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全面起底ASML的EUV光刻技術(shù)

  • 　　用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)到今年(2019年，也是從今年開(kāi)始)，每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展?！　　　「叨诉壿嫲雽?dǎo)體的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和對(duì)應(yīng)的EUV曝光技術(shù)的藍(lán)圖?！　∫簿褪钦f(shuō)，在EUV曝光技術(shù)的開(kāi)發(fā)比較順利的情況下，5nm的量產(chǎn)日程時(shí)間會(huì)大約在2021年，3nm的量產(chǎn)時(shí)間大約在2023年。關(guān)于更先進(jìn)的2nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，還處于模糊階段，據(jù)預(yù)測(cè)，其量產(chǎn)時(shí)間最快也是在2026
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Imec與ASML聯(lián)手，EUV成主流技術(shù)工具

  • 　　日前，有消息稱(chēng)，比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec和微影設(shè)備制造商ASML計(jì)劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室，共同探索在后3nm邏輯節(jié)點(diǎn)的奈米級(jí)元件制造藍(lán)圖。此次雙方這項(xiàng)合作是一項(xiàng)為期五年計(jì)劃的一部份，分為兩個(gè)階段：　　首先是開(kāi)發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，包括最新的EUV設(shè)備準(zhǔn)備就緒?！　∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤?shù)值孔徑(NA)的EUV微影技術(shù)潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級(jí)元件，從而推動(dòng)3nm以后的半導(dǎo)體微縮?！　O紫外光(EUV)微影技術(shù)　　EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長(zhǎng)為10-14 nm的極紫外
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三星促使EUV制程技術(shù)走紅，遵循摩爾定律方向發(fā)展

  • 　　繼聯(lián)電在2017年進(jìn)行高階主管大改組，并宣布未來(lái)經(jīng)營(yíng)策略將著重在成熟制程之后，格芯也在新執(zhí)行長(zhǎng)Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無(wú)限期暫緩7nm制程研發(fā)，并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對(duì)成熟的制程服務(wù)上。　　引入EUV工藝是半導(dǎo)體7nm工藝的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)　　眾所周知，目前半導(dǎo)體領(lǐng)域，7nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。而7nm工藝是半導(dǎo)體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量等制造過(guò)程，節(jié)省時(shí)間和成本?！　〔贿^(guò)引入EU
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5nm技術(shù)指日可待，EUV技術(shù)有重磅突破

  • 　　全球一號(hào)代工廠臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶(hù)芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開(kāi)始試產(chǎn)。今年4月開(kāi)始，臺(tái)積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋(píng)果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)?huì)使用它制造，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)。　　而接下來(lái)的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺(tái)積電將首次應(yīng)用EUV，不過(guò)僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn)，也借
  • 關(guān)鍵字： 5nm  EUV  

從7nm到3nm GAA，三星為何激進(jìn)地采用EUV？

  • 半導(dǎo)體業(yè)界為EUV已經(jīng)投入了相當(dāng)龐大的研發(fā)費(fèi)用，因此也不難理解他們急于收回投資。雖然目前還不清楚EUV是否已經(jīng)100%準(zhǔn)備就緒，但是三星已經(jīng)邁出了實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的第一步。
  • 關(guān)鍵字： 三星  EUV  3nm   

拚不過(guò)對(duì)手　英特爾放棄搶推EUV？

  • 　　引領(lǐng)技術(shù)開(kāi)發(fā)的少數(shù)芯片制造商認(rèn)定，極紫外光(EUV)微影技術(shù)將在明年使得半導(dǎo)體元件的電晶體密度更進(jìn)一步向物理極限推進(jìn)，但才剛失去全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)龍頭寶座的英特爾(Intel)，似乎放棄了繼續(xù)努力在采用EUV的腳步上領(lǐng)先;該公司在1990年代末期曾是第一批開(kāi)始發(fā)展EUV的IC廠商?！　≡请娮庸こ處煹氖袌?chǎng)研究機(jī)構(gòu)Bernstein分析師Mark Li表示，英特爾不會(huì)在短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)入EUV，該公司仍在克服量產(chǎn)10納米制程的困難，因此其7納米制程還得上好幾年，何時(shí)會(huì)用上EUV更是個(gè)大問(wèn)題?！　≡诖送瑫r(shí)，三星(S
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  EUV  

Entegris EUV 1010光罩盒展現(xiàn)極低的缺陷率，已獲ASML認(rèn)證

  • 　　業(yè)界領(lǐng)先的特種化學(xué)及先進(jìn)材料解決方案的公司Entegris(納斯達(dá)克：ENTG)日前發(fā)布了下一代EUV 1010光罩盒，用于以極紫外(EUV)光刻技術(shù)進(jìn)行大批量IC制造。Entegris的EUV 1010是與全球最大的芯片制造設(shè)備制造商之一的ASML密切合作而開(kāi)發(fā)的，已在全球率先獲得ASML的認(rèn)證，用于NXE:3400B等產(chǎn)品。　　隨著半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)始更多地使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行先進(jìn)技術(shù)制程的大批量制造(HVM)，對(duì)EUV光罩無(wú)缺陷的要求比以往任何時(shí)候都要嚴(yán)格。Entegris的EUV 1010光罩盒已
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李在镕正式回歸，三星半導(dǎo)體是否大舉投資引關(guān)注

  • 先前李在镕涉入政治關(guān)說(shuō)丑聞的負(fù)面影響尚未完全消除，設(shè)法恢復(fù)各界對(duì)三星的信賴(lài)也是李在镕須解決的課題。
  • 關(guān)鍵字： 三星  EUV  

EUV、3nm、GAA首次亮相，三星晶圓代工業(yè)務(wù)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)

