下的發(fā)展。 Spansion總
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Spansion NOR閃存完成在聯(lián)發(fā)科參考設(shè)計平臺上預(yù)先驗證

  • 北京，2007年8月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ:SPSN）今天宣布，其MirrorBit® NOR閃存已完成在MediaTek主流手機參考設(shè)計平臺上的預(yù)先驗證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C更快地推向中國及其它高速增長市場。 在未來幾年內(nèi)，中國將成為推動新型手機發(fā)
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Spansion NOR閃存在MediaTek設(shè)計平臺上完成預(yù)先驗證

  •       Spansion宣布，其MirrorBit NOR閃存已完成在mediaTek主流手機參考設(shè)計平臺上的預(yù)先驗證。MediaTek總部位于臺灣，是全球前十大提供無線通信和數(shù)字媒體解決方案的半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司之一。在MediaTek參考設(shè)計平臺上完成對Spansion閃存解決方案的預(yù)先驗證，將使生產(chǎn)商能夠?qū)⒕哂谐杀拘实母咝阅苁謾C更快地推向中國及其它高速增長市場。       &
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TMS320VC55X系列DSP的FLASH引導(dǎo)方法*

  • 摘要： 本文以實際系統(tǒng)開發(fā)基礎(chǔ)為背景，闡述了TMS320C55X系列DSP對FLASH在線燒寫的方法，給出了系統(tǒng)的硬件連接示意圖和完整的燒寫程序，并研究了自舉引導(dǎo)的實現(xiàn)方法以及大程序的二次引導(dǎo)方法。關(guān)鍵詞： TMS320C55X；FLASH；Bootloader；燒寫；二次引導(dǎo) 引言隨著數(shù)字信號處理技術(shù)的快速發(fā)展，DSP被廣泛的應(yīng)用到各種數(shù)字信號處理系統(tǒng)中。最終開發(fā)的系統(tǒng)要想脫離仿真器運行，必須將程序代碼存儲在非易失性存儲器中。FLASH存儲器以其大容量和可在線編程等特點已成為DSP
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NAND Flash和NOR Flash的比較

  • 　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營臺廠壓力倍增

  • 相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
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nano nor flash介紹

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