  • 　　為進(jìn)一步提升在中國(guó)市場(chǎng)晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，6月14日，三星電子在中國(guó)上海召開(kāi) “2018三星晶圓代工論壇(Samsung Foundry Forum 2018)”(SFF)，這是SFF首次在中國(guó)舉行，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力可見(jiàn)一斑。　　本次論壇上，三星電子晶圓代工事業(yè)部戰(zhàn)略市場(chǎng)部部長(zhǎng)、副社長(zhǎng)裵永昌帶領(lǐng)主要管理團(tuán)隊(duì)，介紹了晶圓代工事業(yè)部升級(jí)為獨(dú)立業(yè)務(wù)部門(mén)一年來(lái)的發(fā)展成果，以及未來(lái)發(fā)展路線圖和服務(wù)，首次發(fā)布了FinFET、GAA等晶體管構(gòu)造與EUV曝光技術(shù)的使用計(jì)劃，以及3納米芯片高端工藝的發(fā)展路線圖，
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進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)，臺(tái)積電7納米EUV工藝聯(lián)發(fā)科M70明年發(fā)

  • 　　聯(lián)發(fā)科高分貝宣布旗下首款5G Modem芯片，代號(hào)為曦力(Helio)M70的芯片解決方案將在2019年現(xiàn)身市場(chǎng)的動(dòng)作，臺(tái)面上或是為公司將積極進(jìn)軍全球5G芯片市場(chǎng)作熱身，但臺(tái)面下，已決定采用臺(tái)積電7納米EUV制程技術(shù)設(shè)計(jì)量產(chǎn)的M70 5G Modem芯片解決方案，卻是聯(lián)發(fā)科為卡位臺(tái)積電最新主力7納米制程技術(shù)產(chǎn)能，同時(shí)向蘋(píng)果(Apple)iPhone訂單招手的關(guān)鍵大絕，在高通(Qualcomm)還在三星電子(SAMSUNG)、臺(tái)積電7納米制程技術(shù)猶疑之間，聯(lián)發(fā)科已先一步表達(dá)忠誠(chéng)，而面對(duì)高通、蘋(píng)果專(zhuān)利訟訴
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電，EUV  

中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī) 如何躲過(guò)《瓦森納協(xié)定》的？

  • 　　據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》(Nikkei Asian Review)15日援引消息人士的話稱(chēng)，中國(guó)芯片加工企業(yè)中芯國(guó)際(SMIC)向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī)，價(jià)值1.2億美元。目前，業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí)，必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm，甚至5nm時(shí)代。今天，中芯國(guó)際方面對(duì)觀察者網(wǎng)表示，對(duì)此事不做評(píng)論?！　∠⒎Q(chēng)，這臺(tái)幾乎相當(dāng)于中芯國(guó)際去年全部?jī)衾麧?rùn)的設(shè)備，將于2019年前交付?！　SML發(fā)言人對(duì)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》表示，該企業(yè)對(duì)包括中國(guó)客戶(hù)在內(nèi)
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中芯1.2億美元下單最先進(jìn)EUV光刻機(jī),后續(xù)還得解決這些問(wèn)題…

  • 　　據(jù)知情人士透露，中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)訂購(gòu)了一臺(tái)EUV設(shè)備，在中美兩國(guó)貿(mào)易緊張的情況下，此舉旨在縮小與市場(chǎng)領(lǐng)先者的技術(shù)差距，確保關(guān)鍵設(shè)備的供應(yīng)。EUV是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最先進(jìn)也最昂貴的芯片制造設(shè)備。 　　中芯國(guó)際的首臺(tái)EUV設(shè)備購(gòu)自荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML，價(jià)值1.2億美元。盡管中芯目前在制造工藝上仍落后于臺(tái)積電等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者兩到三代，此舉仍突顯了該公司幫助提升中國(guó)本土半導(dǎo)體制造技術(shù)的雄心壯志，也保證了在最先進(jìn)的光刻設(shè)備方面的供應(yīng)。目前包括英特爾、三星、臺(tái)積電等巨頭都在購(gòu)買(mǎi)該設(shè)備，以確保
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2019年換機(jī)指南：手機(jī)芯片的重磅升級(jí)！

  • 種種跡象表明，2018年將是移動(dòng)處理器、半導(dǎo)體等行業(yè)迎來(lái)轉(zhuǎn)折的一年，多種技術(shù)經(jīng)歷多年沉淀后會(huì)在今年完成應(yīng)用，然后在2019年爆發(fā)。
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ASML載具供應(yīng)商家登精密談中國(guó)EUV的發(fā)展，面臨諸多挑戰(zhàn)

  • 　　載具對(duì)于曝光機(jī)發(fā)揮保護(hù)、運(yùn)送和存儲(chǔ)光罩等功能十分重要。家登精密多年來(lái)致力于研究曝光機(jī)載具，并為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML提供載具相關(guān)技術(shù)。 　　我們主要研究EUV的配套技術(shù)，例如EUV的載具以及EUV的配套光罩，是7nm向5nm進(jìn)階的突破口。隨著5nm技術(shù)的升級(jí)，EUV的重要性逐漸凸顯出來(lái)，而載具的研究也越發(fā)緊迫。過(guò)去幾年，家登精密一直專(zhuān)心做一件事，那就是載具的配套研究。去年，我們的技術(shù)產(chǎn)品已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，這是一個(gè)值得自豪的成績(jī)。未來(lái)，7nm工藝逐漸向5nm升級(jí)，技術(shù)的研究會(huì)越來(lái)越困難
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三星7nm EUV工廠破土動(dòng)工：新驍龍將在這里誕生

  • 2017年，三星在半導(dǎo)體事業(yè)中的投資達(dá)到了260億美元，創(chuàng)下歷史新高，這主要得益于其存儲(chǔ)芯片的巨大需求。
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